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gan ic 文章 進(jìn)入gan ic技術(shù)社區
2026年，中國大陸IC晶圓產(chǎn)能將躍居全球第一
- 根據Knometa Research的數據顯示，2026年，中國大陸將超越韓國和中國臺灣，成為IC晶圓產(chǎn)能的領(lǐng)先地區，而歐洲的份額將繼續下降。中國大陸一直在領(lǐng)先優(yōu)勢的芯片制造能力上進(jìn)行大量投資，并將從除美洲以外的所有其他地區獲取市場(chǎng)份額。此外，KnometaResearch預計，2024年全球IC晶圓產(chǎn)能年增長(cháng)率為4.5%，2025年和2026年增長(cháng)率分別為8.2%和8.9%。截至2023年底，中國大陸在全球晶圓月產(chǎn)能中的份額為19.1%，落后韓國和中國臺灣幾個(gè)百分點(diǎn)。預計到2025年，中國大陸的產(chǎn)能份額
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GaN FET讓您實(shí)現高性能D類(lèi)音頻放大器
- D類(lèi)音頻放大器參考設計(EPC9192)讓模塊化設計具有高功率和高效，從而可實(shí)現全定制、高性能的電路設計。宜普電源轉換公司(EPC)宣布近日推出EPC9192參考設計，可實(shí)現優(yōu)越、緊湊型和高效的D類(lèi)音頻放大器，于接地參考、分離式雙電源單端 (SE)設計中發(fā)揮200 V eGaN FET器件(EPC2307)的優(yōu)勢，在4Ω負載時(shí)，每聲道輸出功率達700 W。EPC9192是可擴展的模塊化設計，其主板配有兩個(gè)PWM調制器和兩個(gè)半橋功率級子板，實(shí)現具備輔助管理電源和保護功能的雙通道放大器。這種設計的靈活性高，使
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氮化鎵器件讓您實(shí)現具成本效益的電動(dòng)自行車(chē)、無(wú)人機和機器人
- 基于氮化鎵器件的逆變器參考設計(EPC9193)讓您實(shí)現具有更高性能的電機系統，其續航里程更長(cháng)、精度更高、扭矩更大，而且同時(shí)降低了系統的總成本。宜普電源轉換公司（EPC）近日宣布推出EPC9193，它是使用EPC2619 eGaN?FET的三相BLDC電機驅動(dòng)逆變器，具有14V~65V的寬輸入直流電壓范圍和兩種配置，分別為標準和高電流版本：●? ?EPC9193 是標準參考設計，在每個(gè)開(kāi)關(guān)位置使用單個(gè)FET，可提供高達30ARMS 的最大輸出電流?！? ?EPC91
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GaN引領(lǐng)未來(lái)寬帶功率放大器——Qorvo TGA2962
- Qorvo是一家在射頻解決方案領(lǐng)域具有顯著(zhù)影響力的美國公司。它通過(guò)提供創(chuàng )新的射頻技術(shù)，為移動(dòng)、基礎設施與國防/航空航天市場(chǎng)提供核心技術(shù)及解決方案，致力于實(shí)現全球互聯(lián)。Qorvo在射頻前端模塊、濾波器、功率放大器、開(kāi)關(guān)、調諧器等領(lǐng)域都展現出了強大的技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)地位。它是全球主要的功頻放大器供貨商，其產(chǎn)品在市場(chǎng)上具有較高的認可度和廣泛的應用。這使得Qorvo在推動(dòng)5G網(wǎng)絡(luò )、云計算、物聯(lián)網(wǎng)等新興應用市場(chǎng)的發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。在Qorvo所擅長(cháng)的寬帶功率放大器領(lǐng)域之中，GaN材料展露出了重要的應用潛力。由于
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納微半導體與您相約亞洲充電展，最新GaN+SiC技術(shù)展望快充未來(lái)
- 唯一全面專(zhuān)注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導者——納微半導體近日宣布將參加于2024年3月20-22日在深圳福田會(huì )展中心舉辦的亞洲充電展，邀請觀(guān)眾造訪(fǎng)由最新氮化鎵和碳化硅技術(shù)打造，象征著(zhù)全電氣化未來(lái)的“納微芯球”展臺。納微半導體將展出最新的GaNFast?和GeneSiC?應用及解決方案，包括：●? ?功率水平更高、以應用為導向的GaNSense? Halfbridge半橋氮化鎵技術(shù)●? ?高性能、速度快的第三代高速碳化硅技術(shù)●? &
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英飛凌攜手Worksport利用氮化鎵降低便攜式發(fā)電站的重量和成本
