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GaN 出擊

自上世紀五十年代以來(lái)，以硅材料為代表的第一代半導體材料取代了笨重的電子管引發(fā)了以集成電路為核心的微電子領(lǐng)域迅速發(fā)展。隨著(zhù)時(shí)間的流逝，盡管目前業(yè)內仍然以 Si 材料作為主流半導體材料，但第二代、第三代甚至是第四代半導體材料都紛沓而至。這其中又以第三代半導體材料——氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）受到大眾關(guān)注。近段時(shí)間，GaN 方面又有了新進(jìn)展。本土 GaN 企業(yè)快速發(fā)展3 月 2 日，英飛凌宣布收購氮化鎵公司 GaN Systems，交易總值 8.3 億美元（約 57.3 億人民幣）。根據公告，英飛凌計劃
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基于Navitas NV6115的150W電源解決方案

傳統的功率半導體被設計用來(lái)提升系統的效率以及減少能量損失?？墒菍?shí)際上，出于兩個(gè)方面的原因-傳導和開(kāi)關(guān)切換，設備可能會(huì )出現能量損失。GaN FET為第三代功率半導體技術(shù)，其改善開(kāi)關(guān)切換的延遲時(shí)間。納微（Navitas）半導體公司是世界上第一家的氮化鎵（ GaN ）功率芯片公司。所謂的氮化鎵功率芯片，其中 GaN 驅動(dòng)器、GaN FET 和 GaN 邏輯單元的單片集成，并全部采用 650V GaN 工藝，從而實(shí)現許多軟開(kāi)關(guān)拓撲和應用中的高速、高頻率、高效率操作。該方案采用NV6115 與 NV6117 氮化鎵
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GaN 良率受限，難以取代 IGBT

GaN 要快速擴散至各應用領(lǐng)域，仍有層層關(guān)卡待突破。
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市場(chǎng)規模節節攀升，第三代半導體成收購的熱門(mén)賽道

以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導體市場(chǎng)正如火如荼地發(fā)展著(zhù)，而“圍墻”之外的企業(yè)亦對此賽道十分看重。近日，中瓷電子資產(chǎn)重組重新恢復審核，其對第三代半導體業(yè)務(wù)的開(kāi)拓有了新的進(jìn)展。3月6日，中瓷電子發(fā)布了《發(fā)行股份購買(mǎi)資產(chǎn)并募集配套資金暨關(guān)聯(lián)交易報告書(shū)（草案）（修訂稿）》。根據該修訂稿，中瓷電子擬以發(fā)行股份的方式，購買(mǎi)博威公司73.00%股權、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務(wù)資產(chǎn)及負債、國聯(lián)萬(wàn)眾94.6029%股權。事實(shí)上，除中瓷電子外，近來(lái)還有許多企業(yè)選擇以收購的方式，布局或擴大第三代半導體業(yè)務(wù)。2023年3月2
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晶圓廠(chǎng)貨源多元布局，代工報價(jià)面臨壓力

IT之家 3 月 13 日消息，據臺媒中央社報道，半導體產(chǎn)業(yè)景氣反轉向下，晶圓代工產(chǎn)能松動(dòng)，IC 設計廠(chǎng)為強化供應鏈，同時(shí)因未來(lái)可能變化的需求，紛紛針對貨源展開(kāi)多元布局，晶圓代工報價(jià)恐將面臨壓力。臺媒指出，晶圓代工廠(chǎng)今年來(lái)因為終端市場(chǎng)需求疲弱，供應鏈持續調整庫存，產(chǎn)能明顯松動(dòng)，世界先進(jìn)第一季度產(chǎn)能利用率恐較去年第四季度下滑 10 個(gè)百分點(diǎn)，力積電將降至 6 成多水準，聯(lián)電第一季度產(chǎn)能利用率也將降至 7 成。IC 設計廠(chǎng)多數表示，晶圓代工廠(chǎng)并未調降代工價(jià)格，不過(guò)廠(chǎng)商針對配合預先投片備貨的客戶(hù)提供優(yōu)
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GaN 時(shí)代來(lái)了？

