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gaa-fet 文章 進(jìn)入gaa-fet技術(shù)社區
GaN是否具有可靠性？或者說(shuō)我們能否如此提問(wèn)？
- 鑒于氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術(shù)之前，您可能仍然會(huì )好奇GaN是否具有可靠性。令我驚訝的是，沒(méi)有人詢(xún)問(wèn)硅是否具有可靠性。畢竟仍然有新的硅產(chǎn)品不斷問(wèn)世，電源設計人員對硅功率器件的可靠性也很關(guān)心。事實(shí)上，GaN行業(yè)已經(jīng)在可靠性方面投入了大量精力和時(shí)間。而人們對于硅可靠性方面的問(wèn)題措辭則不同，比如“這是否通過(guò)了鑒定？”盡管GaN器件也通過(guò)了硅鑒定，但電源制造商仍不相信采用硅方法可以確保GaN FET的可靠性。這是一個(gè)合理的觀(guān)點(diǎn)，因
- 關(guān)鍵字： GaN FET 電源 可靠性
三星公布3納米GAA架構制程技術(shù)芯片開(kāi)始生產(chǎn)
- 2022年6月30日，作為先進(jìn)的半導體技術(shù)廠(chǎng)商之一的三星電子今日宣布, 基于3納米（nm）全環(huán)繞柵極（Gate-All-AroundT,簡(jiǎn)稱(chēng) GAA）制程工藝節點(diǎn)的芯片已經(jīng)開(kāi)始初步生產(chǎn)。較三星5納米（nm）而言，優(yōu)化的3納米（nm）工藝，性能提高23%，功耗降低45%，芯片面積減少16%三星電子首次實(shí)現GAA"多橋-通道場(chǎng)效應晶體管"（簡(jiǎn)稱(chēng): MBCFETTM Multi-Bridge-Channel FET）應用打破了FinFET技術(shù)的性能限制，通過(guò)降低工作電壓水平來(lái)提高
- 關(guān)鍵字： 三星 3納米 GAA
貿澤備貨UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET，為各類(lèi)電源應用提供更好的支持
- 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷(xiāo)商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開(kāi)始分銷(xiāo)UnitedSiC（現已被Qorvo?收購）的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作為廣泛的高性能SiC FET系列產(chǎn)品，此第四代器件具有出色的導通電阻特性，適用于主流800V總線(xiàn)架構中的電源解決方案，如電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC-DC太陽(yáng)能逆變器等應用。?貿澤電子分銷(xiāo)的UF4C/SC SiC FET為設計人員提供了
- 關(guān)鍵字： SiC FET
UnitedSiC(現已被Qorvo收購)宣布推出行業(yè)先進(jìn)的高性能1200V第四代SiC FET
- 移動(dòng)應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場(chǎng)效應晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線(xiàn)架構，這種架構常見(jiàn)于電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽(yáng)能逆變器、焊接機、不間斷電源和感應加熱等應用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示：“我們通過(guò)
- 關(guān)鍵字： Mentor P Qorvo SiC FET
UnitedSiC(現已被 Qorvo收購)宣布推出行業(yè)先進(jìn)的高性能 1200 V第四代SiC FET
- 移動(dòng)應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場(chǎng)效應晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線(xiàn)架構，這種架構常見(jiàn)于電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽(yáng)能逆變器、焊接機、不間斷電源和感應加熱等應用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示：“我們通過(guò)
