Nexperia擴展GaN FET產(chǎn)品組合，現可支持更多低壓和高壓應用中的功率需求
—— 新增產(chǎn)品確保了Nexperia持續擁有業(yè)內廣泛的GaN FET產(chǎn)品類(lèi)型
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Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產(chǎn)品組合新增12款新器件。本次產(chǎn)品發(fā)布旨在滿(mǎn)足市場(chǎng)對更高效、更緊湊系統日益增長(cháng)的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個(gè)市場(chǎng)，包括消費電子、工業(yè)、服務(wù)器/計算以及電信，尤其著(zhù)重于支持高壓、中低功率以及低壓、中高功率的使用場(chǎng)景。自2023年推出E-mode GaN FET以來(lái)，Nexperia一直是業(yè)內少有、同時(shí)提供級聯(lián)型或D-mode和E-mode器件的供應商，為設計人員在應對設計過(guò)程中的不同挑戰提供了更多便捷性。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202503/468359.htm
Nexperia此次發(fā)布的E-mode GaN FET新產(chǎn)品包括新型低壓40 V雙向器件(RDSon140 m?)（用于支持LED驅動(dòng)器和功率因素校正(PFC)應用），以及650 V器件(RDSon>350 m?)（適用于A(yíng)C/DC轉換器）。
Nexperia E-mode GaN FET技術(shù)憑借其超低的QG和QOSS值，提供了出色的開(kāi)關(guān)性能。這些新器件提供了業(yè)界領(lǐng)先的品質(zhì)因數(FOM)，因此非常適合用于高效電源解決方案。
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