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GlobalFoundries 32nm SOI制程良率突破兩位數

　　在最近召開(kāi)的GSA會(huì )議(GSA Expo conference)上，GlobalFoundries公司宣稱(chēng)其使用32nm SOI制程工藝制作的24Mbit SRAM芯片的良率已經(jīng)達到兩位數水平，預計年底良率有望達到50%左右。GlobalFoundries同時(shí)會(huì )在這個(gè)會(huì )議上展示其最新的制造設備。　　據稱(chēng)目前Intel 32nm Bulk制程技術(shù)的良率應已達到70-80%左右的水平，而且已經(jīng)進(jìn)入正式量產(chǎn)階段，在32nm制程方面他們顯然又領(lǐng)先了一大步。不過(guò)按AMD原來(lái)的計劃，32nm SOI制程將在2
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Soitec第一季度銷(xiāo)售額環(huán)比增長(cháng)22.3%

　　法國SOI技術(shù)公司Soitec公布2009-2010財年第一季度銷(xiāo)售額為4390萬(wàn)歐元(約合6190萬(wàn)美元)，環(huán)比增長(cháng)22.3%，同比減少27.2%。　　6月，Soitec在收到了主要客戶(hù)的急單之后，大幅上調了第一財季的預期，預測第一季度銷(xiāo)售額環(huán)比增長(cháng)20%。　　第一季度，Soitec稱(chēng)晶圓銷(xiāo)售收入為4110萬(wàn)歐元(約合5790萬(wàn)美元)，環(huán)比增長(cháng)30.8%。其中300mm晶圓占了84%的份額，環(huán)比增長(cháng)35%。
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Global Foundries挖角為新廠(chǎng)Fab2鋪路

　　Global Foundries再度展開(kāi)挖角，繼建置布局營(yíng)銷(xiāo)業(yè)務(wù)、設計服務(wù)團隊之后，這次延攬建廠(chǎng)、廠(chǎng)務(wù)人才并將目標鎖定半導體設備商，Global Foundries預計2009年7月破土的Fab 2正在緊鑼密鼓策畫(huà)中，這次延攬的Norm Armour原屬設備龍頭應用材料(Applied Materials)服務(wù)事業(yè)群高層，而Eric Choh則是原超微(AMD)晶圓廠(chǎng)營(yíng)運干部，兩人都熟稔晶圓廠(chǎng)設備系統與IBM技術(shù)平臺。　　Global Foundries宣布新一波人事布局，主要是為了積極籌備位于紐
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Global Foundries志在英特爾　臺廠(chǎng)不是主要對手

　　Global Foundries制造系統與技術(shù)副總裁Tom Sonderman表示，Global Foundries位于紐約Fab 2將于7月破土，專(zhuān)攻28納米制程已以下制程技術(shù)，未來(lái)將持續延攬來(lái)自各界半導體好手加入壯大軍容，同時(shí)他也指出，目前45/40納米良率水平成熟并獲利可期，2009年底前Fab 1將全數轉進(jìn)40/45納米制程。Global Foundries表示，在晶圓代工領(lǐng)域臺積電雖是對手之一，但真正的目標(Bench Mark)其實(shí)對準英特爾(Intel)。　　競爭對手臺積電45/40
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英飛凌與LS合組新公司，聚焦白家電電源模塊

　　新聞事件：　　韓國LS與英飛凌科技共同成立LS Power Semitech Co., Ltd 　　事件影響：　　將使英飛凌和LSI得以加速進(jìn)入高效能家電、低功率消費與標準工業(yè)應用等前景好的市場(chǎng) 　　LS預計于2010年1月在天安市的生產(chǎn)基地開(kāi)始量產(chǎn)CIPOS模塊　　韓國LS Industrial Systems與英飛凌科技(Infineon)共同成立了一家合資公司──LS Power Semitech Co., Ltd，將聚焦于白色家電壓模電源模塊的研發(fā)、生產(chǎn)與行銷(xiāo)。　　合
關(guān)鍵字：英飛凌 IGBT CIPOS 射極控制二極管技術(shù) SOI

新型部分耗盡SOI器件體接觸結構

提出了一種部分耗盡SOI MOSFET體接觸結構，該方法利用局部SIMOX技術(shù)在晶體管的源、漏下方形成薄氧化層，采用源漏淺結擴散，形成體接觸的側面引出，適當加大了Si膜厚度來(lái)減小體引出電阻。利用ISE一TCAD三維器件模擬結果表明，該結構具有較小的體引出電阻和體寄生電容、體引出電阻隨器件寬度的增加而減小、沒(méi)有背柵效應。而且，該結構可以在不增加寄生電容為代價(jià)的前提下，通過(guò)適當的增加si膜厚度的方法減小體引出電阻，從而更有效地抑制了浮體效應。
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IMEC加入SOI聯(lián)盟

據EE Times網(wǎng)站報道，旨在推進(jìn)SOI晶圓應用的產(chǎn)業(yè)組織SOI聯(lián)盟（SOI Consortium）宣布，比利時(shí)研究機構IMEC已加入協(xié)會(huì )作為學(xué)術(shù)會(huì )員。 IMEC是一家獨立的納電子研究中心，已在SOI技術(shù)領(lǐng)域積極開(kāi)展研究超過(guò)20年。IMEC開(kāi)展的合作性CMOS微縮研究較商用制造水平超前2至3個(gè)節點(diǎn)。IMEC不僅研究SOI相關(guān)的器件原
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加快推進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)材料本土化合作

