gan ic 文章進(jìn)入gan ic技術(shù)社區

殺入新能源汽車(chē)市場(chǎng)的GaN，勝算幾何？

在電力電子應用中，為了滿(mǎn)足更高能效和更高開(kāi)關(guān)頻率的要求，功率密度正在成為關(guān)鍵的指標之一?；诠瑁⊿i）的技術(shù)日趨接近發(fā)展極限，高頻性能和能量密度不斷下降，功率半導體材料也在從第一代的硅基材料發(fā)展到第二代的砷化鎵后，正式開(kāi)啟了第三代寬禁帶技術(shù)如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的應用之門(mén)。SiC的耐高壓能力是硅的10倍，耐高溫能力是硅的2倍，高頻能力是硅的2倍。相同電氣參數產(chǎn)品，采用SiC材料可縮小體積50%，降低能量損耗80%。同樣，GaN也有著(zhù)許多出色的性能，它的帶隙為3.2eV，幾乎比硅的1.1eV帶
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東芝級聯(lián)共源共柵技術(shù)解決 GaN 應用的痛點(diǎn)

和傳統的硅功率半導體相比，GaN（氮化鎵）和 SiC（碳化硅）有著(zhù)更高的電壓能力、更快的開(kāi)關(guān)速度、更高的工作溫度、更低導通電阻、功率耗散小、能效高等共同的優(yōu)異的性能 , 是近幾年來(lái)新興的半導體材料。但他們也存在著(zhù)各自不同的特性，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，GaN 的開(kāi)關(guān)速度比 SiC 快，SiC 工作電壓比 GaN 更高。GaN 的寄生參數極小，開(kāi)關(guān)速度極高，比較適合高頻應用，例如：電動(dòng)汽車(chē)的 DC-DC（直流 - 直流）轉換電路、OBC（車(chē)載充電）、低功率開(kāi)關(guān)電源以及蜂窩基站功率放大器、雷達、衛星發(fā)射器和通用射頻放大
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西門(mén)子推出 Symphony Pro 平臺，大幅擴展混合信號 IC 驗證能力

· 西門(mén)子先進(jìn)的混合信號仿真平臺可加速混合信號驗證，助力提升生產(chǎn)效率多達10倍· Symphony Pro 支持 Accellera 和其他先進(jìn)的數字驗證方法學(xué)，適用于當今前沿的混合信號設計西門(mén)子數字化工業(yè)軟件近日推出　Symphony? Pro 平臺，基于原有的　Symphony 混合信號驗證能力，進(jìn)一步擴展功能，以全面、直觀(guān)的可視化調試集成環(huán)境支持新的Accellera 標準化驗證方法學(xué)，使得生產(chǎn)效率比傳統解決方案提升
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Transphorm的表面貼裝封裝產(chǎn)品系列增加行業(yè)標準TO-263 (D2PAK)封裝產(chǎn)品，擴大SuperGaN平臺的優(yōu)勢

高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產(chǎn)品的先鋒和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今天宣布，新增的TP65H050G4BS器件擴充了其表面貼裝封裝產(chǎn)品系列。這款全新高功率表面貼裝器件(SMD)是一款采用TO-263 (D2PAK) 封裝的650V SuperGaN?場(chǎng)效應晶體管 (FET)，典型導通阻抗為50mOhm。TP65H050G4BS是Transphorm的第七款SMD，豐富了目前面向中低功率應用的PQFN器件。TP65H050G4BS通過(guò)了J
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打造驅動(dòng)第三代功率半導體轉換器的IC生態(tài)系統

受訪(fǎng)人：亞德諾半導體　　大規模數據中心、企業(yè)服務(wù)器和5G電信基站、電動(dòng)汽車(chē)充電站、新能源等基礎設施的廣泛部署使得功耗快速增長(cháng)，因此高效AC/DC電源對于電信和數據通信基礎設施的發(fā)展至關(guān)重要。近年來(lái)，以氮化鎵(GaN)和碳化硅（SiC）晶體管為代表的第三代功率器件已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開(kāi)關(guān)，從而可提高能源轉換效率和密度。新型和未來(lái)的SiC/GaN功率開(kāi)關(guān)將會(huì )給方方面面帶來(lái)巨大進(jìn)步，其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實(shí)現更緊湊、更具成本效益的功率應用。好馬
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東芝級聯(lián)共源共柵技術(shù)解決GaN應用痛點(diǎn)

