Nand Flash編程應用難點(diǎn)淺析

　　Nand Flash存儲器是flash存儲器的一種，為固態(tài)大容量?jì)却娴膶?shí)現提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND存儲器具有容量較大，改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數據的存儲，如嵌入式產(chǎn)品中包括數碼相機、記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。

　　1989年，東芝公司發(fā)表了Nand Flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級。經(jīng)過(guò)十幾年的發(fā)展，NAND應用越來(lái)越廣泛，但是大多數工程師卻仍然不知道關(guān)于NAND應用的一些難點(diǎn)：分區、ECC糾錯、壞塊管理等。只有真正了解NAND特性的工程師，才能在應用上得心應手，不會(huì )被Nand Flash所絆倒。

　　一、分區

　　定義分區的實(shí)質(zhì)是定義數據會(huì )如何寫(xiě)入NAND Flash，不同內容的數據寫(xiě)到對應的地址中。一般用戶(hù)會(huì )有多個(gè)區，比如boot、kernel、fs、user等分區。

　　分區的描述：分區的地址范圍(起始塊、結束塊)，鏡像文件大小(Image Size)。

　　分區的數據存儲：鏡像文件是從分區的起始塊開(kāi)始存放，如果分區中有壞塊，將使用壞塊處理策略替換壞塊，直到鏡像文件結束，如果分區中不夠好塊存放鏡像文件，則燒錄失敗。

　　如下圖是跳過(guò)壞塊的鏡像文件分區燒寫(xiě)示意圖：

　　二、ECC(錯誤更正)算法

　　ECC 存在于NAND 每頁(yè)的備用區(Spare Area)中，它允許外部系統發(fā)現主區的數據是否有誤。在大多數情況下，ECC 算法可以糾正誤碼，NandFlash在使用中也可能會(huì )出現壞塊，所以ECC是非常有必要的。

　　不同的用戶(hù)會(huì )可能會(huì )使用不同的ECC算法，一般來(lái)說(shuō)ECC算法由處理器供應商提供，如果編程器軟件中無(wú)這個(gè)ECC算法，則需要用戶(hù)提供ECC算法源代碼。

　　如果用戶(hù)不使用調入文件，而是使用讀母片的方式燒錄，并且無(wú)動(dòng)態(tài)數據，則可以不考慮ECC算法，因為母片中的備用區已計算好ECC，直接將母片的備用區拷貝至其他芯片即可。

　　三、壞塊管理

　　壞塊處理策略定義了在遇到壞塊時(shí)算法應該如何處理，基本的壞塊處理策略有：跳過(guò)壞塊、替換表(預留塊區Reserve BlockArea，RBA)等等，下面分別對幾種壞塊處理方案進(jìn)行說(shuō)明。

　　1) 硬拷貝

　　硬拷貝其實(shí)就是遇到壞塊什么都不處理，不管好塊還是壞塊直接燒寫(xiě)按順序燒寫(xiě)數據，即使校驗數據不一致也不報錯，這是最簡(jiǎn)單、直接的處理方法，但是只能適用于數據不需管理的方案;

　　2) 跳過(guò)壞塊

　　跳過(guò)壞塊就是燒錄數據時(shí)，遇到壞塊即跳過(guò)此壞塊，將數據順延燒到下一個(gè)好塊，這樣可以保證所有的數據都能燒寫(xiě)到NAND存儲空間中，但是并不知道數據究竟燒到了哪一位; 

　　3) 替換表

　　此方法是將NAND存儲空間中預留出一些塊作為保留塊，當遇到壞塊時(shí)，在預留的保留塊中選一個(gè)塊來(lái)替換壞塊，將原來(lái)寫(xiě)到壞塊的數據寫(xiě)到替換塊中;

　　4) BBT(Bad block table)

　　此方法核心是跳過(guò)壞塊，但是跳過(guò)后需要在NAND閃存指定位置寫(xiě)入一個(gè)壞塊表(Bad block table)，下圖是BBT的結構圖。 

　　NAND應用需要注意的點(diǎn)大致整理如上，實(shí)際使用中會(huì )有靈活的應用方案，需要熟知NAND特性、編程器原理的工程師才能設計出合適的方案加以運用。P800Flash極速編程器融合了ZLG致遠電子三代Flash編程器的特點(diǎn)，全面支持eMMC、NOR、NAND Flash的燒錄，可提供完善的編程解決方案。