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fd-soi: 文章 進(jìn)入fd-soi:技術(shù)社區
格羅方德推出12nm FD-SOI工藝并拓展FDX路線(xiàn)圖
- 格羅方德9月8日發(fā)布12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM，實(shí)現了業(yè)內首個(gè)多節點(diǎn)FD-SOI路線(xiàn)圖。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎之上，12FDXTM提供全節點(diǎn)縮放和超低功耗，并通過(guò)軟件控制實(shí)現按需定制性能，專(zhuān)為未來(lái)的移動(dòng)計算、5G連接、人工智能、無(wú)人駕駛汽車(chē)等各類(lèi)應用智能系統而設計。 隨著(zhù)數以百萬(wàn)計的互聯(lián)設備出現，世界正在逐步融合為一體，眾多新興的應用也不斷要求著(zhù)半導體的進(jìn)一步創(chuàng )新。用于實(shí)現這些應用的芯片正逐漸演進(jìn)為微系統，集成包括無(wú)線(xiàn)連接、非易失性存
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格羅方德半導體推出12nm FD-SOI工藝，拓展FDX路線(xiàn)圖
- 格羅方德半導體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM，實(shí)現了業(yè)內首個(gè)多節點(diǎn)FD-SOI路線(xiàn)圖，從而延續了其領(lǐng)先地位。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎之上，專(zhuān)為未來(lái)的移動(dòng)計算、5G連接、人工智能、無(wú)人駕駛汽車(chē)等各類(lèi)應用智能系統而設計。 隨著(zhù)數以百萬(wàn)計的互聯(lián)設備出現，世界正在逐步融合為一體，眾多新興的應用也不斷要求著(zhù)半導體的進(jìn)一步創(chuàng )新。用于實(shí)現這些應用的芯片正逐漸演進(jìn)為微系統，集成包括無(wú)線(xiàn)連接、非易失性存儲器以及電源管理等在內的越來(lái)越多的組件，
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格羅方德半導體推出生態(tài)系統合作伙伴計劃以加快未來(lái)互聯(lián)系統創(chuàng )新
- 格羅方德半導體今日宣布一項全新合作伙伴計劃FDXcelerator™，該生態(tài)系統旨在為客戶(hù)加速基于22FDX™的片上系統設計，并縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。 隨著(zhù)公司新一代12FDX™的發(fā)布，格羅方德現提供業(yè)內首個(gè)FD-SOI 路線(xiàn)圖，并隨之建立了FDXcelerator™合作伙伴計劃，為希望實(shí)現先進(jìn)節點(diǎn)設計的客戶(hù)提供了一條低成本的遷移路徑。 通過(guò)格羅方德半導體和FDXcelerator合作伙伴解決方案，客戶(hù)將能打造各類(lèi)創(chuàng )新的22FDX 片上系統解決方
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28納米FD-SOI制程嵌入式存儲器即將問(wèn)世
- Samsung Foundry準備開(kāi)始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項。 三星晶圓代工業(yè)務(wù)(Samsung Foundry)準備開(kāi)始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM (spin torque transfer magnetic RAM)以及快閃記憶體，做為嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項??。 Samsung Foundry行銷(xiāo)暨業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)負責人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪(fǎng)問(wèn)時(shí)表示，該
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FD-SOI制程決勝點(diǎn)在14nm！
- 產(chǎn)業(yè)資深顧問(wèn)Handel Jones認為，半導體業(yè)者應該盡速轉移14奈米FD-SOI (depleted silicon-on-insulator)制程，利用該技術(shù)的眾多優(yōu)勢… 半 導體與電子產(chǎn)業(yè)正努力適應制程節點(diǎn)微縮至28奈米以下之后的閘成本(gate cost)上揚;如下圖所示，在制程微縮同時(shí)，每單位面積的邏輯閘或電晶體數量持續增加，其速率高于晶圓片成本增加的速率。在另一方面，當制程特征尺寸縮 減時(shí)，晶片系統性與參數性良率會(huì )降低，帶來(lái)較高的閘成本。
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Globalfoundries正進(jìn)行下一代FD-SOI制程開(kāi)發(fā)
- Globalfoundries技術(shù)長(cháng)GaryPatton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術(shù)可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開(kāi)發(fā)后續制程。 晶圓代工業(yè)者Globalfoundries技術(shù)長(cháng)GaryPatton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽(fully-depletedsilicon-on-insulator，FD-SOI)制程技術(shù)可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開(kāi)發(fā)后續制程。 Globalfoundries聲稱(chēng)其針對不同應用最佳化的22FDX平臺四種制程，能提
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RF-SOI技術(shù)：加強5G網(wǎng)絡(luò )和智能物聯(lián)網(wǎng)應用
