華潤上華200V SOI工藝開(kāi)發(fā)持續創(chuàng )新,產(chǎn)品再上新臺階

　　華潤微電子有限公司(“華潤微電子”)附屬公司華潤上華科技有限公司(“華潤上華”)近日宣布，繼2010年首顆200V SOI CDMOS產(chǎn)品量產(chǎn)后，日前更高性?xún)r(jià)比的第二代SOI工藝實(shí)現量產(chǎn)。該工藝是一種集成多種半導體器件的集成電路制造技術(shù)，由華潤上華在2010年實(shí)現量產(chǎn)的一代工藝基礎上作了工藝升級，達到更高的性?xún)r(jià)比，這在國內尚屬首家。第二代工藝的推出顯示了華潤上華已經(jīng)全面掌握了SOI工藝技術(shù)，具備了根據市場(chǎng)需求持續開(kāi)發(fā)具有自主知識產(chǎn)權的SOI工藝技術(shù)能力。華潤上華的這項技術(shù)填補了國內技術(shù)空白，并已成功打入國際市場(chǎng)，為三星、長(cháng)虹等國內外著(zhù)名PDP電視廠(chǎng)家提供芯片。

　　200V SOI CDMOS第一代工藝技術(shù)依托華潤上華現有的低壓CMOS工藝平臺，結合深槽刻蝕技術(shù)及SOI介質(zhì)隔離技術(shù)，開(kāi)發(fā)了200V NLDMOS 以及200V PLDMOS 以及200V 高壓特種器件NLIGBT，實(shí)現了芯片高電壓大電流驅動(dòng)能力。該工藝所采用的深槽刻蝕、填充方法與傳統的CMOS工藝生產(chǎn)線(xiàn)基本兼容，開(kāi)發(fā)成本低，不需要增加專(zhuān)用的深槽填充與平坦化設備，能較好地實(shí)現器件之間的隔離，是實(shí)現高壓器件工藝與普通低壓CMOS工藝相兼容的關(guān)鍵技術(shù)之一。二代工藝與一代工藝一樣，集成了多種MOS器件，包括：低壓5V 標準CMOS、200V高壓NLDMOS、200V 高壓PLDMOS、200V 高壓IGBT及作為ESD保護器件200V 高壓二極管。與一代工藝相比，二代工藝采用0.5μm 后段并對關(guān)鍵器件做了優(yōu)化調整，達到了更高的性?xún)r(jià)比。在研發(fā)過(guò)程中，該技術(shù)已累計申請涉及SOI的器件、結構、工藝、制造、測試驗證等多個(gè)方面的發(fā)明專(zhuān)利105項。

　　華潤上華的200V SOI CDMOS工藝可滿(mǎn)足國內設計公司對高壓、高功率產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)需求，同時(shí)也可滿(mǎn)足客戶(hù)對高壓電源驅動(dòng)管理——LED和PDP驅動(dòng)及控制類(lèi)芯片的巨大市場(chǎng)需求。采用的SOI圓片襯底材料由國內硅片廠(chǎng)家提供，可有效降低成本，提高了產(chǎn)品競爭力。與Si基比，SOI制造的芯片具有顯著(zhù)的節電效果，有利于大幅降低用電量。另外，SOI在高溫下性能非常穩定，具有高可靠性。目前全球能提供基于SOI工藝的PDP驅動(dòng)芯片僅有4家，采用華潤上華工藝的這款芯片在部分性能上已達到國際先進(jìn)水平。

　　SOI的應用非常廣泛，市場(chǎng)前景可觀(guān)。隨著(zhù)微處理器(CPU)、游戲機芯片(GPU)制程對SOI 技術(shù)需求愈來(lái)愈強，SOI 已成為各大晶圓代工角逐核心客戶(hù)青睞的武器，其應用市場(chǎng)已拓展到功率和靈巧器件以及MEMS 應用，特別是在汽車(chē)電子、顯示、無(wú)線(xiàn)通訊等方面發(fā)展迅速。VLSI研究預測，SOI市場(chǎng)未來(lái)幾年將會(huì )以健康的速率持續成長(cháng)，預期SOI未來(lái)5年的年均復合增長(cháng)率將達11%，到2012年 銷(xiāo)售額將達到11億美元。