受訪(fǎng)人：黃文源東芝電子元件（上海）有限公司半導體技術(shù)統括部技術(shù)企劃部高級經(jīng)理1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據其不同的特性，分別適用在哪些應用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？　　回答：自從半導體產(chǎn)品面世以來(lái)，硅一直是半導體世界的代名詞。但是，近些年，隨著(zhù)化合物半導體的出現，這種情況正在被逐漸改變。通常，半導體業(yè)界將硅（Si）作為第一代半導體的代表，將砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)作為第二代半導體的
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第三代半導體市場(chǎng)的“互補共生”

　　受訪(fǎng)人：Robert Taylor是德州儀器(TI)系統工程營(yíng)銷(xiāo)組的應用經(jīng)理，負責工業(yè)和個(gè)人電子市場(chǎng)的定制電源設計。他的團隊每年負責500項設計，并在過(guò)去20年中設計了15000個(gè)電源。Robert于2002年加入TI，大部分時(shí)間都在擔任各種應用的電源設計師。Robert擁有佛羅里達大學(xué)的電氣工程學(xué)士學(xué)位和碩士學(xué)位。1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據其不同的特性，分別適用在哪些應用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？　
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TrendForce：預計第三季度驅動(dòng) IC 價(jià)格降幅將擴大至 8%-10%

IT之家 7 月 15 日消息，TrendForce 集邦咨詢(xún)報告顯示，在供需失衡、庫存高漲的狀況下，預計第三季度驅動(dòng) IC 的價(jià)格降幅將擴大至 8%-10% 不等，且不排除將一路跌至年底。IT之家了解到，TrendForce 集邦咨詢(xún)進(jìn)一步表示，中國面板驅動(dòng) IC 供貨商為了鞏固供貨動(dòng)能，更愿意配合面板廠(chǎng)的要求，價(jià)格降幅可達到 10%-15%。報告指出，在需求短期間難以好轉下，面板驅動(dòng) IC 價(jià)格不排除將持續下跌，且有極大可能會(huì )比預估的時(shí)間更早回到 2019 年的起漲點(diǎn)。此外，TrendFor
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GaN是否具有可靠性？或者說(shuō)我們能否如此提問(wèn)？

鑒于氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術(shù)之前，您可能仍然會(huì )好奇GaN是否具有可靠性。令我驚訝的是，沒(méi)有人詢(xún)問(wèn)硅是否具有可靠性。畢竟仍然有新的硅產(chǎn)品不斷問(wèn)世，電源設計人員對硅功率器件的可靠性也很關(guān)心。事實(shí)上，GaN行業(yè)已經(jīng)在可靠性方面投入了大量精力和時(shí)間。而人們對于硅可靠性方面的問(wèn)題措辭則不同，比如“這是否通過(guò)了鑒定？”盡管GaN器件也通過(guò)了硅鑒定，但電源制造商仍不相信采用硅方法可以確保GaN FET的可靠性。這是一個(gè)合理的觀(guān)點(diǎn)，因
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無(wú)毛刺監控器IC不再只是一個(gè)概念

可靠的電壓監控器IC始終是工業(yè)界的行業(yè)需求，因為它可以提高系統可靠性，并在電壓瞬變和電源故障時(shí)提升系統性能。半導體制造商也在不斷提高電壓監控器IC的性能。監控器IC需要一個(gè)稱(chēng)為上電復位（VPOR）的最低電壓來(lái)生成明確或可靠的復位信號，而在該最低電源電壓到來(lái)之前，復位信號的狀態(tài)是不確定的。一般來(lái)說(shuō)，我們將其稱(chēng)之為復位毛刺。復位引腳主要有兩種不同的拓撲結構，即開(kāi)漏和推挽（圖1），兩種拓撲結構都使用NMOS作為下拉MOSFET。圖1. 復位拓撲的開(kāi)漏配置和推挽配置圖2. 復位電壓如何與上拉電壓（VPULLUP）
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破解SiC、GaN柵極動(dòng)態(tài)測試難題的魔法棒 — 光隔離探頭