- 今天的智能手機和平板電腦內均裝有射頻(RF)前端模塊(FEM)，一般包括功率放大器(PA)、開(kāi)關(guān)、可調諧電容器和過(guò)濾器。射頻絕緣體上硅(RF SOI)等技術(shù)可支持移動(dòng)設備調整和獲取蜂窩信號——在更廣泛的區域為無(wú)線(xiàn)設備提供持續強勁且清晰的網(wǎng)絡(luò )連接?！ ∫苿?dòng)市場(chǎng)對RF SOI的追捧持續升溫，因為它以高性?xún)r(jià)比實(shí)現了低插入損耗，在廣泛的頻段內實(shí)現低諧波和高線(xiàn)性度。RF SOI是一個(gè)雙贏(yíng)的技術(shù)選擇，能夠提高智能手機和平板電腦的性能和數據傳輸速度，同時(shí)有望在物聯(lián)網(wǎng)中發(fā)揮關(guān)鍵作用?！ ?/li>
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FD-SOI會(huì )是顛覆性技術(shù)嗎？
- 全耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術(shù)正從原本的“遲到”(too-late)位置搖身一變，成為可望在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)與汽車(chē)市場(chǎng)取代鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)的理想替代方案了。對于許多人來(lái)說(shuō)，業(yè)界主導廠(chǎng)商代表出席一場(chǎng)相關(guān)領(lǐng)域的業(yè)界活動(dòng)，象征著(zhù)為這項技術(shù)背書(shū)。 “我認為，FD-SOI正蓄勢待發(fā)。也許還得經(jīng)過(guò)幾年的時(shí)間，但它終將獲得新的動(dòng)能，并發(fā)展成為一項關(guān)鍵技術(shù)，”International Business Strategies (IBS)創(chuàng )
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中國真的對FD-SOI制程技術(shù)有興趣？
- 身為一位記者，我發(fā)現撰寫(xiě)有關(guān)于“熱門(mén)”公司、技術(shù)與人物的報導，要比我通常負責的技術(shù)主題容易得多;一旦我寫(xiě)了那些“時(shí)髦”的標題，我會(huì )確實(shí)感受到人氣飆漲。 因 為幾乎每家媒體都窮追不舍，我不需要向讀者解釋為何我要寫(xiě)那些，以及那些新聞為何對他們重要;我馬上想到的是美國總統候選人川普(Donald Trump)、蘋(píng)果(Apple)還有FinFET。而相反的，要寫(xiě)冷門(mén)題材、比較少人討論的話(huà)題，挑戰性就高得多;部分讀者會(huì )有先入為主的看法，認為那 些題目不關(guān)他們
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Soitec半導體公司和FD-SOI技術(shù)：選擇理想的企業(yè)和技術(shù)，助力中國創(chuàng )新藍圖
- 全球領(lǐng)先的絕緣硅(SOI)晶圓制造商法國Soitec半導體公司今日在北京舉辦的新聞發(fā)布會(huì )中介紹了該公司在中國市場(chǎng)的發(fā)展歷史、全耗盡絕緣硅(FD-SOI)基板的成熟性和生產(chǎn)及準備狀態(tài)、FD-SOI的最新進(jìn)展及其生態(tài)系統。與會(huì )發(fā)言人包括Soitec公司市場(chǎng)和業(yè)務(wù)拓展部高級副總裁Thomas Piliszczuk， 以及Soitec公司數字電子商務(wù)部高級副總裁Christophe Maleville。會(huì )上主要討論的問(wèn)題包括該技術(shù)是否適合各代工廠(chǎng)及應用設計師廣泛使用，更重要的是，該技術(shù)如何解決中國半導體行業(yè)及
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三星發(fā)飆：半導體28nm FD-SOI投片 功耗暴降一半
- 蘋(píng)果(Apple)宣布以182萬(wàn)美元從美信半導體(Maxim Integrated)買(mǎi)下位于加州圣荷西的一座8吋晶圓廠(chǎng)。專(zhuān)家分析認為，此舉并不會(huì )影響與蘋(píng)果合作的晶圓代工廠(chǎng)生意。 據SemiWiki報導指出，SEMI World Fab Watch Database資料顯示，蘋(píng)果買(mǎi)下的晶圓廠(chǎng)于1987年建立，即使全面開(kāi)工每月也只能生產(chǎn)1萬(wàn)片晶圓，規模相對小且老舊，無(wú)法生產(chǎn)蘋(píng)果所需的應用處理器(AP)。 蘋(píng)果最新AP采16/14納米FinFET制程，而10納米制程也正在開(kāi)發(fā)中。8吋晶圓近日才微
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手機鏈考量？技術(shù)分水嶺抉擇？大陸半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展FD-SOI
- DIGITIMES Research觀(guān)察，大陸半導體產(chǎn)業(yè)近期積極擁抱全空乏絕緣上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI，有時(shí)也稱(chēng)Ultra-Thin Body;UTB)制程技術(shù)，包含拜會(huì )關(guān)鍵晶圓片底材供應商、簽署相關(guān)合作協(xié)議、于相關(guān)高峰論壇上表態(tài)等。大陸選擇FD-SOI路線(xiàn)，而非臺積電(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特爾(Intel)的FinFET(鰭式場(chǎng)效電晶體)路線(xiàn)，估與手
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Leti從FD-SOI學(xué)到的一課：打造生態(tài)系統
- 今年由歐洲兩大主要研發(fā)中心——法國CEA-Leti和比利時(shí)IMEC舉辦的年度開(kāi)放日活動(dòng)剛好都在六月的同一時(shí)期舉行。但這種時(shí)程的沖突并不是有意的，至少Leti是這么認為。Leti的一位官方代表指出，“在過(guò)去七年來(lái)我們一直是在六月的同一周舉行年度活動(dòng)。對他們來(lái)說(shuō)，我們的排程應該不是什么秘密。” Leti位于法國格勒諾布爾市創(chuàng )新園區的核心地帶 不過(guò)，位于格勒諾布爾的Leti Days和位于布魯塞爾的IMEC技術(shù)論壇這兩大
- 關(guān)鍵字： FD-SOI 物聯(lián)網(wǎng)
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