隨著(zhù)特斯拉宣布其下一代 EV 動(dòng)力總成系統的 SiC 組件使用量減少 75%，預計第三代化合物半導體市場(chǎng)狀況將發(fā)生變化，GaN 被認為會(huì )產(chǎn)生后續替代效應。據業(yè)內消息人士透露，這有望使臺積電、世界先進(jìn)半導體 (VIS) 和聯(lián)華電子受益，它們已經(jīng)進(jìn)行了早期部署，并繼續擴大其 8 英寸加工 GaN 器件的產(chǎn)能。GaN 和 SiC 的比較GaN 和 SiC 滿(mǎn)足市場(chǎng)上不同的功率需求。SiC 器件可提供高達 1200V 的電壓等級，并具備高載流能力，因此非常適合汽車(chē)和機車(chē)牽引逆變器、高功率太陽(yáng)能發(fā)電場(chǎng)和大型三相電網(wǎng)
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用于 GaN HEMT 的超快分立式短路保護

當今的行業(yè)需要緊湊且速度更快的電子電路，這些電路可以在高性能計算機、電動(dòng)汽車(chē)、數據中心和高功率電機驅動(dòng)等高功率應用中實(shí)施。實(shí)現這一壯舉的方法是提高電子設備的功率密度。硅基MOSFET具有較低的開(kāi)關(guān)速度和熱效率；因此，如果不增加尺寸并因此影響功率密度，它們就不能用于高功率應用。這就是基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 用于制造高功率密度電子產(chǎn)品的地方，適用于各行各業(yè)的不同應用。當今的行業(yè)需要緊湊且速度更快的電子電路，這些電路可以在高性能計算機、電動(dòng)汽車(chē)、數據中心和高功率電機驅動(dòng)等高功
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探索IC電源管理新領(lǐng)域的物聯(lián)網(wǎng)應用

本文深入探討物聯(lián)網(wǎng)電池技術(shù)，并提出設計人員可能面臨的一些電源問(wèn)題，以及ADI提供的解決方案。這些高效的解決方案可以協(xié)助克服物聯(lián)網(wǎng)裝置中的其他問(wèn)題，包括尺寸、重量和溫度。隨著(zhù)物聯(lián)網(wǎng)裝置越來(lái)越密集地應用于工業(yè)設備、家庭自動(dòng)化和醫療應用中，透過(guò)減小外形尺寸、提高效率、改善電流消耗，或者加快充電時(shí)間（對于可攜式物聯(lián)網(wǎng)裝置）來(lái)優(yōu)化這些裝置的電源管理的壓力也越來(lái)越大。相關(guān)的要求是所有這些都必須以小尺寸實(shí)現，既不能影響散熱，也不能干擾裝置實(shí)現無(wú)線(xiàn)通信。物聯(lián)網(wǎng)裝置的應用領(lǐng)域幾乎沒(méi)有止境，每天都會(huì )考慮新的裝置和使用情況。
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英飛凌將收購氮化鎵系統公司（GaN Systems）

【2023 年 03 月 03日，德國慕尼黑和加拿大渥太華訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）和氮化鎵系統公司（GaN Systems）聯(lián)合宣布，雙方已簽署最終協(xié)議。根據該協(xié)議，英飛凌將斥資 8.3 億美元收購氮化鎵系統公司。氮化鎵系統公司是全球領(lǐng)先的科技公司，致力于為功率轉換應用開(kāi)發(fā)基于氮化鎵的解決方案。該公司總部位于加拿大渥太華，擁有 200 多名員工。英飛凌科技首席執行官 Jochen Hanebeck 表示：“氮化鎵技術(shù)為打造更加
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幾個(gè)氮化鎵GaN驅動(dòng)器PCB設計必須掌握的要點(diǎn)

NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動(dòng)器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動(dòng)氮化鎵（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“GaN”）功率開(kāi)關(guān)。之前我們簡(jiǎn)單介紹過(guò)氮化鎵GaN驅動(dòng)器的PCB設計策略概要，本文將為大家重點(diǎn)說(shuō)明利用 NCP51820 設計高性能 GaN 半橋柵極驅動(dòng)電路必須考慮的 PCB 設計注意事項。本設計文檔其余部分引用的布線(xiàn)示例將使用含有源極開(kāi)爾文連接引腳的 GaNFET 封裝。VDD 電容VDD 引腳應有兩個(gè)盡可能靠近 VDD 引腳放置的陶瓷電容。如圖 7 所示，較低值的高頻旁路電
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半導體渠道商：庫存降低速度慢于預期

