fd-soi 文章進(jìn)入fd-soi技術(shù)社區

Soitec參加SOI高峰論壇，探討SOI技術(shù)在中國發(fā)展

　　作為設計和生產(chǎn)創(chuàng )新性半導體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè)，Soitec半導體公司于2018年9月18日至19日參加了在上海由SOI國際產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟舉辦的第六屆FD-SOI高峰論壇暨國際RF-SOI研討會(huì )(Shanghai FD-SOI Forum & International RF-SOI Workshop)。來(lái)自國際頂級半導體公司、科研院所、投資機構和政府部門(mén)的業(yè)內精英在本屆高峰論壇上就FD-SOI和RF-SOI在人工智能、邊緣計算(Edge computing)、5G網(wǎng)絡(luò )連接技術(shù)中的應用等話(huà)題進(jìn)行了探討
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中科院院士王曦帶領(lǐng)團隊制備國際一流的SOI晶圓片

　　在許多人眼中，中科院院士、中科院上海微系統與信息技術(shù)研究所所長(cháng)王曦既是一位具有全球視野的戰略科學(xué)家，也是一位開(kāi)拓創(chuàng )新而又務(wù)實(shí)的企業(yè)家。他帶領(lǐng)團隊制備出了國際最先進(jìn)水平的SOI晶圓片，解決了我國航天電子器件急需SOI產(chǎn)品的“有無(wú)”問(wèn)題，孵化出我國唯一的SOI產(chǎn)業(yè)化基地。　　他在上海牽頭推進(jìn)了一批半導體重大項目——12英寸集成電路硅片項目有望填補我國大尺寸硅片產(chǎn)業(yè)空白。3月23日，王曦榮獲上海市科技功臣獎。　　從下圍棋中得到啟發(fā) 　　空間輻射會(huì )對衛
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格芯推出面向下一代移動(dòng)和5G應用的8SW RF-SOI技術(shù)

　　格芯(GLOBALFOUNDRIES)今天宣布推出業(yè)內首個(gè)基于300毫米晶圓的RF SOI代工解決方案。8SW SOI技術(shù)是格芯最先進(jìn)的RF SOI技術(shù)，可以為4G LTE以及6GHz以下5G移動(dòng)和無(wú)線(xiàn)通信應用的前端模塊(FEM)帶來(lái)顯著(zhù)的性能、集成和面積優(yōu)勢?！　「裥救碌牡统杀?、低功耗、高度靈活8SW的解決方案可以在300毫米生產(chǎn)線(xiàn)上制造具有出色開(kāi)關(guān)性能、低噪聲放大器(LNA)和邏輯處理能力的產(chǎn)品。與上一代產(chǎn)品相比，該技術(shù)可以將功耗降低至70%，實(shí)現更高的電
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格芯CEO：FD-SOI是中國需要的技術(shù)

　　5G時(shí)代將對半導體的移動(dòng)性與對物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的適應性有著(zhù)越來(lái)越高的要求。此時(shí)，FD-SOI與RF-SOI技術(shù)的優(yōu)勢日漸凸顯，人們對SOI技術(shù)的關(guān)注也與日俱增?！　?月26日，第五屆上海FD-SOI論壇成功舉辦。格芯CEO 桑杰·賈(Sanjay Jha)親臨現場(chǎng)，發(fā)表主題為「以SOI技術(shù)制勝(Winning with SOI)」的演講，闡述了格芯如何利用FDX?平臺推進(jìn)SOI技術(shù)的發(fā)展，介紹公司最新技術(shù)成果的同時(shí)也總結了SOI技術(shù)的現狀，并暢想了產(chǎn)業(yè)的未來(lái)?！　￡P(guān)于
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格芯發(fā)布基于領(lǐng)先的FDX? FD-SOI技術(shù)平臺的毫米波和射頻/模擬解決方案

