gan hemt 文章進(jìn)入gan hemt技術(shù)社區

中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)南方基地正式落戶(hù)東莞

　　中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)南方基地(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“南方基地”)正式落戶(hù)東莞。9月30日，中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)南方基地項目啟動(dòng)發(fā)布會(huì )在東莞召開(kāi)。國家科技部原副部長(cháng)、國家第三代半導體產(chǎn)業(yè)決策委員會(huì )主任曹健林，廣東省副省長(cháng)袁寶成、省科技廳廳長(cháng)黃寧生，市委副書(shū)記、市長(cháng)梁維東，國家第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng )新戰略聯(lián)盟理事長(cháng)吳玲等領(lǐng)導出席中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)南方基地項目啟動(dòng)發(fā)布會(huì )并見(jiàn)證簽約儀式。　　副市長(cháng)楊曉棠，市政府黨組成員、松山湖管委會(huì )主任殷煥明等參加了啟動(dòng)儀式。　　為廣東實(shí)現半導體產(chǎn)業(yè)化提
關(guān)鍵字：半導體 GaN

Dialog加入功率元件市場(chǎng)戰局 GaN應用成長(cháng)可期

　　隨著(zhù)去年Dialog取得了臺灣敦宏科技40%的股份后，國際Fabless業(yè)者Dialog于今日又有重要動(dòng)作。此次的重大發(fā)布是與晶圓代工龍頭臺積電(TSMC)在GaN(氮化鎵)元件的合作。　　　　Dialog企業(yè)發(fā)展及策略資深副總裁Mark Tyndall 　　透過(guò)臺積電以六寸晶圓廠(chǎng)的技術(shù)，Dialog推出了DA8801，Dialog企業(yè)發(fā)展及策略資深副總裁Mark Tyndall在會(huì )后接受CTIMES采訪(fǎng)時(shí)表示，該款元件為目前產(chǎn)業(yè)界首款將邏輯元件與GaN FET整合為單一
關(guān)鍵字： Dialog GaN

以GaN打造的功率放大器為5G鋪路

　　德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所(Fraunhofer IAF)近日開(kāi)發(fā)出實(shí)現5G網(wǎng)路不可或缺的建構模組：以氮化鎵(GaN)技術(shù)制造的高功率放大器電晶體... 　　下一代行動(dòng)無(wú)線(xiàn)網(wǎng)路——5G，將為需要極低延遲的間和/或高達10Gbps資料傳輸速率的創(chuàng )新應用提供平臺。德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所(Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics，Fraunhofer IAF)近日開(kāi)發(fā)出實(shí)現5G網(wǎng)路不可或缺的一種建構模組
關(guān)鍵字： GaN 5G

GaN、SiC功率元件帶來(lái)更輕巧的世界

　　眾人皆知，由于半導體制程的不斷精進(jìn)，數位邏輯晶片的電晶體密度不斷增高，運算力不斷增強，使運算的取得愈來(lái)愈便宜，也愈來(lái)愈輕便，運算力便宜的代表是微電腦、個(gè)人電腦，而輕便的成功代表則是筆電、智慧型手機、平板。　　 ? 　　GaN、SiC、Si電源配接電路比較圖 (source：www.nedo.go.jp) 　　不過(guò)，姑且不論摩爾定律(Moors’ Law)能否持續下去，有些電子系統的輕便度仍待改進(jìn)提升，例如筆電出門(mén)經(jīng)常要帶著(zhù)一個(gè)厚重占體積的電源配接器(Power Ad
關(guān)鍵字： GaN SiC

諾貝爾獎后日本GaN產(chǎn)學(xué)應用新動(dòng)態(tài)

　　當諾貝爾獎委員會(huì )在2014年宣布物理獎得主是發(fā)明藍光LED而得獎的日本學(xué)者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學(xué)者后，掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關(guān)研究單位及研究計劃獲得更多的支持與關(guān)注。　　比方2015年以諾貝爾獎得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學(xué)GaN聯(lián)盟，便有29家企業(yè)、14所大學(xué)、與2個(gè)技術(shù)研發(fā)基金會(huì )加入;日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)總和研究所(AIST)與名古屋大學(xué)(NagoyaUniversity)合作，在2016年成立產(chǎn)總研名大氮化鎵半導體先進(jìn)零組件開(kāi)創(chuàng )研究實(shí)驗室(GaN-OIL)，都是
關(guān)鍵字： GaN LED

