EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
gan hemt
gan hemt 文章 進(jìn)入gan hemt技術(shù)社區
ST：發(fā)展碳化硅技術(shù) 關(guān)鍵在掌控整套產(chǎn)業(yè)鏈
- 電源與能源管理對人類(lèi)社會(huì )未來(lái)的永續發(fā)展至關(guān)重要。意法半導體汽車(chē)和離散組件產(chǎn)品部（ADG）執行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI指出，由于全球能源需求正在不斷成長(cháng)，我們必須控制碳排放，并將氣溫上升控制在1.5度以下，減排對此非常重要，但要實(shí)現這些要有科技的支持，包括可再生能源的利用，ST對此也有制定一些具體的目標。 意法半導體汽車(chē)和離散組件產(chǎn)品部（ADG）執行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI僅就工業(yè)領(lǐng)域來(lái)說(shuō)，如果能將電力利用效率提升1%，就能節省95.
- 關(guān)鍵字： ST GaN SiC
安森美剝離晶圓制造廠(chǎng)達成最終協(xié)議改善成本結構
- 安森美（onsemi）正在執行其fab-liter制造戰略，最終目標是透過(guò)擴大毛利率實(shí)現可持續的財務(wù)業(yè)績(jì)。安森美於上周簽署一份最終協(xié)議，將剝離其在美國緬因州南波特蘭的工廠(chǎng)。隨著(zhù)將生產(chǎn)轉移到其全球制造網(wǎng)絡(luò )內更高效的晶圓廠(chǎng)，安森美將透過(guò)消除與已出售晶圓廠(chǎng)相關(guān)的固定成本和降低公司的制造單位成本來(lái)改善成本結構。安森美總裁兼首席執行官Hassane El-Khoury表示：「該擬議的資產(chǎn)剝離表明我們正在實(shí)現優(yōu)化的制造網(wǎng)路，同時(shí)為我們的客戶(hù)提供長(cháng)期的供應保證。這些交易為受影響工廠(chǎng)的員工提供了持續的就業(yè)和發(fā)展機
- 關(guān)鍵字： 安森美 晶圓制造廠(chǎng) GaN
基于GaN的高功率密度快充正快速成長(cháng)
- 1? ?看好哪類(lèi)GaN功率器件的市場(chǎng)？2020—2021 年硅基氮化鎵（GaN）開(kāi)關(guān)器件的商用化進(jìn)程和5 年前（編者注：指2016 年）市場(chǎng)的普遍看法已經(jīng)發(fā)生了很大的變化，其中有目共睹的是基于氮化鎵件的高功率密度快充的快速成長(cháng)。這說(shuō)明影響新材料市場(chǎng)發(fā)展的，技術(shù)只是眾多因素當中的1 個(gè)。我個(gè)人看好的未來(lái)5 年（編者注：指2022—2027 年）的氮化鎵應用，包括：快充、服務(wù)器/ 通信電源、電機驅動(dòng)、工業(yè)電源、音響、無(wú)線(xiàn)充電、激光雷達等，其中快充會(huì )繼續引領(lǐng)氮化鎵開(kāi)關(guān)器件的市場(chǎng)成長(cháng)。相對于硅
- 關(guān)鍵字： 202201 GaN 英飛凌
GaN功率芯片走向成熟，納微GaNSense開(kāi)啟智能集成時(shí)代
- GaN（氮化鎵）作為新興的第三代寬禁帶半導體材料，以高頻、高壓等為特色。但是長(cháng)期以來(lái)，在功率電源領(lǐng)域，處于常規的Si（硅）和熱門(mén)的SiC（碳化硅）應用夾縫之間。GaN產(chǎn)品的市場(chǎng)前景如何？GaN技術(shù)有何新突破？不久前，消費類(lèi)GaN（氮化鎵）功率解決方案供應商——納微半導體宣布推出全球首款智能GaNFast?功率芯片，采用了專(zhuān)利的GaNSense?技術(shù)。值此機會(huì )，電子產(chǎn)品世界的記者采訪(fǎng)了銷(xiāo)售營(yíng)運總監李銘釗、高級應用總監黃秀成、高級研發(fā)總監徐迎春。圖 從左至右：納微半導體級的高級應用總監黃秀成、銷(xiāo)售營(yíng)運總監李銘
- 關(guān)鍵字： GaN 集成 202201
蘋(píng)果證實(shí)：新上架的 140W 電源適配器為其首款 GaN 充電器
- 10月19日消息，據The Verge報道，蘋(píng)果公司向其證實(shí)，新上架的140W USB-C電源適配器是蘋(píng)果首款GaN充電器?！ ∨c傳統充電器相比，GaN充電器的更小、更輕，同時(shí)支持大功率?！ 〈送?，蘋(píng)果公司還確認，140W電源適配器支持USB-C Power Delivery 3.1標準，這意味著(zhù)該充電器可以為其他支持該標準的設備充電?！ ⌒碌?40W USB-C電源適配器和新款MagSafe連接線(xiàn)現已在蘋(píng)果中國官網(wǎng)上架?！ ∑渲?，140W USB-C電源適配器的價(jià)格為729元，USB-C轉MagSa
- 關(guān)鍵字： 蘋(píng)果 電源適配器 GaN 充電器
InnoSwitch3-PD——尋求極致充電器功率密度
- 2021年9月21日Power Integrations推出適用于USB Type-C、USB功率傳輸(PD)和USB數字控制電源(PPS)適配器應用的集成度一流的解決方案——InnoSwitch?3-PD系列IC。本次InnoSwitch?3-PD電源解決方案的亮點(diǎn)在于它是唯一的USB PD單芯片解決方案，不僅繼承了InnoSwitch3系列效率極高、低空載功耗、完善的保護等卓越性能，同時(shí)還能顯著(zhù)減少BOM，非常適合要求具備超薄小巧外形的應用設計?！ ⌒翴C采用超薄InSOP?-24D封裝，內部集成
