Globalfoundries正進(jìn)行下一代FD-SOI制程開(kāi)發(fā)

　　Globalfoundries技術(shù)長(cháng)GaryPatton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術(shù)可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開(kāi)發(fā)后續制程。

　　晶圓代工業(yè)者Globalfoundries技術(shù)長(cháng)GaryPatton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽(fully-depletedsilicon-on-insulator，FD-SOI)制程技術(shù)可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開(kāi)發(fā)后續制程。

　　Globalfoundries聲稱(chēng)其針對不同應用最佳化的22FDX平臺四種制程，能提供媲美FinFET技術(shù)的性能與省電效益，而成本則是與平面28奈米CMOS制程相當;其制程的反偏壓(back-biasing)特性，能供從性能動(dòng)態(tài)改變電晶體運作的機會(huì )，將泄漏電流最小化。

　　不過(guò)目前先進(jìn)IC制程仍以FinFET技術(shù)為主流，該制程獲IP供應商以及各大晶圓代工業(yè)者擁護，包括Globalfoundries自己;而三星(Samsung)的晶圓代工廠(chǎng)也有提供28奈米FD-SOI制程。

　　Patton在IBM擔任研究人員多年，是在Globalfoundries收購IBM的半導體業(yè)務(wù)之后加入該公司;他在參加近日于布魯塞爾舉行的年度Imec科技論壇時(shí)，于場(chǎng)邊接受EETimes歐洲版編輯訪(fǎng)問(wèn)表示：“我們認為FinFET與FD-SOI都很適合行動(dòng)應用領(lǐng)域。”

　　根據Patton指出，其制程技術(shù)研發(fā)始于美國紐約州的Malta晶圓廠(chǎng)，并已經(jīng)轉移至德國的Dresden生產(chǎn)線(xiàn);其良率達成已經(jīng)比預計時(shí)間表提前，目前的焦點(diǎn)集中在建立設計IP庫。

　　Globalfoundries正在與一家名為Invecas的IP供應商合作，為14奈米FinFET制程與22奈米FD-SOI制程開(kāi)發(fā)基礎IP;而Globalfoundries準備在2016年底為客戶(hù)進(jìn)行22FDX制程試產(chǎn)，量產(chǎn)時(shí)程則預計在2017年。

　　Patton認為，FinFET制程的高驅動(dòng)電流特性非常適合在大型晶片驅動(dòng)訊號線(xiàn)，因為這類(lèi)晶片需求持續性能;不過(guò)對于較小型晶片以及對功耗較敏感的晶片，FD-SOI就是更好的選擇。Patton也指出，FinFET有一種量化驅動(dòng)機制(quantizeddriveregime)，開(kāi)發(fā)工程師必須選擇1個(gè)、2個(gè)甚至更多的鰭(fin)，但這并不適合類(lèi)比或射頻(RF)訊號。

　　雖然Globalfoundries力捧22FDX制程在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應用類(lèi)比與RF元件生產(chǎn)上的優(yōu)勢，Patton指出該制程也能因應數位IC需求：“有許多行動(dòng)應用數位晶片都是采用65奈米與40奈米制程，比起將之轉移至其他平面制程，例如FD-SOI，改用FinFET制程的成本很高。”

　　不過(guò)Globalfoundries的FD-SOI制程──起源是IBM的研究案，后來(lái)由意法半導體(STMicroelectronics)以及現在的Globalfoundries與三星所擁護──有個(gè)艱苦的孕育期，在一開(kāi)始與意法半導體簽署技術(shù)授權協(xié)議后，又過(guò)了四年才于Dresden晶圓廠(chǎng)量產(chǎn)。

　　隨著(zhù)FD-SOI的潛在設計案有可能別抱16奈米或是10奈米FinFET制程，缺乏技術(shù)藍圖有可能會(huì )成為FD-SOI的劣勢之一;當代IC設計牽涉大量的專(zhuān)有IP或是來(lái)自第三方合作供應商的IP，因此制程的延續性成為受關(guān)注的重點(diǎn)。

　　對此Patton表示：“我們下一代的全空乏制程已經(jīng)在Malta進(jìn)行開(kāi)發(fā)，”但他并未確認是哪個(gè)制程節點(diǎn);究竟目前最小的制程節點(diǎn)是多少仍有爭議，例如臺積電(TSMC)將推出的10奈米與7奈米制程，元件特征尺寸(featuresizes)分別是20奈米與14奈米，而以32奈米或36奈米的間距(pitch)進(jìn)行生產(chǎn)。