意法委托GLOBALFOUNDRIES代工FD-SOI芯片

　　橫跨多重電子應用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼：STM)宣布，引領(lǐng)全球半導體技術(shù)升級的半導體代工廠(chǎng)商 GLOBALFOUNDRIES將采用意法半導體專(zhuān)有的 FD-SOI(Fully Depleted Silicon-on-Insulator，全耗盡絕緣體上硅)技術(shù)為意法半導體制造28納米和20納米芯片。當今的消費者對智能手機和平板電腦的期望越來(lái)越高，要求既能處理精美的圖片，支持多媒體和高速寬帶上網(wǎng)功能，同時(shí)又不能犧牲電池壽命。在設備廠(chǎng)商滿(mǎn)足消費者這些需求的努力中，意法半導體的FD-SOI芯片的量產(chǎn)和上市將起到至關(guān)重要的作用。

　　多媒體融合應用需要性能和能效兼備的半導體技術(shù)。隨著(zhù)芯片外觀(guān)尺寸不斷縮小，傳統技術(shù)無(wú)法使晶體管的性能和電池壽命同時(shí)達到最高水準，無(wú)法在實(shí)現最優(yōu)性能的同時(shí)確保溫度不超過(guò)安全限制。解決之道是采用FD-SOI技術(shù)，該技術(shù)兼備最高性能、低工作功耗(在各種應用中，降低電源功率后還能保持良好的性能)和低待機功耗。

　　憑借其注重成本效益的平面型FD-SOI技術(shù)，意法半導體率先推出了28納米的全耗盡型器件，遙遙領(lǐng)先競爭對手。為FD-SOI貨源提供雙重保障，意法半導體與GLOBALFOUNDRIES簽訂了代工協(xié)議，以補充意法半導體位于法國Crolles工廠(chǎng)的產(chǎn)能。28n納米FD-SOI器件目前已商用化，預計于2012年7月前投入原型設計;而 20納米 FD-SOI器件目前處于研發(fā)階段，預計2013年第三季度投入原型設計。

　　意法半導體的FD-SOI技術(shù)已被ST-Ericsson用于下一代移動(dòng)平臺，這項技術(shù)將使ST-Ericsson的 NovaThor™平臺具有更高的性能和更低的功耗，在發(fā)揮最高性能的時(shí)候可降低功耗達35%。

　　意法半導體計劃向GLOBALFOUNDRIES的其它客戶(hù)開(kāi)放FD-SOI技術(shù)，讓他們能夠使用目前最先進(jìn)的 28納米和20納米技術(shù)研發(fā)產(chǎn)品。

　　意法半導體負責數字娛樂(lè )事業(yè)部前端制造和工藝研發(fā)業(yè)務(wù)副總裁Joel Hartmann表示：“意法半導體和合作伙伴的試驗證明，FD-SOI的性能和功耗遠遠優(yōu)于傳統技術(shù)。FD-SOI是無(wú)線(xiàn)設備芯片和平板電腦芯片的最佳選擇，雖然這項技術(shù)仍然使用傳統的平面技術(shù)，但是能夠提供全耗盡型晶體管的諸多優(yōu)點(diǎn)，我們與 GLOBALFOUNDRIES的代工協(xié)議可為我們的客戶(hù)提供更穩定可靠的貨源。”

　　意法半導體負責設計支持和服務(wù)的副總裁Philippe Magarshack進(jìn)一步表示： “因為沒(méi)有MOS歷史效應影響(MOS-history-effect)，從28納米塊狀硅(Bulk CMOS)技術(shù)向28納米FD-SOI移植軟件庫和物理IP內核很簡(jiǎn)單。使用傳統的CAD工具和方法研發(fā)FD-SOI數字系統芯片與研發(fā)傳統CMOS制造工藝技術(shù)完全相同。此外，通過(guò)動(dòng)態(tài)優(yōu)化電路基片(俗稱(chēng)襯底)，FD-SOI還可讓同一芯片具有極高的性能或極低的功耗。最后，FD-SO在低電壓條件下性能出色，能效明顯高于傳統的CMOS技術(shù)。”

　　GLOBALFOUNDRIES的首席技術(shù)官Gregg Bartlett表示：“今天的代工協(xié)議證明，產(chǎn)業(yè)合作對于采用尖端技術(shù)提供解決方案至關(guān)重要。 我們與意法半導體保持長(cháng)期的合作關(guān)系，合作范圍包括研發(fā)、制造，以及SOI技術(shù)。我們很高興能夠與意法半導體合作，把下一代SOI技術(shù)推入市場(chǎng)，引領(lǐng)移動(dòng)革命繼續深入發(fā)展。”