由上海市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì )舉辦的“集成電路產(chǎn)業(yè)材料本土化合作交流會(huì )”2月17日在張江休閑中心召開(kāi)。來(lái)自上海新陽(yáng)半導體材料有限公司、安集微電子（上海）有限公司、上海新傲科技有限公司、上海華誼微電子材料有限公司等集成電路材料企業(yè)就高純CU電鍍液、SOI外延片、CMP拋光液、清洗液及高純化學(xué)試劑等新材料、新工藝做了介紹。會(huì )上近60位長(cháng)三角地區晶圓制造企業(yè)代表參與并就四個(gè)報告進(jìn)行交流。 &nb
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SOI的CAN收發(fā)器實(shí)現EMC優(yōu)化重大突破

網(wǎng)絡(luò )電子系統在汽車(chē)和工業(yè)應用中日益得到廣泛部署，飛利浦采用獨特的新型絕緣體上硅芯片(SOI)技術(shù)推出的控制...
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用IC激發(fā)汽車(chē)電子的創(chuàng )新

訪(fǎng)NXP 高級副總裁兼首席技術(shù)官 Rene Penning de Vires 當人們在逐步習慣使用車(chē)用遙控門(mén)鎖（Remote Keyless Entry）打開(kāi)車(chē)門(mén)的時(shí)候，也在慢慢淡忘曾經(jīng)的手動(dòng)金屬鑰匙。將來(lái)，被稱(chēng)作“駛向未來(lái)的鑰匙”的智能鑰匙又會(huì )怎樣簡(jiǎn)化汽車(chē)的駕乘？智能鑰匙其實(shí)是采用了NFC(近距離無(wú)線(xiàn)通信)、GPS無(wú)線(xiàn)技術(shù)和顯示技術(shù)的智能卡?？梢酝ㄟ^(guò)顯示屏直觀(guān)地顯示汽車(chē)停泊的位置、安全狀態(tài)等等信息，并且可以打造成一個(gè)非接觸式支付的多功能錢(qián)包。智能鑰匙通過(guò)無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )將駕
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滿(mǎn)足高溫環(huán)境需求的汽車(chē)電子器件

汽車(chē)中使用的電子器件數量在不斷增多，而且這一趨勢也開(kāi)始出現在一些由于環(huán)境惡劣而通常難以使用具有成本效益 ...
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新SOI電路模型應邀競爭國際標準北大微電子研究爭創(chuàng )世界一流水平

　　近日，北京大學(xué)微電子學(xué)研究院教授何進(jìn)博士的喜接美國電子和信息技術(shù)聯(lián)合會(huì ) (GEIA: Government Electronics & Information Technology Association）旗下的國際集成電路模型標準化委員會(huì )（CMC： Compact modeling Council）的主席邀請函，邀請何進(jìn)教授參加于6月5日到6日在美國波士頓舉行的關(guān)于新一代SOI 集成電路國際標準模型選擇的CMC會(huì )議，攜帶北京大學(xué)自主研發(fā)的新SOI電路模型競爭高科技IT技術(shù)—納米
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愛(ài)特梅爾推出采用BCD-on-SOI技術(shù)的高溫驅動(dòng)器IC

　　愛(ài)特梅爾公司宣布推出全新高溫六路半橋驅動(dòng)器芯片ATA6837和ATA6839。這兩款產(chǎn)品采用愛(ài)特梅爾的0.8 um 高壓BCD-on-SOI技術(shù) (SMART-I.S.?) 制造，可采用尺寸更小的低成本QFN封裝。新推器件具有高承壓能力 (高達40V)，因而既可用于客車(chē) (如空調系統出風(fēng)口控制)，也可用于24V卡車(chē)。此外，這些器件還具有多種保護功能。　　ATA6837是帶有集成功率級的完全保護的六路半橋驅動(dòng)器IC。經(jīng)由微控制器 (如愛(ài)特梅爾符合汽車(chē)規范要求的AVR? 微控制器ATm
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Atmel采用BCD-on-SOI技術(shù)的高溫驅動(dòng)器集成電路

　　Atmel推出新型高溫六邊形半橋驅動(dòng)器集成電路 (IC) ATA6837 和 ATA6839。ATA6837 和 ATA6839 采用 Atmel 的高壓 0.8 um BCD-on-SOI 技術(shù) (SMART-I.S.(R)) 制造，該技術(shù)使得采用更小、成本更低的 QFN封裝成為可能。鑒于其高壓性能（高達 40V），這些新設備可同時(shí)用于乘用車(chē)應用（如空調系統的片控制）以及 24V 卡車(chē)應用。這些設備還具備廣泛的保護功能。　　ATA6837 是一個(gè)得到充分保護、擁有全面功率級的六邊形半橋驅動(dòng)器 I
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19家半導體業(yè)者加入SOI未來(lái)高能效

19位業(yè)界成員共組SOI策略聯(lián)盟，將致力于IP、設計環(huán)境營(yíng)造，EDA業(yè)者也投入。據臺灣媒體報道，半導體業(yè)者第1個(gè)絕緣層上覆矽(Silicon-On Insulator；SOI)業(yè)界聯(lián)盟成軍，共計19家半導體業(yè)者加入，除了原本就采SOI制程的美商超微(AMD)、新加坡特許半導體(Chartered Semiconducto
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