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單片機設計注意要點(diǎn)

  • 首先介紹一下這樣做的優(yōu)點(diǎn):采用低的晶振和總線(xiàn)頻率使得我們可以選擇較小的單片機滿(mǎn)足時(shí)序的要求,這樣單片機的工作電流可以變得更低,最重要的是VDD到VSS的電流峰值會(huì )更小。
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學(xué)好嵌入式系統電路入門(mén)之——二極管/晶體管/FET

  •   導電能力介于導體與絕緣體之間的物質(zhì) - 半導體   硅和鍺是位于銀、鋁等導體和石英、陶瓷等絕緣體之間,用于制造半導體器件的原材料,具有一定電阻率。不同的物質(zhì)其產(chǎn)生的不同電阻率是由于可移動(dòng)的電子量不同引起的。這種可移動(dòng)電子叫“自由電子”。一般我們把可以通過(guò)向其摻入雜質(zhì)來(lái)改變自由電子的數量,并可控制電流動(dòng)的物質(zhì)稱(chēng)為半導體。        根據電流流動(dòng)的構造,可將半導體分為N型和P型兩類(lèi)。   半導體的電流流通原理   (1) N型半導體   圖1是在硅晶
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宜普電源轉換公司(EPC)的可靠性測試報告記錄了超過(guò)170億小時(shí)測試器件的可靠性的現場(chǎng)數據,結果表明器件的失效率很低

  •   EPC公司的第七階段可靠性報告表明eGaN?FET非??煽?,為工程師提供可信賴(lài)及可 替代采用傳統硅基器件的解決方案?! ∫似针娫崔D換公司發(fā)布第七階段可靠性測試報告,展示出在累計超過(guò)170億器件-小時(shí)的測試后的現場(chǎng)數據的分布結果,以及提供在累計超過(guò)700萬(wàn)器件-小時(shí)的應力測試后的詳盡數據。各種應力測試包括間歇工作壽命[(IOL)[、早期壽命失效率[(ELFR)、高濕偏置、溫度循環(huán)及靜電放電等測試。報告提供受測產(chǎn)品的復合0.24 FIT失效率的現場(chǎng)數據。這個(gè)數值與我們直至目前為止所取得
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TI推出業(yè)界首款100V高壓側FET驅動(dòng)器可驅動(dòng)高電壓電池

  •   近日,德州儀器(TI)推出了首款面向高功率鋰離子電池應用的單芯片100V高壓側 FET 驅動(dòng)器。該驅動(dòng)器可提供先進(jìn)的電源保護和控制。bq76200高電壓解決方案能有效地驅動(dòng)能量存儲系統,以及電機驅動(dòng)型應用中常用電池里的高壓側N溝道充放電FET,包括無(wú)人機、電動(dòng)工具、電動(dòng)自行車(chē)等等。如需了解更多詳情,敬請訪(fǎng)問(wèn):http://www.ti.com.cn/product/cn/BQ76200?keyMatch=bq76200&tisearch=Search-CN-Everything。   電感性
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詳解LED PWM調光技術(shù)及設計注意點(diǎn)

  •   無(wú)論LED是經(jīng)由降壓、升壓、降壓/升壓或線(xiàn)性穩壓器驅動(dòng),連接每一個(gè)驅動(dòng)電路最常見(jiàn)的線(xiàn)程就是須要控制光的輸出?,F今僅有很少數的應用只需要開(kāi)和關(guān)的簡(jiǎn)單功能,絕大多數都需要從0~100%去微調亮度。目前,針對亮度控制方面,主要的兩種解決方案為線(xiàn)性調節LED的電流(模擬調光)或在肉眼無(wú)法察覺(jué)的高頻下,讓驅動(dòng)電流從0到目標電流值之間來(lái)回切換(數字調光)。利用脈沖寬度調變(PWM)來(lái)設定循環(huán)和工作周期可能是實(shí)現數字調光的最簡(jiǎn)單的方法,原因是相同的技術(shù)可以用來(lái)控制大部分的開(kāi)關(guān)轉換器。   PWM調光能調配準確色光
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是德科技為低壓高分辨率 FE-SEM 系統增添完全集成的 EDS 功能

  •   是德科技公司日前宣布,其最新型場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)――8500B 即將上市。Keysight 8500B 是一款技術(shù)領(lǐng)先的緊湊型低電壓 FE-SEM(場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡),可以為科學(xué)家提供強大的能譜分析功能。   這款場(chǎng)即插即用型發(fā)射掃描電子顯微鏡的安裝方式非常簡(jiǎn)單,只需連接交流電源插座即可使用,是各類(lèi)實(shí)驗室的理想選擇。緊湊型 8500B 的圖像分辨率可與更大型、更高檔的 FE-SEM 相媲美。   最新 8500B 系統具有完全集成的硅漂移 x 射線(xiàn)探測器、數字多通道分析儀和直
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基于場(chǎng)效應管的功率放大器設計