　　格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出面向下一代無(wú)線(xiàn)和物聯(lián)網(wǎng)芯片的射頻/模擬PDK(22FDX?-rfa)解決方案，以及面向5G、汽車(chē)雷達、WiGig、衛星通信以及無(wú)線(xiàn)回傳等新興高容量應用的毫米波PDK(22FDX?-mmWave)解決方案?！　≡搩煞N解決方案都基于格芯的22納米FD-SOI平臺，該平臺將高性能射頻、毫米波和高密度數字技術(shù)結合，為集成單芯片系統解決方案提供支持。該技術(shù)在低電流密度和高電流密度的應用中都可以實(shí)現最高特征頻率和最高振蕩頻率，適用于對性能和功耗都有超高要求的應用，
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格芯宣布推出基于行業(yè)領(lǐng)先的22FDX? FD-SOI 平臺的嵌入式磁性隨機存儲器

　　格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22納米 FD-SOI (22FDX?)平臺的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器(eMRAM)技術(shù)。作為業(yè)界最先進(jìn)的嵌入式內存解決方案，格芯22FDX eMRAM，為消費領(lǐng)域、工業(yè)控制器、數據中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車(chē)等廣泛應用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性?！　≌缃谠诿绹故镜?，格芯22FDX eMRAM具有業(yè)界領(lǐng)先的存儲單元尺寸，擁有在260°C回流焊中保留數據的能力，同時(shí)能使數據在125°C環(huán)境下保留10年以上。
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汽車(chē)安全性唾手可得　

面對備受關(guān)注的汽車(chē)安全問(wèn)題，不具備安全特性的CAN 2.0已經(jīng)無(wú)法滿(mǎn)足要求，本文介紹了新一代CAN總線(xiàn)標準——CAN FD，它比CAN 2.0快四倍，并且提供64字節的有效負載，可提供支持安全性所需的性能，能夠更好地解決汽車(chē)互聯(lián)的安全問(wèn)題。
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大容量的全新市場(chǎng)正在推動(dòng)半導體商機的涌現

預計半導體和代工市場(chǎng)將在2016-2020年出現強勁成長(cháng)，半導體年復合增長(cháng)率達4.4%，代工業(yè)年復合增長(cháng)率達7.1%，而且中國代工廠(chǎng)的年復合增長(cháng)率更高，達20%。2017年2月10日，格芯公司CEO Sanjay Jha博士在格芯成都工廠(chǎng)奠基典禮之后，向部分國內媒體介紹了格芯對全球半導體市場(chǎng)的看法及其業(yè)務(wù)擴展計劃。
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CAN-FD和以太網(wǎng)共筑未來(lái)十年的汽車(chē)數據總線(xiàn) — 快速、可靠(下)

接上篇5 從 CAN 遷移到 CAN-FD引入 CAN-FD 不會(huì )影響目前使用的諸如 LIN 和 MOST 等汽車(chē)網(wǎng)絡(luò )。要想把 CAN-FD 引入現有的 CAN 網(wǎng)絡(luò )，需要有適當的遷移路徑。這是因為， CAN-FD 兼容性節點(diǎn)除了能接受 CAN-FD幀外，也能接受當前的 CAN 幀，而不會(huì )出現任何錯誤。但是，如果存在 CAN-FD 幀，常規 CAN 節點(diǎn)會(huì ) 在網(wǎng)絡(luò )上生成錯誤幀。OEM 可以通過(guò)幾種措施來(lái)減輕遷移至真正 CAN-FD 網(wǎng)絡(luò )所需完成的工作量。典型方案：? 網(wǎng)絡(luò )中部署的新 ECU 必須能
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CAN-FD和以太網(wǎng)共筑未來(lái)十年的汽車(chē)數據總線(xiàn) — 快速、可靠(上)

? ? ?在汽車(chē)行業(yè)，汽車(chē)電子控制單元 (ECU) 經(jīng)歷了爆炸式增長(cháng)。這些 ECU 在遵循行業(yè)標準的基礎上還采用了一些專(zhuān) 用協(xié)議，逐漸從獨立單元發(fā)展成了網(wǎng)絡(luò )中的智能節點(diǎn)。其結果是，汽車(chē)網(wǎng)絡(luò )成本被拉低，同時(shí)其可靠性和性能得到了提高。在過(guò)去的十年里，我們看到，數據總線(xiàn)逐漸發(fā)展成了車(chē) 載網(wǎng)絡(luò )的標準。在接下來(lái)的十年里，我們相信，現有汽車(chē) 網(wǎng)絡(luò )協(xié)議必將經(jīng)歷一系列的擴展，標準網(wǎng)絡(luò )連接必將進(jìn)入汽車(chē)。本文對兩種新的汽車(chē)網(wǎng)絡(luò )連接協(xié)議進(jìn)行了分析，即 CAN-FD。圖1 ?標準 C
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莫大康冷靜看待成都的“格芯”