- 英飛凌科技股份公司近日宣布與Worksport Ltd.合作，共同利用氮化鎵（GaN）降低便攜式發(fā)電站的重量和成本。Worksport將在其便攜式發(fā)電站轉換器中使用英飛凌的GaN功率半導體GS-065-060-5-B-A提高效能和功率密度。在采用英飛凌GaN晶體管后，該功率轉換器將變得更輕、更小，系統成本也將隨之降低。此外，英飛凌還將幫助Worksport優(yōu)化電路和布局設計，進(jìn)一步縮小尺寸并提高功率密度。Worksport首席執行官Steven Rossi表示：“英飛凌高質(zhì)量標準和穩固的供應鏈為我們提供了
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EPC推出首款具有最低1mΩ導通電阻的GaN FET
- 全球增強型氮化鎵(GaN)功率 FET 和 IC領(lǐng)域的領(lǐng)導者宜普電源轉換公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm EPC2361。這是市場(chǎng)上具有最低導通電阻的GaN FET，與EPC的上一代產(chǎn)品相比，其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm，采用耐熱QFN封裝，頂部裸露，封裝尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面積僅為15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的體積小超過(guò)五倍。憑借超低導通電阻
- 關(guān)鍵字： EPC 1mΩ 導通電阻 GaN FET
適用于自主駕駛車(chē)輛LiDAR的GaN FET快速指南
- 激光探測及測距 (LiDAR) 的應用包括自主駕駛車(chē)輛、無(wú)人機、倉庫自動(dòng)化和精準農業(yè)。在這些應用中，大多都有人類(lèi)參與其中，因此人們擔心 LiDAR 激光可能會(huì )對眼睛造成傷害。為防止此類(lèi)傷害，汽車(chē) LiDAR 系統必須符合 IEC 60825-1 1 類(lèi)安全要求，同時(shí)發(fā)射功率不超過(guò) 200 W。通用解決方案一般采用 1 至 2 ns 脈沖，重復頻率為 1 至 2 MHz。這很有挑戰性，因為需要使用微控制器或其他大型數字集成電路 (IC) 來(lái)控制激光二極管，但又不能直接驅動(dòng)它，這樣就必須增加一個(gè)柵極
- 關(guān)鍵字： 自主駕駛 LiDAR GaN FET
SR-ZVS與GaN：讓電源開(kāi)關(guān)損耗為零的魔法
- 當今，快充市場(chǎng)正迎來(lái)前所未有的機遇與挑戰。風(fēng)暴仍在繼續，快充市場(chǎng)的迅猛發(fā)展，用戶(hù)對于充電器的功率需求也在不斷增大；移動(dòng)設備的普及，用戶(hù)對于充電器體積的要求也越來(lái)越高；同時(shí)為了在激烈的市場(chǎng)競爭中脫穎而出，低成本是每個(gè)快充產(chǎn)品必須考慮的因素。種種這些都對快充技術(shù)的要求愈發(fā)嚴格，不僅需要高效率、高功率，還需要適應多樣化的標準和滿(mǎn)足用戶(hù)個(gè)性化的需求。在種種挑戰之下，PI推出了InnoSwitch5-Pro 離線(xiàn)反激式開(kāi)關(guān)IC，在內部集成750V或900V PowiGaN?初級開(kāi)關(guān)、初級側控制器、FluxLink?
- 關(guān)鍵字： PI SR-ZVS GaN 氮化鎵
模擬: 對于采用雙向自動(dòng)檢測IC TXB0104在電平轉換端口傳輸中組態(tài)的分析
- AbstractTXB0104是應用在A(yíng)M3352（Sitara MCU/MPU等）和EMMC (嵌入式多媒體存儲卡)芯片之間通信的雙向自動(dòng)檢測電平轉換芯片。當系統的軟件資源配置不足，需要電平轉換芯片自己識別信號傳輸方向的時(shí)候，需要注意外部硬件設計，不然可能會(huì )出現掛載時(shí)好時(shí)壞的失效情況。問(wèn)題背景：EMMC與AM3352掛載失敗，定位為T(mén)XB0104工作異常。實(shí)測中發(fā)現如圖中線(xiàn)路所示：1.只有D0通道無(wú)信號，因為將D0數據線(xiàn)由主芯片（AM3352）側飛線(xiàn)到EMMC，D0開(kāi)始傳輸數據信號，eMMC掛載正常
- 關(guān)鍵字： 自動(dòng)檢測 IC TXB0104 電平 轉換端口
EPC GaN FET可在數納秒內驅動(dòng)激光二極管，實(shí)現75~231A脈沖電流
- 宜普電源轉換公司（EPC）推出三款激光驅動(dòng)器電路板，這些板采用了符合AEC-Q101認證標準、快速轉換的GaN FET以實(shí)現具備卓越性能的激光雷達系統。EPC推出三款評估板，分別是EPC9179、EPC9181和EPC9180，它采用75 A、125 A、231 A脈沖電流激光驅動(dòng)器和通過(guò)車(chē)規級AEC-Q101認證的EPC GaN FET - EPC2252、EPC2204A 和EPC2218A。它比前代氮化鎵器件的體積小30%和更具成本效益。這些電路板專(zhuān)為長(cháng)距離和
- 關(guān)鍵字： EPC GaN FET 激光二極管
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