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使用結型FET的簡(jiǎn)易電壓控制放大器電路及工作原理

  • 電路的功能在VCA（電壓控制放大器）。由反饋環(huán)路組成電路時(shí)，通過(guò)控制反正電壓來(lái)改變放大器增益。所以傳統的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中，是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發(fā)生變
  • 關(guān)鍵字： FET  結型  電壓控制  放大器電路    

保護汽車(chē)冷卻風(fēng)扇模塊免受熱失控引起的損壞

  • 在嚴苛的汽車(chē)環(huán)境中，各種功率場(chǎng)效應晶體管(power FET，功率FET)，被一貫地認為可承受極端的溫度變化和熱機械應力。間歇性短路、寒冷的運行環(huán)境、高壓電弧或有噪聲性短路，連同電感負載及多次短路久而久之會(huì )讓該器件疲損，致使其進(jìn)入開(kāi)路、短路或阻性模式。
  • 關(guān)鍵字： RTP器件  FET  

通過(guò)優(yōu)化變換器的FET開(kāi)關(guān)來(lái)改善能量效率

  • 　在計算和消費電子產(chǎn)品中，效率已經(jīng)有了顯著(zhù)的提高，重點(diǎn)是AC/DC轉換上。不過(guò)，隨著(zhù)80 PLUS，Climate Savers以及EnergyStar 5等規范的出現，設計人員開(kāi)始認識到，AC/DC和DC/DC功率系統都需要改進(jìn)?！　C/DC平均系統
  • 關(guān)鍵字： 改善  能量  效率  開(kāi)關(guān)  FET  優(yōu)化  變換器  通過(guò)  

用射頻開(kāi)關(guān)優(yōu)化智能手機信號

  • 智能手機代表了射頻個(gè)人通信最前沿、也最具挑戰性的射頻產(chǎn)品設計之一。這些第三代(3G)蜂窩多模多頻設備基于...
  • 關(guān)鍵字： 射頻開(kāi)關(guān)  隔離度  插損  FET  pHEMT  

Intersil集成化開(kāi)關(guān)穩壓器簡(jiǎn)化電源設計

  • 簡(jiǎn)介 　　一提到電源設計，大多數工程師都會(huì )感到撓頭，他們往往會(huì )問(wèn)，“從哪里入手呢?”。首先必須確定電源的拓撲——包括降壓、升壓、flyback、半橋和全橋等。
  • 關(guān)鍵字： intersil  FET  DC/DC  

MOS-FET與電子管OTL功放的制作

MOS—FET末級無(wú)負反饋蓄電池供電甲類(lèi)6瓦功率放大器

  • MOS—FET末級無(wú)負反饋蓄電池供電甲類(lèi)6瓦功率放大器
  • 關(guān)鍵字： 功率放大器  MOS—FET  

MOS—FET甲乙類(lèi)功率放大器

TI 小貼士：圖例理FET知識

  • 您可以通過(guò)周期性地收集大量的ADC輸出轉換采樣來(lái)生成FFT圖。一般而言，ADC廠(chǎng)商們將一種單音、滿(mǎn)量程模擬...
  • 關(guān)鍵字： FET  

手把手教你讀懂FET選取合適器件

  • 現在；一臺臺電源，幾乎都能發(fā)現FET的影子。幾乎每個(gè)電源工程師都用過(guò)這東西，或用來(lái)逆變；或用來(lái)整流；或就當個(gè)開(kāi)關(guān)...
  • 關(guān)鍵字： FET  

CISSOID推出高溫度30V小訊號P-FET場(chǎng)效應管

  • 　　CISSOID，在高溫半導體方案的領(lǐng)導者推出了一個(gè)行星家族(高溫度晶體管及開(kāi)關(guān))的新成員.火星是一個(gè)高溫度30V小訊號P-FET場(chǎng)效應管, 適合于-55 ° C至+225° C高溫可靠運作. 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流. 所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如壓電傳感器或保護放大器. 　　
  • 關(guān)鍵字： CISSOID  P-FET  

如何對反向轉換器的FET關(guān)斷電壓進(jìn)行緩沖

  • 　　圖 1 顯示了反向轉換器功率級和一次側 MOSFET 電壓波形。該轉換器將能量存儲于一個(gè)變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關(guān)閉時(shí)將其釋放到次級繞組。由于變壓器的漏極電感會(huì )使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上，因
  • 關(guān)鍵字： 進(jìn)行  緩沖  電壓  關(guān)斷  轉換器  FET  如何  

MOS-FET開(kāi)關(guān)電路

  • MOS-FET雖然與JFET結構不同，但特性極為相似，N溝道和P溝道各分增強型和耗盡型，可在許多電路中代替J-FET，如圖5.4-97所示，電路用MOS-FET代替J-FET更簡(jiǎn)單，如釁5.4-100所示短路開(kāi)關(guān)對應圖5.4-96中的A、C、D三個(gè)電路
  • 關(guān)鍵字： MOS-FET  開(kāi)關(guān)電路    

J-FET開(kāi)關(guān)電路工作原理

  • 1、簡(jiǎn)單開(kāi)關(guān)控制電路圖5.4-97為簡(jiǎn)單J-FET開(kāi)關(guān)電路。當控制電壓VC高于輸入電壓V1時(shí)，VGS=0，J-FET導通，傳輸信號至VO；當VC比V1足夠負，VD導通而J-FET截止，VO=0。2、改進(jìn)的J-FET開(kāi)關(guān)電路圖5.4-98電路是圖5.4-97電路的
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與萬(wàn)用表結合使用的FET VP、VOO檢驗器

  • 電路的功能場(chǎng)效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別，所以確定置偏很麻煩。雖然在生產(chǎn)廠(chǎng)已分了幾種等級，但一個(gè)等級內仍有差別，如果在組裝電路之前測量實(shí)際工作電流狀態(tài)下的VP和VOS則比較方便。測量時(shí)，
  • 關(guān)鍵字： VOO  檢驗  VP  FET  結合  使用  萬(wàn)用表  
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