　　全球代工巨頭格羅方德(GF)在成都落子，與成都市政府合資建12英寸生產(chǎn)線(xiàn)，GF占51%，并引入中國半導體業(yè)非常有興趣的22FDX(FD-SOI)技術(shù)。　　“格芯”之所以引起業(yè)界關(guān)注有兩點(diǎn)：　　1)與廈門(mén)的”聯(lián)芯”一樣是合資企業(yè)，它不同于之前英特爾、海力士、三星及臺積電的獨資模式; 　　2)導入SOI技術(shù)，目前計劃是2018年開(kāi)始成熟制程量產(chǎn)，以及2019年是22納米的FD-SOI技術(shù)量產(chǎn)。　　為什么SOI技術(shù)對于中國是個(gè)亮點(diǎn)? 　　在摩爾
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胡正明續寫(xiě)摩爾傳奇 FinFET/FD-SOI廠(chǎng)商如何押寶？

　　近日格羅方德12英寸晶圓廠(chǎng)落戶(hù)中國成都引起業(yè)界關(guān)注，為何?因為FD-SOI技術(shù)。　　眾所周知，當柵極長(cháng)度逼近20nm大關(guān)時(shí)，對電流控制能力急劇下降，漏電率相應提高。FinFET與FD-SOI恰是半導體微縮時(shí)代續命的高招。　　盡管FinFET與FD-SOI師出同門(mén)，但是，兩者卻被“陣營(yíng)化”，FinFET陣營(yíng)占據絕對優(yōu)勢。格羅方德是為數不多的FD-SOI技術(shù)堅守與推動(dòng)者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格羅方德12英寸晶圓廠(chǎng)能給出答案。　　今天我們就來(lái)談?wù)凢i
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SOI與finFET工藝對比中國需要發(fā)展誰(shuí)才正確

中國半導體業(yè)發(fā)展可能關(guān)鍵不在于方向在那里?而是確定方向之后，如何踏實(shí)去干，去解決一個(gè)一個(gè)難題。任何進(jìn)步?jīng)]有捷徑，其中骨干企業(yè)的責任尤為重要。
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新型智能手表顯示FD-SOI正當時(shí)？

　　在今年，業(yè)界對FD-SOI的討論終于從理論性的制程技術(shù)比較，轉移到由產(chǎn)品與應用所決定的技術(shù)競爭。　　因為沒(méi)有可見(jiàn)的終端產(chǎn)品能證明其號稱(chēng)超低功耗的特色，全空乏絕緣上覆矽(fully Depleted Silicon On Insulator，FD-SOI)制程一直得努力克服半導體產(chǎn)業(yè)界許多工程師的質(zhì)疑，例如：該技術(shù)的好處在哪?在商業(yè)市場(chǎng)上有實(shí)際產(chǎn)品嗎?它真正的優(yōu)勢何在? 　　終于，現在有實(shí)際產(chǎn)品可以做為FD-SOI制程的實(shí)證──是一只中國智慧型手機品牌業(yè)者小米(Xiaomi)副品牌華米(Huami
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RF-SOI在中國已建立起完整的生態(tài)系統

　　日前在上海舉辦的“RF-SOI研討會(huì )”上，SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟稱(chēng)，RF-SOI生態(tài)系統現已建立完善，并成為天線(xiàn)調諧器與射頻開(kāi)關(guān)的主流技術(shù)，占據了95%的市場(chǎng)份額，該系統有利于IoT連接和5G的發(fā)展，為了更深層地與射頻前端器件結合，RF-SOI這種突破型技術(shù)還需要更多的創(chuàng )新和突破性的方案。　　　　目前，RF-SOI技術(shù)主要應用于智能手機、WiFi等無(wú)線(xiàn)通訊領(lǐng)域，具有性能高、成本低等優(yōu)勢。上海新傲科技股份有限公司總經(jīng)理王慶宇稱(chēng)，國際上3G/4G手機用的射頻器件
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