  • 摘要:用場(chǎng)效應晶體管設計出有膽味的音頻功率放大器。前級采用單管、甲類(lèi),后級采用甲乙類(lèi)推挽放大技術(shù)。實(shí)驗證明差分放大器使用的對管的一致性與整機的失真程度密切相關(guān)。從聽(tīng)音效果來(lái)看,末級電流200mA是理想值。 前后級間耦合電容對聽(tīng)音影響較大,要求質(zhì)量高些。 對于音頻功率放大器而言,最好聽(tīng)的莫過(guò)于甲類(lèi)放大器。根據頻率分析的結果,由集成運算放大器構成的前級聲音單薄、缺乏活力。所以,可不可以前級采用單管甲類(lèi)放大器,后級采用甲乙類(lèi)功率放大器?這樣既兼顧聽(tīng)音需要,又兼顧效率的需要。目前,電子管音頻功率放大器仍然占據
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用于汽車(chē)啟停的低耗能電源設計的幾種方法

  • 隨著(zhù)城市快節奏的發(fā)展,大多數人擁有自己的車(chē),這也使得交通變得擁堵,而汽車(chē)在高峰期的走走停停會(huì )耗掉很多的能源,不僅浪費還污染環(huán)境。故而引進(jìn)了汽車(chē)系統中的“啟停”功能,但是這種系統也給汽車(chē)電子帶來(lái)了一些獨特的工程技術(shù)挑戰,汽車(chē)啟停系統中電源設計是一大難題。本文就為大家介紹一種用于汽車(chē)啟停的低耗能電源設計。 為了控制燃油消耗,許多汽車(chē)制造商在下一代汽車(chē)中實(shí)現了“啟停”功能,而且為數眾多的這種汽車(chē)已經(jīng)開(kāi)始上路。這些系統會(huì )在汽車(chē)停下來(lái)時(shí)關(guān)閉發(fā)動(dòng)機,當腳從剎車(chē)踏板移動(dòng)
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新電源模塊如何解決關(guān)鍵設計問(wèn)題

  • 新型靈活應用的高密度電源模塊現在能夠以易于使用的集成封裝提供先進(jìn)的電熱性能。系統性能的提升促進(jìn)了對更高功率電源的要求,以及由于需要快速實(shí)現收入的壓力迫使設計人員縮短開(kāi)發(fā)周期,從而對全功能、快速實(shí)現電源解決方案的需要呈激增之勢。電源模塊可以解決這些問(wèn)題,并提供系統設計人員所需的靈活性和性能,幫助他們從最小的空間獲得最大的功率
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Silego公司推出體積小一倍電流為4.5A的雙通道全功能負載開(kāi)關(guān)

  •   2014年3月17日Silego于美國加州圣克拉拉推出一款基于Silego亞微米銅制程電源FET技術(shù)的16?mΩ雙通道GreenFET3?負載開(kāi)關(guān)產(chǎn)品即SLG59M1527V。該款負載開(kāi)關(guān)每條通道最高電流可達到?4.5A?、總電流高達9.0A。并且引用Silego?CuFETTM?技術(shù)來(lái)實(shí)現低導通電阻、外形尺寸最小同時(shí)可靠性提高?! LG59M1527V是一款以14?pin腳、尺寸為1.0?x?3.0?
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研究人員以硼/氮共摻雜實(shí)現石墨烯能隙

  •   韓國蔚山科技大學(xué)(UNIST)的研究人員們宣稱(chēng)開(kāi)發(fā)出一種可大量生產(chǎn)硼/氮共摻雜石墨烯奈米微板的方法,從而可實(shí)現基于石墨烯的場(chǎng)效電晶體(FET)制造與設計。   由Jong-BeomBaek主導的研究團隊們采用一種BBr3/CCl4/N2的簡(jiǎn)單溶劑熱反應,大量生產(chǎn)硼/氮共摻雜石墨烯奈米管,即「硼-碳-氮-石墨烯」(BCN-石墨烯)。   石墨烯自2004年經(jīng)由實(shí)驗發(fā)現后,已經(jīng)開(kāi)發(fā)出各種方法來(lái)制造基于石墨烯的FET,包括摻雜石墨烯打造成石墨烯狀的奈米帶,以及利用氮化硼作為支柱。在各種控制石墨烯
  • 關(guān)鍵字: 石墨烯  FET  

汽車(chē)啟動(dòng)/停止系統電源方案

  • 為了限制油耗,一些汽車(chē)制造商在其新一代車(chē)型中應用了“啟動(dòng)/停止”(Start/Stop)功能。當汽車(chē)停下來(lái)時(shí),這些創(chuàng )新的新系統關(guān)閉發(fā)動(dòng)機;而當駕駛人的腳從剎車(chē)踏板移向油門(mén)踏板時(shí),就自動(dòng)重新啟動(dòng)發(fā)動(dòng)機。這就幫助降低市區駕車(chē)及停停走走式的交通繁忙期時(shí)的油耗。
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如何針對反向轉換器的FET關(guān)斷電壓而進(jìn)行緩沖

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
  • 關(guān)鍵字: 反向轉換器  FET  關(guān)斷電壓  緩沖  漏極電感  

經(jīng)典FET輸入甲類(lèi)前級

  • 經(jīng)典FET輸入甲類(lèi)前級本電路是參照《無(wú)線(xiàn)電與電視》雜志2000第一期的《電池供電高級純A類(lèi)分立件前級放大 ...
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eGaN FET與硅功率器件比拼之六:隔離型PoE-PSE轉換器

  • 隔離型磚式轉換器被廣泛應用于電信系統,為網(wǎng)絡(luò )設備供電,這些轉換器可以提供各種標準尺寸及輸入/輸出電壓范圍...
  • 關(guān)鍵字: eGaN  FET  硅功率器  轉換器  
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