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gaa-fet 文章 進(jìn)入gaa-fet技術(shù)社區
FET 生物傳感器的直流I-V 特性研究
- 由于半導體生物傳感器的低成本、迅速反應、檢測準確等優(yōu)點(diǎn)，對于此類(lèi)傳感器的研究和開(kāi)發(fā)進(jìn)行了大量投入。特別是基于場(chǎng)效應晶體管 (FET) 的生物傳感器或生物場(chǎng)效應管，它們被廣泛用于各種應用：如生物研究，即時(shí)診斷，環(huán)境應用，以及食品安全。生物場(chǎng)效應管將生物響應轉換為分析物，并將其轉換為可以使用直流I-V技術(shù)輕松測量的電信號。輸出特性 (Id-Vd)、傳輸特性 (Id-Vg) 和電流測量值相對于時(shí)間 (I-t) 可以與分析物的檢測和幅度相關(guān)。根據設備上的終端數量，可以使用多個(gè)源測量單元(SMU) 輕松完成這些直流
- 關(guān)鍵字： 泰克科技 FET 生物傳感器
EPC新推100 V GaN FET助力實(shí)現更小的電機驅動(dòng)器,用于電動(dòng)自行車(chē)、機器人和無(wú)人機
- 基于氮化鎵器件的EPC9194逆變器參考設計顯著(zhù)提高了電機驅動(dòng)系統的效率、扭矩而同時(shí)使得單位重量功率（比功率）增加了一倍以上。該逆變器非常微型，可集成到電機外殼中，從而實(shí)現最低的電磁干擾、最高的密度和最輕的重量。 宜普電源轉換公司宣布推出三相BLDC電機驅動(dòng)逆變器參考設計(EPC9194)。它的工作輸入電源電壓范圍為 14V ~60V，可提供高達60 Apk(40 ARMS)的輸出電流。此電壓范圍和功率使該解決方案非常適合用于各種三相BLDC電機驅動(dòng)器，包括電動(dòng)自行車(chē)、電動(dòng)滑板車(chē)、無(wú)人
- 關(guān)鍵字： EPC GaN FET 電機驅動(dòng)器
GAA技術(shù)才開(kāi)始，半導體大廠(chǎng)已著(zhù)手研發(fā)下一代CFET技術(shù)
- 外媒eNewsEurope報道，英特爾和臺積電將在國際電子元件會(huì )議（IEDM）公布垂直堆疊式（CFET）場(chǎng)效晶體管進(jìn)展，這有望使CFET成為十年內最可能接替全環(huán)繞柵極晶體管（GAA）的下一代先進(jìn)制程。CFET場(chǎng)效晶體管將n和p兩種MOS元件堆疊在一起，以實(shí)現更高的密度。該項技術(shù)最初由比利時(shí)微電子研究中心（IMEC）于2018年所提出的。雖然，大多數早期研究以學(xué)術(shù)界為主，但英特爾和臺積電等半導體企業(yè)現在已經(jīng)開(kāi)始這一領(lǐng)域的研發(fā)，借此積極探索這種下一代先進(jìn)晶體管技術(shù)。英特爾表示，研究員建構一個(gè)單片3DCFET，
- 關(guān)鍵字： GAA CFET
更小、更快、更節能，半導體芯片迎大突破
- 最先進(jìn)的電子硬件在大數據革命面前都顯得有些“捉襟見(jiàn)肘”，這迫使工程師重新思考微芯片的幾乎每一個(gè)方面。隨著(zhù)數據集的存儲、搜索和分析越來(lái)越復雜，這些設備就必須變得更小、更快、更節能，以跟上數據創(chuàng )新的步伐。鐵電場(chǎng)效應晶體管（FE-FETs）是應對這一挑戰的最有趣的答案之一。這是一種具有鐵電性能的場(chǎng)效應晶體管。它利用鐵電材料的非易失記憶性質(zhì)，在其中植入場(chǎng)效應和電荷積累，實(shí)現了長(cháng)期穩定的記憶效應。與傳統存儲器相比，它具有低功耗、高速度、高密度等優(yōu)勢。因此，一個(gè)成功的FE-FET設計可以大大降低傳統器件的尺寸和能量使
- 關(guān)鍵字： 半導體芯片 FE-FET
三星向外界公布 GAA MBCFET 技術(shù)最新進(jìn)展
- 三星 Foundry 在 5 月 9 日的以色列半導體展會(huì ) ChipEx2023 上公布了旗下 3nm GAA MBCFET 技術(shù)的最新進(jìn)展以及對 SRAM 設計的影響。3納米GAA MBCFET的優(yōu)越性GAA指的是晶體管的結構。晶體管是電子電路的組成部分，起到開(kāi)關(guān)的作用，也就是當門(mén)極施加電壓時(shí)，電流在源極和漏極之間通過(guò)通道流動(dòng)。在晶體管設計的優(yōu)化過(guò)程中，有三個(gè)關(guān)鍵變量：性能、功耗和面積（PPA）。晶體管制造商一直在不斷追求更高的性能、更低的功耗要求和更小的面積。隨著(zhù)晶體管尺寸的縮小，它們的結構也從平面晶
- 關(guān)鍵字： 三星 GAA MBCFET
Transphorm推出SuperGaN FET低成本驅動(dòng)器方案