- 關(guān)鍵字： SiC FET
采用SiC FET盡可能提升圖騰柱PFC級的能效
- 圖騰柱PFC電路能顯著(zhù)改善交流輸入轉換器的效率，但是主流半導體開(kāi)關(guān)技術(shù)的局限性使其不能發(fā)揮全部潛力。不過(guò)，SiC FET能突破這些局限性。本文介紹了如何在數千瓦電壓下實(shí)現99.3%以上的效率。正文交流輸入電源的設計師必須竭力滿(mǎn)足許多要求，包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他們通常需要進(jìn)行權衡取舍，一個(gè)好例子是既要求達到服務(wù)器電源的“鈦”標準等能效目標，又要用功率因素校正（PFC）將線(xiàn)路諧波發(fā)射保持在低水平，以幫助電網(wǎng)可靠高效地運行。在大部分情況下，會(huì )通過(guò)升壓轉換器部分實(shí)施PFC，升壓轉換器會(huì )將整流后
- 關(guān)鍵字： SiC FET PFC
TI為何把首款GaN FET定位于汽車(chē)和工業(yè)應用
- GaN（氮化鎵）作為新一代半導體材料，正有越來(lái)越廣泛的應用。近日，德州儀器（TI）宣布其首款帶集成驅動(dòng)器、內部保護和有源電源管理的GaN FET，分別面向車(chē)用充電器和工業(yè)電源，可以實(shí)現2倍的功率密度和高達99%的效率。TI如何看待GaN在汽車(chē)和工業(yè)方面的機會(huì )？此次GaN FET的突破性技術(shù)是什么？為此，電子產(chǎn)品世界記者線(xiàn)上采訪(fǎng)了TI高壓電源應用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線(xiàn)經(jīng)理Steve Tom。TI高壓電源應用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線(xiàn)經(jīng)理Steve Tom1? ?GaN在電源領(lǐng)
- 關(guān)鍵字： GaN FET SiC
5A、3.3V和5V電源符合嚴格的EMI輻射標準
- 嚴苛的汽車(chē)和工業(yè)環(huán)境中的噪聲敏感型應用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩壓器。通常會(huì )選擇內置MOSFET功率開(kāi)關(guān)的單片式降壓穩壓器，與傳統控制器IC和外部MOSFET相比，這種整體解決方案的尺寸相對較小?？稍诟哳l率（遠高于A(yíng)M頻段的2 MHz范圍內）下工作的單片式穩壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外，如果穩壓器的最小導通時(shí)間(TON)較低，則無(wú)需中間穩壓，可直接在較高的電壓軌上工作，從而節約空間并降低復雜性。減少最小導通時(shí)間需要快速開(kāi)關(guān)邊沿和最小死區時(shí)間控制，以有效減少開(kāi)關(guān)損耗并支持高開(kāi)關(guān)頻率操作
- 關(guān)鍵字： EMI FET AM SSFM PWM IC MOSFET
臺積電2nm制程研發(fā)取得突破 將切入GAA技術(shù)
- 據臺灣媒體報道，臺積電沖刺先進(jìn)制程，在2nm研發(fā)有重大突破，已成功找到路徑，將切入環(huán)繞式柵極技術(shù)(gate-all-around，簡(jiǎn)稱(chēng)GAA)技術(shù)。臺積電臺媒稱(chēng)，三星已決定在3nm率先導入GAA技術(shù)，并宣稱(chēng)要到2030年超過(guò)臺積電，取得全球邏輯芯片代工龍頭地位，臺積電研發(fā)大軍一刻也不敢松懈，積極投入2nm研發(fā)，并獲得技術(shù)重大突破，成功找到切入GAA路徑。臺積電負責研發(fā)的資深副總經(jīng)理羅唯仁，還為此舉辦慶功宴，感謝研發(fā)工程師全心投入。臺積電3nm制程預計明年上半年在南科18廠(chǎng)P4廠(chǎng)試產(chǎn)、2022年量產(chǎn)，業(yè)界以
- 關(guān)鍵字： 臺積電 2nm GAA
電源管理設計小貼士#94：倒置降壓器如何提供非隔離反激器的拓撲選擇
- 離線(xiàn)電源是最常見(jiàn)的電源之一，也稱(chēng)為交流電源。隨著(zhù)旨在集成典型家用功能的產(chǎn)品數量的增加，對所需輸出能力小于1瓦的低功率離線(xiàn)轉換器的需求也越來(lái)越大。對于這些應用程序，最重要的設計方面是效率、集成和低成本。在決定拓撲結構時(shí)，反激通常是任何低功耗離線(xiàn)轉換器的首選。但是，如果不需要隔離，這可能不是最好的方法。假設終端設備是一個(gè)智能燈開(kāi)關(guān)，用戶(hù)可以通過(guò)智能手機的應用程序進(jìn)行控制。在這種情況下，用戶(hù)在操作過(guò)程中不會(huì )接觸到暴露的電壓，因此不需要隔離。對于離線(xiàn)電源來(lái)說(shuō)，反激拓撲是一個(gè)合理的解決方案，因為它的物料清單（BOM