諾貝爾獎后　日本GaN產(chǎn)學(xué)應用新動(dòng)態(tài)

　　當諾貝爾獎委員會(huì )在2014年宣布物理獎得主是發(fā)明藍光LED而得獎的日本學(xué)者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學(xué)者后，掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關(guān)研究單位及研究計劃獲得更多的支持與關(guān)注。　　比方2015年以諾貝爾獎得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學(xué)GaN聯(lián)盟，便有29家企業(yè)、14所大學(xué)、與2個(gè)技術(shù)研發(fā)基金會(huì )加入;日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)總和研究所(AIST)與名古屋大學(xué)(Nagoya University)合作，在2016年成立產(chǎn)總研名大氮化鎵半導體先進(jìn)零組件開(kāi)創(chuàng )研究實(shí)驗室(GaN-OIL)，都
關(guān)鍵字： GaN 藍光LED

我國發(fā)展化合物半導體產(chǎn)業(yè)正當時(shí)

當前，全球半導體產(chǎn)業(yè)正處于深度變革，化合物半導體成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展新的關(guān)注點(diǎn)，我國應加緊產(chǎn)業(yè)布局，搶占發(fā)展的主動(dòng)權。
關(guān)鍵字： GaAs GaN

臺積電發(fā)力“硅基氮化鎵”元件受托業(yè)務(wù)

　　臺灣臺積電(TSMC)在“ISPSD 2016”上公開(kāi)了受托生產(chǎn)服務(wù)的藍圖及試制元件的特性等。該公司將采用在直徑150mm(6英寸)的硅基板上形成GaN層的“硅基氮化鎵”(GaN on Si)技術(shù)生產(chǎn)GaN晶體管。　　臺積電打算開(kāi)展受托生產(chǎn)的GaN晶體管有三種類(lèi)型：(1)常開(kāi)型(Normal On)MISFET、(2)常開(kāi)型HEMT、(3)常關(guān)型(Normal Off)。按耐壓高低來(lái)分有40V、100V和650V產(chǎn)品。　　其中，耐壓650V的常關(guān)
關(guān)鍵字：臺積電 GaN

Qorvo 新款GaN 50V 晶體管可大幅提升系統功率性能

　　移動(dòng)應用、基礎設施與航空航天、國防等應用中領(lǐng)先的RF解決方案供應商Qorvo, Inc.今日宣布，推出六款全新50V氮化鎵(GaN)晶體管---QPD1009和QPD1010，以及QPD1008(L)和QPD1015(L)，專(zhuān)門(mén)設計用于優(yōu)化商業(yè)用雷達、通信系統及航空電子應用的功率性能。　　Qorvo 國防與航空航天產(chǎn)品總經(jīng)理Roger Hall表示：“全新50V GaN晶體管系列通過(guò)提供更高功率增益和功率附加效率來(lái)提升系統性能。Qorvo可以更好地實(shí)現相位陣列雷達等先進(jìn)設備的要求，提供
關(guān)鍵字： Qorvo GaN

基于GaN FET的CCM圖騰柱無(wú)橋PFC

　　氮化鎵 (GaN) 技術(shù)由于其出色的開(kāi)關(guān)特性和不斷提升的品質(zhì)，近期逐漸得到了電力轉換應用的青睞。具有低寄生電容和零反向恢復的安全GaN可實(shí)現更高的開(kāi)關(guān)頻率和效率，從而為全新應用和拓撲選項打開(kāi)了大門(mén)。連續傳導模式 (CCM)圖騰柱PFC就是一個(gè)得益于GaN優(yōu)點(diǎn)的拓撲。與通常使用的雙升壓無(wú)橋PFC拓撲相比，CCM圖騰柱無(wú)橋PFC能夠使半導體開(kāi)關(guān)和升壓電感器的數量減半，同時(shí)又能將峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉區域內出現電流尖峰的根本原因，并給出了相應的解決方案。一個(gè)750W圖騰柱PFC原型機被
關(guān)鍵字： GaN PFC