- 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代電力系統的未來(lái), 氮化鎵（GaN）功率轉換產(chǎn)品的全球領(lǐng)先供應商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）發(fā)布了一款高性能、低成本的驅動(dòng)器解決方案。這款設計方案面向中低功率的應用，適用于LED照明、充電、微型逆變器、UPS和電竟電腦，加強了公司在這個(gè)30億美元電力市場(chǎng)客戶(hù)的價(jià)值主張。 不同于同類(lèi)競爭的 e-mode GaN 解決方案需要采用定制驅動(dòng)器或柵極保護器件的電平移位電路，Transphorm 的 SuperG
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使用開(kāi)爾文連接提高 SiC FET 的開(kāi)關(guān)效率
- 碳化硅 (SiC) 等寬帶隙器件可實(shí)現能夠保持高功率密度的晶體管，但需要使用低熱阻封裝，比如 TO-247。然而，此類(lèi)封裝的連接往往會(huì )導致較高的電感。閱讀本博文，了解如何謹慎使用開(kāi)爾文連接技術(shù)以解決電感問(wèn)題。這篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 發(fā)布，該公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家領(lǐng)先的碳化硅 (SiC) 功率半導體制造商，它的加入促使 Qorvo 將業(yè)務(wù)擴展到電動(dòng)汽車(chē) (EV)、工業(yè)電源、電路保護、
- 關(guān)鍵字： Qorvo 開(kāi)爾文 FET
EPC新推基于GaN FET的150 ARMS電機驅動(dòng)器參考設計
- 基于氮化鎵器件的EPC9186逆變器參考設計增強了高功率應用的電機系統性能、精度、扭矩和可實(shí)現更長(cháng)的續航里程。宜普電源轉換公司(EPC)新推EPC9186，這是一款采用EPC2302 eGaN?FET的三相BLDC電機驅動(dòng)逆變器。EPC9186支持14 V~ 80 V的寬輸入直流電壓。大功率EPC9186支持電動(dòng)滑板車(chē)、小型電動(dòng)汽車(chē)、農業(yè)機械、叉車(chē)和大功率無(wú)人機等應用。EPC9186在每個(gè)開(kāi)關(guān)位置使用四個(gè)并聯(lián)的EPC2302，可提供高達200 Apk的最大輸出電流。EPC9186包含所有必要的關(guān)鍵功能電路
- 關(guān)鍵字： EPC GaN FET ARMS 電機驅動(dòng)器
Nexperia推出支持低壓和高壓應用的E-mode GAN FET
- 奈梅亨，2023年5月10日：基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的E-mode（增強型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產(chǎn)品組合能為設計人員提供最佳的選擇。 Nexperia的新產(chǎn)品包括五款額定電壓為650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至19
- 關(guān)鍵字： Nexperia E-mode GAN FET
柵極長(cháng)度縮放超出硅的 FET 對短溝道效應具有魯棒性
- 當今行業(yè)中發(fā)現的大多數 FET 都是由硅制成的，因為它具有出色且可重現的電子特性。根據摩爾定律，硅受到薄通道厚度下遷移率下降的困擾，這為高度縮放的設備保持強靜電。過(guò)渡金屬二硫化物 (TMD) 等二維溝道材料可用于 FET 以解決此問(wèn)題。由于2D 材料具有二維表面，因此它們具有更好的遷移率水平，包括在 0.7 A 下實(shí)現激進(jìn)的溝道長(cháng)度縮放。自從在現代電子產(chǎn)品中引入場(chǎng)效應晶體管 (FET) 以來(lái)，理論和應用電路技術(shù)已經(jīng)取得了多項改進(jìn)。FET 是低頻和中頻的低噪聲放大器以及高輸入阻抗放大器、電荷敏感放
- 關(guān)鍵字： 柵極 FET
連接與電源：新Qorvo為行業(yè)提供更全面的解決方案
- ３月下旬，全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo? 在京召開(kāi)了以“連接與電源——新主題、新Qorvo”的媒體活動(dòng)。通過(guò)此次活動(dòng)，Qorvo旨在向業(yè)內介紹Qorvo在自身移動(dòng)產(chǎn)品和基礎設施應用上的射頻領(lǐng)導地位進(jìn)面向電源、物聯(lián)網(wǎng)和汽車(chē)等領(lǐng)域的最新進(jìn)展。Matter出世，化解萬(wàn)物互聯(lián)生態(tài)壁壘物聯(lián)網(wǎng)讓我們曾經(jīng)暢想的萬(wàn)物互聯(lián)生活逐漸成為現實(shí)，但要將數以百億計的設備進(jìn)行有效的互聯(lián)還面臨巨大壁壘，Matter 標準的出現打破了這個(gè)局面。作為Matter的積極參與者，Qorvo 率先打造符合 Matter 標準的
