FinFET/3D NAND前景亮　推升半導體設備需求

　　鰭式電晶體(FinFET)與3D NAND有助實(shí)現更高運算/儲存效能、低耗電量與低成本，滿(mǎn)足車(chē)載裝置、物聯(lián)網(wǎng)和穿戴式裝置發(fā)展需求，因此半導體設備商應用材料(Applied Materials)看好FinFET與3D NAND飛躍增長(cháng)的潛力，已研發(fā)相關(guān)的蝕刻機臺和磊晶技術(shù)。

　　應用材料副總裁兼臺灣區總裁余定陸指出，隨著(zhù)先進(jìn)制程發(fā)展，該公司產(chǎn)品開(kāi)發(fā)有兩大重點(diǎn)方向，一是電晶體與導線(xiàn)技術(shù)，另一個(gè)是圖形制作與檢測技術(shù)。

　　應用材料副總裁兼臺灣區總裁余定陸表示，從28奈米到20奈米，甚至發(fā)展至16/14奈米，未來(lái)將因制程變化而帶給設備商20至30%的成長(cháng)空間;另外，3D NAND是記憶體產(chǎn)業(yè)數十年來(lái)最大的技術(shù)演進(jìn)，隨著(zhù)3D NAND堆疊層數不斷增加，亦將進(jìn)一步推升半導體設備需求規模。

　　有鑒于此，應用材料針對3D NAND部分，已于今年7月推出新款蝕刻系統--Centris Sym3，據了解，該系統能改善均勻度的挑戰。所謂均勻度，指的是晶圓中央相較于晶圓邊緣的均勻和一致性，而此系統能夠提升效能和良率，目前出貨已超過(guò)300臺。

　　另外，余定陸指出，在電晶體技術(shù)方面，FinFET未來(lái)可能利用新材料，譬如矽鍺(Silicon Germanium)，或是新架構比方像Gate all Around，這些新的材料與架構將有利該公司的磊晶技術(shù)發(fā)展。

　　同時(shí)當發(fā)展至20奈米以下的制程時(shí)，在導線(xiàn)方面將會(huì )遇到可靠度的挑戰，為因應此挑戰，該公司利用新元素--鈷(Cobalt)，來(lái)推出化學(xué)氣相沉積鈷金屬(CVD Cobalt)系統，藉以改善可靠度的問(wèn)題。

　　值得一提的是，面對中國近年半導體設備商崛起，是否對半導體設備業(yè)造成影響?余定陸認為，要發(fā)展半導體設備，必須花費至少十億美金，以及尋找適當的人才/團隊投入，同時(shí)需要較長(cháng)的投資期限，因此較不容易影響原有的設備商。