IT之家 2 月 27 日消息，據臺灣地區經(jīng)濟日報報道，半導體庫存問(wèn)題不僅 IC 設計廠(chǎng)商需要面對，下游 IC 渠道商為顧及長(cháng)期合作關(guān)系，也常要與芯片原廠(chǎng)“共渡難關(guān)”。即便目前陸續傳出部分芯片有小量急單需求，有 IC 渠道廠(chǎng)商坦言，目前庫存去化速度還是比原本估計慢。IC 渠道廠(chǎng)商分析，市場(chǎng)目前的短單是否是曇花一現，通貨膨脹、美聯(lián)儲加息狀況、俄烏沖突以及國內是否會(huì )有報復性買(mǎi)盤(pán)需求等是觀(guān)察重點(diǎn)。不具名的 IC 渠道廠(chǎng)商透露，目前庫存去化狀況不如預期，假設原本估計的庫存去化速度是進(jìn) 0.5 個(gè)月的貨，
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基于 Richtek RT5047GSP 在于 LNB/LNBF 10W電源方案

小耳朵衛星天線(xiàn),在于一些偏遠地區常見(jiàn),用于收看衛星電視節目,由于衛星電視的信號非常微弱，所以我們需要一個(gè)拋物面天線(xiàn)來(lái)聚焦信號，還需要一個(gè)高頻頭，也稱(chēng)為L(cháng)NB或LNBF，通常LNB和饋源安裝在天線(xiàn)的焦點(diǎn)上來(lái)收集信號。LNB又叫高頻頭(Low Noise Block)，即低噪聲下變頻器，其功能是將由饋源傳送的衛星信號經(jīng)過(guò)放大和下變頻，把Ku或C波段信號變成L波段，經(jīng)同軸電纜傳送給衛星接收機,每只LNB只能用于某一波段，因為S、C和KU波段需要不同的波導管。也有一些類(lèi)型是用于圓極化和線(xiàn)極化信號接收的，它們主要在
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氮化鎵GaN驅動(dòng)器的PCB設計策略概要

NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動(dòng)器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動(dòng)氮化鎵（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“GaN”）功率開(kāi)關(guān)。只有合理設計能夠支持這種功率開(kāi)關(guān)轉換的印刷電路板 (PCB) ，才能實(shí)現實(shí)現高電壓、高頻率、快速dV/dt邊沿速率開(kāi)關(guān)的全部性能優(yōu)勢。本文將簡(jiǎn)單介紹NCP51820及利用 NCP51820 設計高性能 GaN 半橋柵極驅動(dòng)電路的 PCB 設計要點(diǎn)。NCP51820 是一款全功能專(zhuān)用驅動(dòng)器，為充分發(fā)揮高電子遷移率晶體管 (HEMT) GaNFET 的開(kāi)關(guān)性能而
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納芯微新品，專(zhuān)門(mén)用于驅動(dòng)E?mode（增強型）GaN 開(kāi)關(guān)管的半橋芯片NSD2621

前言現階段的大多數 GaN 電源系統都是由多個(gè)芯片組成。GaN 器件在電路板上組裝前采用分立式的元件組裝會(huì )產(chǎn)生寄生電感，從而影響器件的性能。例如驅動(dòng)器會(huì )在單獨的芯片上帶有驅動(dòng)器的分立晶體管，受到驅動(dòng)器輸出級和晶體管輸入之間以及半橋開(kāi)關(guān)節點(diǎn)之間的寄生電感的影響，同時(shí)GaN HEMT 具有非常高的開(kāi)關(guān)速度，如果寄生電感未被抑制，將會(huì )導致信號傳輸的波動(dòng)。近日，納芯微推出了兩款全新的GaN相關(guān)產(chǎn)品，分別是GaN驅動(dòng)NSD2621，一顆高壓半橋柵極驅動(dòng)芯片，專(zhuān)門(mén)用于驅動(dòng)E?mode（增強型）GaN 開(kāi)關(guān)管；集成化的
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納芯微全新推出GaN相關(guān)產(chǎn)品NSD2621和NSG65N15K

納芯微全新推出GaN相關(guān)產(chǎn)品，包含GaN驅動(dòng)NSD2621與集成化的Power Stage產(chǎn)品NSG65N15K，均可廣泛適用于快充、儲能、服務(wù)器電源等多種GaN應用場(chǎng)景。其中，NSD2621是一顆高壓半橋柵極驅動(dòng)芯片，專(zhuān)門(mén)用于驅動(dòng)E?mode（增強型）GaN 開(kāi)關(guān)管；NSG65N15K是一顆集成化的Power Stage產(chǎn)品，內部集成了高壓半橋驅動(dòng)器和兩顆650V耐壓的GaN開(kāi)關(guān)管。NSD2621產(chǎn)品特性： 01. SW引腳耐壓±700V 02. 峰值驅動(dòng)電流2A/-4A 03.&n
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