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東芝推出智能手機專(zhuān)用射頻天線(xiàn)開(kāi)關(guān)
- 東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布開(kāi)發(fā)出一種帶MIPI?RFFE接口的SP10T射頻天線(xiàn)開(kāi)關(guān)，其插入損耗堪稱(chēng)智能手機市場(chǎng)業(yè)界最低，尺寸堪稱(chēng)業(yè)界最小。該產(chǎn)品即日起交付樣品。
- 關(guān)鍵字： 東芝 射頻天線(xiàn) SOI
下一代FD-SOI制程將跳過(guò)20nm直沖14nm
- 在一場(chǎng)近日于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術(shù)研討會(huì )上，產(chǎn)業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示， FD-SOI 制程技術(shù)藍圖現在直接跳過(guò)了20nm節點(diǎn)，直接往14nm、接著(zhù)是10nm發(fā)展。 根據SOI Consortium執行總監Horacio Mendez在該場(chǎng)會(huì )議上展示的投影片與評論指出，14nm FD-SOI技術(shù)問(wèn)世的時(shí)間點(diǎn)約與英特爾 (Intel)的14nmFinFET相當，而兩者的性能表現差不多，F
- 關(guān)鍵字： ST FD-SOI 10nm
ST宣布les晶圓廠(chǎng)即將投產(chǎn)28納米FD-SOI
- 12月13日，意法半導體宣布其在28納米 FD-SOI 技術(shù)平臺的研發(fā)上又向前邁出一大步，即將在位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠(chǎng)投產(chǎn)該制程技術(shù)，這證明了意法半導體以28納米技術(shù)節點(diǎn)提供平面全耗盡技術(shù)的能力。在實(shí)現極其出色的圖形、多媒體處理性能和高速寬帶連接功能的同時(shí)，而不犧牲電池的使用壽命的情況下，嵌入式處理器需具有市場(chǎng)上最高的性能及最低的功耗，意法半導體28納米技術(shù)的投產(chǎn)可解決這一挑戰，滿(mǎn)足多媒體和便攜應用市場(chǎng)的需求。 FD-SOI技術(shù)平臺包括全功能且經(jīng)過(guò)硅驗證的設計平臺和設
- 關(guān)鍵字： ST 晶圓 FD-SOI
華潤上華第二代200V SOI工藝實(shí)現量產(chǎn)
- 華潤微電子有限公司(“華潤微電子”)附屬公司華潤上華科技有限公司(“華潤上華”)近日宣布，繼2010年首顆200V SOI CDMOS產(chǎn)品量產(chǎn)后，日前更高性?xún)r(jià)比的第二代SOI工藝實(shí)現量產(chǎn)。該工藝是一種集成多種半導體器件的集成電路制造技術(shù)，由華潤上華在2010年實(shí)現量產(chǎn)的一代工藝基礎上作了工藝升級，達到更高的性?xún)r(jià)比，這在國內尚屬首家。第二代工藝的推出顯示了華潤上華已經(jīng)全面掌握了SOI工藝技術(shù)，具備了根據市場(chǎng)需求持續開(kāi)發(fā)具有自主知識產(chǎn)權的SOI工藝技術(shù)能力。
- 關(guān)鍵字： 華潤微電子 半導體 SOI
意法委托GLOBALFOUNDRIES代工FD-SOI芯片
- 橫跨多重電子應用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼：STM)宣布，引領(lǐng)全球半導體技術(shù)升級的半導體代工廠(chǎng)商 GLOBALFOUNDRIES將采用意法半導體專(zhuān)有的 FD-SOI(Fully Depleted Silicon-on-Insulator，全耗盡絕緣體上硅)技術(shù)為意法半導體制造28納米和20納米芯片。當今的消費者對智能手機和平板電腦的期望越來(lái)越高，要求既能處理精美的圖片，支持多媒體和高速寬帶上網(wǎng)功能，同時(shí)又不能犧牲電池壽命。在設
- 關(guān)鍵字： 意法 芯片 FD-SOI
ARM發(fā)布45納米SOI測試結果，最高節能40%
- ARM公司近日在于加州福斯特市舉行的IEEE SOI大會(huì )上發(fā)布了一款絕緣硅(silicon-on-insulator，SOI)45納米測試芯片的測試結果。結果表明，相較于采用傳統的體效應工藝(bulk process)進(jìn)行芯片制造，該測試芯片顯示出最高可達40%的功耗節省的可能性。這一測試芯片是基于A(yíng)RM1176™ 處理器，能夠在SOI和體效應微處理器實(shí)施之間進(jìn)行直接的比較。此次發(fā)布的結果證實(shí)了在為高性能消費設備和移動(dòng)應用設計低功耗處理器時(shí)，SOI是一項取代傳統體效應工藝的可行技術(shù)。
- 關(guān)鍵字： ARM 45納米 SOI
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