SiC、GaN 作為最新一代功率半導體器件具有遠優(yōu)于傳統 Si 器件的特性，能夠使得功率變換器獲得更高的效率、更高的功率密度和更低的系統成本。但同時(shí)，SiC、GaN極快的開(kāi)關(guān)速度也給工程師帶來(lái)了使用和測量的挑戰，稍有不慎就無(wú)法獲得正確的波形，從而嚴重影響到器件評估的準確、電路設計的性能和安全、項目完成的速度。SiC、GaN動(dòng)態(tài)特性測量中，最難的部分就是對半橋電路中上橋臂器件驅動(dòng)電壓VGS的測量，包括兩個(gè)部分：開(kāi)關(guān)過(guò)程和Crosstalk。此時(shí)是無(wú)法使用無(wú)源探頭進(jìn)行測量的，這會(huì )導致設備和人員危險，同時(shí)還會(huì )由
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imec首度展示晶背供電邏輯IC布線(xiàn)方案推動(dòng)2D/3D IC升級

比利時(shí)微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年IEEE國際超大規模集成電路技術(shù)研討會(huì )（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC布線(xiàn)方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）結構，將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上。微縮化的鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）透過(guò)這些埋入式電源軌（BPR）實(shí)現互連，性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過(guò)奈米硅穿孔（nTSV）與埋入式電源軌（BPR）連接至晶圓背面，與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對
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2021-2022年度（第五屆）中國 IC 獨角獸榜單出爐

集成電路是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心，是支撐經(jīng)濟社會(huì )發(fā)展和保障國家安全的戰略性、基礎性和先導性產(chǎn)業(yè)，是世界主要國家和地區搶占工業(yè)經(jīng)濟制高點(diǎn)的必爭領(lǐng)域。為了進(jìn)一步鼓勵我國具有市場(chǎng)競爭實(shí)力和投資價(jià)值的集成電路企業(yè)健康快速發(fā)展，進(jìn)一步總結企業(yè)發(fā)展的成功模式，挖掘我國集成電路領(lǐng)域的優(yōu)秀創(chuàng )新企業(yè)，對優(yōu)秀企業(yè)進(jìn)行系統化估值，提升企業(yè)的國際和國內影響力。在連續成功舉辦四屆遴選活動(dòng)的基礎上，由賽迪顧問(wèn)股份有限公司、北京芯合匯科技有限公司聯(lián)合主辦的2021-2022（第五屆）中國IC獨角獸遴選活動(dòng)歷時(shí)兩個(gè)月，收到企業(yè)自薦及機構推薦
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GaN Systems HD半橋雙極驅動(dòng)開(kāi)關(guān)評估板在貿澤開(kāi)售

提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷(xiāo)商貿澤電子 (Mouser Electronics, Inc.) 即日起開(kāi)始分銷(xiāo)GaN Systems的GS-EVB-HB-0650603B-HD半橋雙極驅動(dòng)開(kāi)關(guān)評估板。這種緊湊的氮化鎵 (GaN) 增強模式 (e-mode) 半橋評估板性能優(yōu)異，同時(shí)減少了組件總數，節省了寶貴的電路板空間。貿澤電子分銷(xiāo)的GaN Systems GS-EVB-HB-0650603B-HD板具有兩個(gè)HEY1011-L12C GaN FET驅動(dòng)器和兩
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Qorvo 助力簡(jiǎn)化 GaN PA 偏置

移動(dòng)應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應商 Qorvo?, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布推出 ACT41000-104-REF1，這是一款 GaN 功率放大器 (PA) 偏置參考設計，可加強 Qorvo GaN PA 的設計與測試。GaN 器件是耗盡型 FET，運行時(shí)需要施加負柵極電壓。在使用 GaN PA 的系統中，需要以特定的順序進(jìn)行偏置：提高漏極偏置電壓之前，必須施加負柵極電壓，以保護器件免受損壞。Qorvo 的 ACT41000-104-REF1 內置可配置
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