ARM發(fā)布45納米SOI測試結果，最高節能40%

　　ARM公司近日在于加州福斯特市舉行的IEEE SOI大會(huì )上發(fā)布了一款絕緣硅(silicon-on-insulator，SOI)45納米測試芯片的測試結果。結果表明，相較于采用傳統的體效應工藝(bulk process)進(jìn)行芯片制造，該測試芯片顯示出最高可達40%的功耗節省的可能性。這一測試芯片是基于ARM1176™ 處理器，能夠在SOI和體效應微處理器實(shí)施之間進(jìn)行直接的比較。此次發(fā)布的結果證實(shí)了在為高性能消費設備和移動(dòng)應用設計低功耗處理器時(shí)，SOI是一項取代傳統體效應工藝的可行技術(shù)。

　　ARM®和Soitec聯(lián)合制造了這款測試芯片，在采用了一個(gè)著(zhù)名的、行業(yè)標準的內核的實(shí)際芯片實(shí)施中顯示出功耗節省的可能性。其目的是對用于同一產(chǎn)品的45納米SOI高性能技術(shù)和體效應CMOS 45納米低功耗技術(shù)作出比較。

　　ARM公司物理IP部門(mén)副總裁Tom Lantzsch表示：“作為物理IP和處理器技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導者，ARM一直以來(lái)都積極倡導SOI可能會(huì )給我們客戶(hù)的產(chǎn)品帶來(lái)的益處。通過(guò)對體效應和SOI的比較投入資源，我們得以提供有用的數據來(lái)驗證之前的推測論斷，證明SOI的確能夠在提供性能的同時(shí)實(shí)現功耗節省。”

　　這一芯片測試結果顯示，與以同樣速度運行的體效應CMOS低功耗技術(shù)相比，45納米高性能SOI技術(shù)能夠提供高達40%的功耗節省以及7%的電路面積減小。在某些特定的測試應用中，該芯片測試結果還顯示，當以比體效應技術(shù)高出20%的運行頻率工作時(shí)，該芯片能夠實(shí)現30%的整體功耗節省。

　　IBM公司半導體產(chǎn)品和服務(wù)部門(mén)副總裁Mark Ireland表示：“這一由ARM和Soitec共同完成的評測標尺清楚地顯示了我們的第六代45納米SOI技術(shù)能夠帶來(lái)的性能功耗比方面的益處。該技術(shù)目前已可向ASIC和代工廠(chǎng)客戶(hù)提供。采用一個(gè)行業(yè)標準的ARM處理器來(lái)驗證SOI的功耗優(yōu)勢，表明了數字消費電子產(chǎn)品領(lǐng)域采用SOI的可能性。”

　　SOI Industry Consortium執行董事Horacio Mendez表示：“作為SOI Consortium的成員，這兩家公司共同為SOI技術(shù)可能為采用電池供電的應用所帶來(lái)的功耗效率提升提供了一個(gè)實(shí)證，這對于整個(gè)行業(yè)而言是一項重要的成就。許多公司在針對其技術(shù)做制造決定時(shí)，都能夠從這一數據獲益。”

　　該實(shí)施采用了ARM和IBM的標準SOI庫和領(lǐng)先的EDA工具。對于采用基于IBM 45納米SOI技術(shù)的ARM和IBM庫的設計，也可獲得IP生態(tài)系統和制造解決方案的支持。