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Nexperia 推出行業(yè)領(lǐng)先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)
- 近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專(zhuān)業(yè)制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場(chǎng)效應管(GaN)市場(chǎng)。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點(diǎn)是低導通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開(kāi)關(guān)切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標是高性能要求的應用市場(chǎng)，包括電動(dòng)汽車(chē)、數據中心、電信設備、工業(yè)自動(dòng)化和高端電源。Nexperi
- 關(guān)鍵字： Nexperia GaN FET 氮化鎵功率器件 MOSFET 器件
對更高功率密度的需求推動(dòng)電動(dòng)工具創(chuàng )新解決方案
- 電動(dòng)工具中直流電機的配置已從有刷直流大幅轉向更可靠、更高效的無(wú)刷直流（BLDC）解決方案轉變。斬波器配置等典型有刷直流拓撲通常根據雙向開(kāi)關(guān)的使用與否實(shí)現一個(gè)或兩個(gè)功率金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管（MOSFET）。另一方面，三相BLDC配置需要三個(gè)半橋或至少六個(gè)場(chǎng)效應管（FET），因此從有刷電流轉向無(wú)刷電流意味著(zhù)全球電動(dòng)工具FET總區域市場(chǎng)增長(cháng)了3到6倍（見(jiàn)圖1）。圖1：從有刷拓撲轉換到無(wú)刷拓撲意味著(zhù)FET數量出現了6倍倍增但BLDC設計在這些FET上提出了新的技術(shù)要求。例如，若電路板上FET的數量6倍倍增
- 關(guān)鍵字： FET BLDC
看看國外廠(chǎng)商正在發(fā)力研究的這些新技術(shù)
- 每年十二月，在美國舊金山或華盛頓哥倫比亞特區其中一處舉行的年度電子會(huì )議。此會(huì )議作為一個(gè)論壇，在其中報告半導體、電子元件技術(shù)、設計、制造、物理與模型等領(lǐng)域中的技術(shù)突破。這個(gè)會(huì )會(huì )議就是IEEE國際電子元件會(huì )議(International Electron Devices Meeting，縮寫(xiě)：IEDM) 在每一界的IEDM上，全球工業(yè)界與學(xué)界的管理者、工程師和科學(xué)家將會(huì )聚集在一起討論納米級CMOS晶體管技術(shù)、先進(jìn)內存、顯示、感測器、微機電系統元件、新穎量子與納米級規模元件、粒子物理學(xué)現象、光電工程、
- 關(guān)鍵字： DRAM GAA-FET
集成智能——第1部分：EMI管理
- 智能集成電機驅動(dòng)器和無(wú)刷直流(BLDC)電機可以幫助電動(dòng)汽車(chē)和新一代汽車(chē)變得更具吸引力、更可行及更可靠?！ D1所示為集成電機驅動(dòng)器結合驅動(dòng)電機所需的一切要素，如場(chǎng)效應晶體管(FET)、柵極驅動(dòng)器和狀態(tài)機。集成避免了電線(xiàn)從電子控制單元(ECU)到電機的布線(xiàn)距離過(guò)長(cháng)，并還具有更小印刷電路板(PCB)尺寸和更低整體系統成本的優(yōu)點(diǎn)?！ LDC電機在汽車(chē)應用中提供的優(yōu)勢包括效率、緊湊的尺寸、更長(cháng)的電機壽命和電池壽命、更安靜的車(chē)內體驗以及更好的EMI性能?！ D1：智能集成BLDC電機驅動(dòng)器 集成智能系列博
- 關(guān)鍵字： BLDC FET
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對gaa-fet的理解，并與今后在此搜索gaa-fet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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