- 關(guān)鍵字： PI InnoSwitch?3-PD GaN
集邦咨詢(xún)：新能源車(chē)需求助攻GaN功率元件
- TrendForce集邦咨詢(xún)表示，2021年隨著(zhù)各國于5G通訊、消費性電子、工業(yè)能源轉換及新能源車(chē)等需求拉升，驅使如基站、能源轉換器(Converter)及充電樁等應用需求大增，使得第三代半導體GaN及SiC元件及模組需求強勁。其中，以GaN功率元件成長(cháng)幅度最高，預估今年營(yíng)收將達8,300萬(wàn)美元，年增率高達73%。據TrendForce集邦咨詢(xún)研究，GaN功率元件，其主要應用大宗在于消費性產(chǎn)品，至2025年市場(chǎng)規模將達8.5億美元，年復合成長(cháng)率高達78%。前三大應用占比分別為消費性電子60%、新能源車(chē)20
- 關(guān)鍵字： 新能源車(chē) GaN 功率元件
ST和Exagan攜手開(kāi)啟GaN發(fā)展新章節
- 氮化鎵（GaN）是一種III／V族寬能隙化合物半導體材料，能隙為3.4eV，電子遷移率為1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率則分別為1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此，GaN的固有特性，讓組件具有更高的擊穿電壓和更低的通態(tài)電阻，亦即相較于同尺寸的硅基組件，GaN可處理更大的負載、效能更高，而且物料清單成本更低。在過(guò)去的十多年里，產(chǎn)業(yè)專(zhuān)家和分析人士一直在預測，GaN功率開(kāi)關(guān)組件的黃金時(shí)期即將到來(lái)。相較于應用廣泛的MOSFET硅功率組件，GaN功率組件具備更高的效率和更強的功耗處理能力，這
- 關(guān)鍵字： ST Exagan GaN
德州儀器宣布與中車(chē)株洲所簽署升級聯(lián)合設計實(shí)驗室合作備忘錄
- 德州儀器(TI)今日宣布與中國領(lǐng)先的軌道交通設備制造商中車(chē)株洲電力機車(chē)研究所有限公司（后簡(jiǎn)稱(chēng)“株洲所”）簽署諒解備忘錄，升級共同運營(yíng)的聯(lián)合設計實(shí)驗室，實(shí)現更廣泛、更深層次的合作。此次合作旨在幫助中車(chē)株洲所運用TI廣泛的模擬和嵌入式處理產(chǎn)品和技術(shù)，加速包括軌道交通，電動(dòng)汽車(chē)等方面的應用設計以助力中國新基建關(guān)鍵領(lǐng)域建設。合作還將拓展至太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源方面的應用，以響應中國在2060年實(shí)現碳中和的宏偉目標。德州儀器(TI)與中車(chē)株洲電力機車(chē)研究所合作備忘錄簽約儀式“新基建將推動(dòng)中國城際軌道交通系統的快速
- 關(guān)鍵字： 德州儀器 GaN
Nexperia第二代650 V氮化鎵場(chǎng)效應管使80 PLUS?鈦金級電源可在2 kW或更高功率下運行
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開(kāi)始批量供貨。與之前的技術(shù)和競爭對手器件相比，新款器件具有顯著(zhù)的性能優(yōu)勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)，特別是必須滿(mǎn)足80 PLUS?鈦金級效率認證的服務(wù)器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內的太陽(yáng)能逆變器和伺服驅動(dòng)器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
- 關(guān)鍵字： Nexperia MOSFET GaN
砥礪前行，推進(jìn)半導體產(chǎn)業(yè)的“芯”潮
- 南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院擁有未來(lái)通信集成電路教育部工程研究中心以及深圳市第三代半導體器件重點(diǎn)實(shí)驗室，圍繞中國半導體產(chǎn)業(yè)鏈，培養工程專(zhuān)業(yè)人才，搭建跨國跨區域的校企合作與人才教育平臺，建立以工程創(chuàng )新能力為核心指標的多元化機制，致力于對大灣區乃至全國的集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供強有力的支撐作用。其科研成果、產(chǎn)業(yè)推廣和人才培養成績(jì)斐然，在國產(chǎn)芯片發(fā)展浪潮中引人矚目。
- 關(guān)鍵字： 集成電路 微電子 氮化鎵器件 寬禁帶 IC GaN 202103
gan hemt介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條gan hemt!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對gan hemt的理解，并與今后在此搜索gan hemt的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對gan hemt的理解，并與今后在此搜索gan hemt的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
gan hemt電路
gan hemt相關(guān)帖子
gan hemt資料下載
gan hemt專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473