- 關(guān)鍵字： Qorvo Matter SiC FET UWB
三星電子：目標到 2027 年將芯片代工廠(chǎng)產(chǎn)能提高三倍以上
- IT之家 10 月 21 日消息，據 BusinessKorea 報道，三星電子 10 月 20 日在首爾江南區舉行了 2022 年三星代工論壇。該公司代工業(yè)務(wù)部技術(shù)開(kāi)發(fā)部副總裁 Jeong Ki-tae 表示，三星電子今年在世界范圍內首次成功地量產(chǎn)了基于 GAA 技術(shù)的 3 納米芯片，與 5 納米芯片相比，3 納米芯片的功耗降低了 45%，性能提高了 23%，面積減少了 16%。三星電子還計劃不遺余力地擴大其芯片代工廠(chǎng)的生產(chǎn)能力，其目標是到 2027 年將其生產(chǎn)能力提高三倍以上。為此，這家芯片
- 關(guān)鍵字： 三星 GAA 技術(shù)
貿澤開(kāi)售采用D2PAK-7L 封裝的工業(yè)用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET
- 2022年9月23日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷(xiāo)商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標準D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現已被 Qorvo?收購）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場(chǎng)效應晶體管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封裝選項提供低開(kāi)關(guān)損耗、在更高速度下提升效率，同時(shí)提高系統功率密度。這些FET經(jīng)優(yōu)化適合車(chē)載充電器、軟開(kāi)關(guān)DC/DC
- 關(guān)鍵字： 貿澤 D2PAK-7L UnitedSiC SiC FET
UnitedSiC（現已被 Qorvo收購）為功率設計擴展高性能且高效的750V SiC FET產(chǎn)品組合
- 移動(dòng)應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應商 Qorvo?, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表貼 D2PAK-7L 封裝的 750V 碳化硅 (SiC) FET。憑借該封裝方案，Qorvo 的 SiC FET 針對快速增長(cháng)的車(chē)載充電器、軟開(kāi)關(guān) DC/DC 轉換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）和 IT/服務(wù)器電源應用實(shí)現量身定制。它們采用熱性能增強型封裝，為需求最大效率、低傳導損失和高性?xún)r(jià)比的高功耗應用提供理想解決方案。在 650/750V 狀態(tài)下，第四
- 關(guān)鍵字： UnitedSiC Qorvo 750V SiC FET
UnitedSiC（現為 Qorvo）針對電源設計擴展更高性能和效率的750V SiC FET 產(chǎn)品組合
- Qorvo?今天宣布推出采用表面貼裝 D2PAK-7L 封裝的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET，借助此封裝選項，Qorvo 的 SiC FET可為車(chē)載充電器、軟開(kāi)關(guān) DC/DC 轉換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）以及IT/服務(wù)器電源等快速增長(cháng)的應用量身定制，能夠為在熱增強型封裝中實(shí)現更高效率、低傳導損耗和卓越成本效益的高功率應用提供更佳解決方案。Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 時(shí)具有9mΩ的業(yè)界更低 RDS(on)，其額定值分別為 9、11、18、23、33、
- 關(guān)鍵字： UnitedSiC Qorvo 電源 SiC FET
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