TI的600V GaN FET功率級革命性地提升高性能電力轉換效能

　　基于數十年的電源管理創(chuàng )新經(jīng)驗，德州儀器(TI)近日宣布推出一款600V氮化鎵(GaN)70 mù場(chǎng)效應晶體管(FET)功率級工程樣片，從而使TI成為首家，也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅動(dòng)器的GaN解決方案的半導體廠(chǎng)商。與基于硅材料FET的解決方案相比，這款全新的12A LMG3410功率級與TI的模擬與數字電力轉換控制器組合在一起，能使設計人員創(chuàng )造出尺寸更小、效率更高并且性能更佳的設計。而這些優(yōu)勢在隔離式高壓工業(yè)、電信、企業(yè)計算和可再生能源應用中都特別重要。如需了解更多信息
關(guān)鍵字： TI GaN

安森美半導體推進(jìn)更快、更智能和更高能效的GaN晶體管

　　氮化鎵(GaN)是一種新興的半導體工藝技術(shù)，提供超越硅的多種優(yōu)勢，被稱(chēng)為第三代半導體材料，用于電源系統的設計如功率因數校正(PFC)、軟開(kāi)關(guān)DC-DC、各種終端應用如電源適配器、光伏逆變器或太陽(yáng)能逆變器、服務(wù)器及通信電源等，可實(shí)現硅器件難以達到的更高電源轉換效率和更高的功率密度水平，為開(kāi)關(guān)電源和其它在能效及功率密度至關(guān)重要的應用帶來(lái)性能飛躍?！　aN的優(yōu)勢　　從表1可見(jiàn)，GaN具備出色的擊穿能力、更高的電子密度及速度，和更高的工作溫度。GaN提供高電子遷移率，這意味著(zhù)開(kāi)關(guān)過(guò)程的反向恢復時(shí)間可忽略不計
關(guān)鍵字：安森美 GaN

英國專(zhuān)家用半極性GaN生長(cháng)高效益LED

　　英國雪菲爾大學(xué)(SheffieldUniversity)的一支研究團隊最近在《應用物理學(xué)快報》(AppliedPhysicsLetter)期刊上發(fā)布在半極性氮化鎵(GaN)或藍寶石基材上生長(cháng)LED的最新成果。　　利用在M-Plane藍寶石基板上生長(cháng)的GaN制造的微柱陣列模板，研究人員能在其上過(guò)度生長(cháng)的半極性GaN(11-22)上生長(cháng)出具有更高量子效益的LED。　　相較于在C-Plane藍寶石基板上生長(cháng)的商用LED，該研究團隊在半極性材料上所生長(cháng)的綠光LED顯示發(fā)光波長(cháng)的藍位移隨著(zhù)驅動(dòng)電流增加而
關(guān)鍵字： GaN LED

英國專(zhuān)家用半極性GaN生長(cháng)高效益LED

　　英國雪菲爾大學(xué)(Sheffield University)的一支研究團隊最近在《應用物理學(xué)快報》(Applied Physics Letter)期刊上發(fā)布在半極性氮化鎵(GaN)或藍寶石基材上生長(cháng)LED的最新成果?！　±迷贛-Plane藍寶石基板上生長(cháng)的GaN制造的微柱陣列模板，研究人員能在其上過(guò)度生長(cháng)的半極性GaN(11-22)上生長(cháng)出具有更高量子效益的LED?！　∠噍^于在C-Plane藍寶石基板上生長(cháng)的商用LED，該研究團隊在半極性材料上所生長(cháng)的綠光LED顯示發(fā)光波
關(guān)鍵字： GaN LED

波音和通用實(shí)驗室研發(fā)出GaN CMOS場(chǎng)效應晶體管

　　由美國波音公司和通用汽車(chē)公司擁有的研發(fā)實(shí)驗室-HRL實(shí)驗室已經(jīng)宣布其實(shí)現互補金屬氧化物半導體(CMOS)FET技術(shù)的首次展示。該研究結果發(fā)表于2016年1月6日的inieee電子器件快報上。　　在此過(guò)程中，該實(shí)驗室已經(jīng)確定半導體的卓越晶體管性能可以在集成電路中加以利用。這一突破為氮化鎵成為目前以硅為原材料的電源轉換電路的備選技術(shù)鋪平了道路。　　氮化鎵晶體管在電源開(kāi)關(guān)和微波/毫米波應用中有出色的表現，但該潛力還未用于集成功率轉換。“除非快速切換GaN功率晶體管在電源電路中故意放緩，否
關(guān)鍵字： GaN 場(chǎng)效應晶體管