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fe-fet 文章 進(jìn)入fe-fet技術(shù)社區
GaN FET在人形機器人中的應用
- 引言人形機器人集成了許多子系統，包括伺服控制系統、電池管理系統 (BMS)、傳感器系統、AI 系統控制等。如果要將這些系統集成到等同人類(lèi)的體積內，同時(shí)保持此復雜系統平穩運行，會(huì )很難滿(mǎn)足尺寸和散熱要求。人形機器人內空間受限最大的子系統是伺服控制系統。為了實(shí)現與人類(lèi)相似的運動(dòng)范圍，通常在整個(gè)機器人中部署大約 40 個(gè)伺服電機 (PMSM) 和控制系統。電機分布在機器人身體的不同部位，例如頸部、軀干、手臂、腿、腳趾等。該數字不包括手部的電機。為了模擬人手的自由操作，單只手即可能集成十多個(gè)微型電機。這些電機的電源
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SiC 市場(chǎng)的下一個(gè)爆點(diǎn)：共源共柵（cascode）結構詳解
- 安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場(chǎng)效應晶體管）在硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)應用中有諸多優(yōu)勢，SiC JFET cascode應用指南講解了共源共柵（cascode）結構、關(guān)鍵參數、獨特功能和設計支持。本文為第一篇，將重點(diǎn)介紹Cascode結構。Cascode簡(jiǎn)介碳化硅結型場(chǎng)效應晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術(shù)具有一些顯著(zhù)的優(yōu)勢，特別是在給定芯片面積下的低導通電阻（稱(chēng)為RDS.A）。為了實(shí)現最低的RDS.A，需要權衡的一點(diǎn)是其常開(kāi)特性，這意味著(zhù)如果沒(méi)有柵源電壓，或者JFET的柵
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Nexperia擴展GaN FET產(chǎn)品組合，現可支持更多低壓和高壓應用中的功率需求
- Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產(chǎn)品組合新增12款新器件。本次產(chǎn)品發(fā)布旨在滿(mǎn)足市場(chǎng)對更高效、更緊湊系統日益增長(cháng)的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個(gè)市場(chǎng)，包括消費電子、工業(yè)、服務(wù)器/計算以及電信，尤其著(zhù)重于支持高壓、中低功率以及低壓、中高功率的使用場(chǎng)景。自2023年推出E-mode GaN FET以來(lái)，Nexperia一直是業(yè)內少有、同時(shí)提供級聯(lián)型或D-mode和E-mode器件的供應商，為設計人員在應對設計過(guò)程中的不同挑戰提供了更多便捷性。Nexperia
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緩沖反激式轉換器
- 本期，我們將聚焦于緩沖反激式轉換器，探討如何在反激式轉換器中緩沖 FET 關(guān)斷電壓為大家提供全新的解決思路！上一期，我們介紹了如何在正向轉換器導通時(shí)緩沖輸出整流器的電壓?，F在，我們看一下如何在反激式轉換器中緩沖 FET 關(guān)斷電壓。圖 1 顯示了反激式轉換器功率級和初級 MOSFET 電壓波形。該轉換器的工作原理是將能量存儲在變壓器的初級電感中，并在 MOSFET 關(guān)斷時(shí)將能量釋放到次級電感。圖 1. 漏電感會(huì )在 FET 關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生過(guò)高電壓當 MOSFET 關(guān)斷時(shí)，通常需要一個(gè)緩沖器，因為變壓器的漏電感會(huì )導
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用Python自動(dòng)化雙脈沖測試
- 電力電子設備中使用的半導體材料正從硅過(guò)渡到寬禁帶（WBG）半導體，比如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等半導體在更高功率水平下具有卓越的性能，被廣泛應用于汽車(chē)和工業(yè)領(lǐng)域中。由于工作電壓高，SiC技術(shù)正被應用于電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力系統，而GaN則主要用作筆記本電腦、移動(dòng)設備和其他消費設備的快速充電器。本文主要說(shuō)明的是，但雙脈沖測試也可應用于硅器件、MOSFET或IGBT中。為確保這些設備的可靠性，雙脈沖測試（DPT）已發(fā)展成為一種行業(yè)標準技術(shù)，用于測量開(kāi)啟、關(guān)閉和反向恢復期的一系列重要參數。雙脈沖測試系統包括示波
- 關(guān)鍵字： 202411 寬禁帶 FET 測試
三星Galaxy Watch FE進(jìn)軍入門(mén)智能手表市場(chǎng)
- 三星樂(lè )觀(guān)看待智慧手表市場(chǎng)成長(cháng)趨勢，今日宣布推出全新Galaxy Watch FE，集結耐用的藍寶石玻璃設計及亮眼外型、完善的運動(dòng)追蹤與全方位健康監測功能，以親民價(jià)格即享眾多優(yōu)異體驗。Galaxy Watch FE（藍牙版）共推出「曜石黑」、「玫瑰金」、「星夜銀」三款顏色，建議售價(jià)NT$5,990，自6月下旬起于全臺各大通路正式上市，消費者凡于7月16日前在全通路購買(mǎi)三星不限型號手機或平板，即可現折NT$1,000加購Galaxy Watch FE，五千有找輕松入手，開(kāi)啟嶄新智慧生態(tài)圈體驗。三星電子行動(dòng)通訊
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GaN FET讓您實(shí)現高性能D類(lèi)音頻放大器
- D類(lèi)音頻放大器參考設計(EPC9192)讓模塊化設計具有高功率和高效，從而可實(shí)現全定制、高性能的電路設計。宜普電源轉換公司(EPC)宣布近日推出EPC9192參考設計，可實(shí)現優(yōu)越、緊湊型和高效的D類(lèi)音頻放大器，于接地參考、分離式雙電源單端 (SE)設計中發(fā)揮200 V eGaN FET器件(EPC2307)的優(yōu)勢，在4Ω負載時(shí)，每聲道輸出功率達700 W。EPC9192是可擴展的模塊化設計，其主板配有兩個(gè)PWM調制器和兩個(gè)半橋功率級子板，實(shí)現具備輔助管理電源和保護功能的雙通道放大器。這種設計的靈活性高，使
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測試共源共柵氮化鎵 FET
- Cascode GaN FET 動(dòng)態(tài)測試面臨的挑戰 Cascode GaN FET 比其他類(lèi)型的 GaN 功率器件更早進(jìn)入市場(chǎng)，因為它可以提供常關(guān)操作并具有更寬的柵極驅動(dòng)電壓范圍。然而，電路設計人員發(fā)現該器件在實(shí)際電路中使用起來(lái)并不那么容易，因為它很容易發(fā)生振蕩，并且其器件特性很難測量并獲得可重復的提取。許多設計人員在電路中使用大柵極電阻時(shí)必須減慢器件的運行速度，這降低了使用快速 GaN 功率器件的優(yōu)勢。圖 1 顯示了關(guān)斷時(shí)的發(fā)散振蕩。圖 2 顯示了導通時(shí)的大柵極電壓振鈴。兩者都與圖 3 所示的 Cas
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EPC推出首款具有最低1mΩ導通電阻的GaN FET
- 全球增強型氮化鎵(GaN)功率 FET 和 IC領(lǐng)域的領(lǐng)導者宜普電源轉換公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm EPC2361。這是市場(chǎng)上具有最低導通電阻的GaN FET，與EPC的上一代產(chǎn)品相比，其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm，采用耐熱QFN封裝，頂部裸露，封裝尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面積僅為15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的體積小超過(guò)五倍。憑借超低導通電阻
- 關(guān)鍵字： EPC 1mΩ 導通電阻 GaN FET
適用于自主駕駛車(chē)輛LiDAR的GaN FET快速指南
- 激光探測及測距 (LiDAR) 的應用包括自主駕駛車(chē)輛、無(wú)人機、倉庫自動(dòng)化和精準農業(yè)。在這些應用中，大多都有人類(lèi)參與其中，因此人們擔心 LiDAR 激光可能會(huì )對眼睛造成傷害。為防止此類(lèi)傷害，汽車(chē) LiDAR 系統必須符合 IEC 60825-1 1 類(lèi)安全要求，同時(shí)發(fā)射功率不超過(guò) 200 W。通用解決方案一般采用 1 至 2 ns 脈沖，重復頻率為 1 至 2 MHz。這很有挑戰性，因為需要使用微控制器或其他大型數字集成電路 (IC) 來(lái)控制激光二極管，但又不能直接驅動(dòng)它，這樣就必須增加一個(gè)柵極
- 關(guān)鍵字： 自主駕駛 LiDAR GaN FET
Qorvo? 推出D2PAK 封裝 SiC FET，提升 750V 電動(dòng)汽車(chē)設計性能
- 中國 北京，2024 年 1 月 30 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布一款符合車(chē)規標準的碳化硅（SiC）場(chǎng)效應晶體管（FET）產(chǎn)品；在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實(shí)現業(yè)界卓越的 9mΩ 導通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產(chǎn)品，導通電阻值最高可達 60mΩ，非常適合車(chē)載充電器、DC/DC
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EPC GaN FET可在數納秒內驅動(dòng)激光二極管，實(shí)現75~231A脈沖電流
- 宜普電源轉換公司（EPC）推出三款激光驅動(dòng)器電路板，這些板采用了符合AEC-Q101認證標準、快速轉換的GaN FET以實(shí)現具備卓越性能的激光雷達系統。EPC推出三款評估板，分別是EPC9179、EPC9181和EPC9180，它采用75 A、125 A、231 A脈沖電流激光驅動(dòng)器和通過(guò)車(chē)規級AEC-Q101認證的EPC GaN FET - EPC2252、EPC2204A 和EPC2218A。它比前代氮化鎵器件的體積小30%和更具成本效益。這些電路板專(zhuān)為長(cháng)距離和
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Nexperia針對工業(yè)和可再生能源應用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術(shù)和專(zhuān)有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。經(jīng)過(guò)二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大規模、高質(zhì)量的銅夾片SMD封裝方面積累了豐富的專(zhuān)業(yè)知識，如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應用于級聯(lián)氮化鎵場(chǎng)效應管（GaN FET），Nexperia對此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化鎵場(chǎng)效應管，采用CCP
- 關(guān)鍵字： Nexperia SMD CCPAK GaN FET
FET 生物傳感器的直流I-V 特性研究
- 由于半導體生物傳感器的低成本、迅速反應、檢測準確等優(yōu)點(diǎn)，對于此類(lèi)傳感器的研究和開(kāi)發(fā)進(jìn)行了大量投入。特別是基于場(chǎng)效應晶體管 (FET) 的生物傳感器或生物場(chǎng)效應管，它們被廣泛用于各種應用：如生物研究，即時(shí)診斷，環(huán)境應用，以及食品安全。生物場(chǎng)效應管將生物響應轉換為分析物，并將其轉換為可以使用直流I-V技術(shù)輕松測量的電信號。輸出特性 (Id-Vd)、傳輸特性 (Id-Vg) 和電流測量值相對于時(shí)間 (I-t) 可以與分析物的檢測和幅度相關(guān)。根據設備上的終端數量，可以使用多個(gè)源測量單元(SMU) 輕松完成這些直流
- 關(guān)鍵字： 泰克科技 FET 生物傳感器
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