格羅方德推出12nm FD-SOI工藝并拓展FDX路線(xiàn)圖

　　格羅方德9月8日發(fā)布12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM，實(shí)現了業(yè)內首個(gè)多節點(diǎn)FD-SOI路線(xiàn)圖。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎之上，12FDXTM提供全節點(diǎn)縮放和超低功耗，并通過(guò)軟件控制實(shí)現按需定制性能，專(zhuān)為未來(lái)的移動(dòng)計算、5G連接、人工智能、無(wú)人駕駛汽車(chē)等各類(lèi)應用智能系統而設計。

　　隨著(zhù)數以百萬(wàn)計的互聯(lián)設備出現，世界正在逐步融合為一體，眾多新興的應用也不斷要求著(zhù)半導體的進(jìn)一步創(chuàng )新。用于實(shí)現這些應用的芯片正逐漸演進(jìn)為微系統，集成包括無(wú)線(xiàn)連接、非易失性存儲器以及電源管理等在內的越來(lái)越多的組件，這不斷驅動(dòng)著(zhù)對超低功耗的需求。格羅方德半導體全新的12FDX工藝正是專(zhuān)為實(shí)現這前所未有的系統集成度、設計靈活性和功耗調節而設計。

　　12FDX為系統集成樹(shù)立了全新標準，提供了一個(gè)將射頻(RF)、模擬、嵌入式存儲和高級邏輯整合到一個(gè)芯片的優(yōu)化平臺。此外，該工藝還通過(guò)軟件控制晶體管實(shí)現按需提供峰值性能，同時(shí)平衡靜態(tài)和動(dòng)態(tài)功耗以取得頂級能效，實(shí)現業(yè)內最廣泛的動(dòng)態(tài)電壓調節和無(wú)與倫比的設計靈活性。

　　格羅方德半導體首席執行官Sanjay Jha表示：“某些應用需要FinFET晶體管的高級性能，但大多數聯(lián)網(wǎng)設備需要在性能和功耗之間實(shí)現更高的集成度和靈活性，同時(shí)還要求低于 FinFET的成本。格羅方德的22FDX和12FDX工藝為打造下一代智能系統提供了一條新路徑，填補了行業(yè)路線(xiàn)圖的空白。我們的FDX平臺可大幅降低設計成本，重新打開(kāi)了先進(jìn)節點(diǎn)遷移的大門(mén)，并促進(jìn)生態(tài)系統內的進(jìn)一步創(chuàng )新。”

　　格羅方德半導體全新的12FDX工藝基于一個(gè)12nm全耗盡平面晶體管(FD-SOI)平臺，能夠以低于16nm FinFET的功耗和成本提供等同于10nm FinFET的性能。該平臺支持全節點(diǎn)縮放，性能比現有FinFET工藝提升了15%，功耗降低了50%。

　　林利集團的創(chuàng )始人兼首席分析師Linley Gwennap評價(jià)說(shuō)：“芯片制造已經(jīng)不再是將某一個(gè)微縮工藝用于一切產(chǎn)品。雖然FinFET是最高性能產(chǎn)品的首選技術(shù)，但對于許多成本敏感型的移動(dòng)和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，其要求以盡可能低的功耗提供仍然足夠的時(shí)鐘速度，行業(yè)路線(xiàn)圖并不夠清晰。格羅方德半導體的22FDX和12FDX技術(shù)定位恰到好處，填補了這一空缺，為先進(jìn)節點(diǎn)設計提供了另一個(gè)替代遷移路徑，尤其是針對那些希望降低功耗卻不增加量產(chǎn)成本的設計。格羅方德半導體現在是22nm及以下節點(diǎn) FD-SOI的唯一提供者，在業(yè)內擁有明確的差異化特征。”

　　VLSI研究的董事長(cháng)兼首席執行官G.Dan Hutcheson說(shuō)：“格羅方德半導體的22FDX 工藝平臺面世之初，我便注意到了其具備能夠改變市場(chǎng)游戲規則的一些特性。對于希望實(shí)現差異化設計的廠(chǎng)商來(lái)說(shuō)，實(shí)現實(shí)時(shí)權衡功耗和性能是一個(gè)不容忽視的問(wèn)題?，F在格羅方德半導體提供全新的12FDX ，明確顯示了其要為這種技術(shù)提供一個(gè)路線(xiàn)圖的承諾，尤其是針對物聯(lián)網(wǎng)和汽車(chē)市場(chǎng)——這兩者是當下最具顛覆性的市場(chǎng)力量，我相信格羅方德半導體的FD-SOI技術(shù)將成為這一顛覆的關(guān)鍵推動(dòng)者。”

　　IBS, Inc創(chuàng )始人兼CEO Handel Jones表示：“FD-SOI技術(shù)能夠為那些需要差異化設計的廠(chǎng)商實(shí)現功耗、性能和成本之間的實(shí)時(shí)權衡。格羅方德推出全新12FDX，提供了業(yè)內首個(gè)FD-SOI路線(xiàn)圖，為先進(jìn)節點(diǎn)設計提供了一條最低成本的遷移路徑，有助于實(shí)現未來(lái)的智能客戶(hù)端、5G、AV/VR和汽車(chē)市場(chǎng)互聯(lián)系統。”

　　目前，格羅方德位于德國德累斯頓的正在全力準備進(jìn)行12FDX平臺的研發(fā)活動(dòng)和后續生產(chǎn)?？蛻?hù)流片預計將于2019年上半年啟動(dòng)。

　　中科院院士、上海微系統與信息技術(shù)研究所所長(cháng)王曦博士表示：“我們?yōu)楦窳_方德半導體的12FDX產(chǎn)品和其將為中國客戶(hù)帶來(lái)的價(jià)值感到非常高興。FD-SOI路線(xiàn)圖的拓展，將幫助客戶(hù)更好利用FDX技術(shù)功耗效率和性能優(yōu)勢，打造出在移動(dòng)、物聯(lián)網(wǎng)和汽車(chē)等市場(chǎng)有競爭力的產(chǎn)品。”

　　恩智浦(NXP)半導體i.MX應用處理器產(chǎn)品線(xiàn)副總裁Ron Martino指出：“恩智浦半導體公司的下一代多媒體應用處理器正在使用FD-SOI的優(yōu)勢，以奠定其在汽車(chē)、工業(yè)和消費應用中提供超低功耗和按需調整性能的領(lǐng)先地位。格羅方德半導體的12FDX技術(shù)將FD-SOI拓展到了下一個(gè)節點(diǎn)，是對這個(gè)行業(yè)一個(gè)極大的補充。其將會(huì )進(jìn)一步擴大平面結構器件提供更低風(fēng)險、更廣泛動(dòng)態(tài)范圍以及更具競爭力性?xún)r(jià)比的能力，從而實(shí)現未來(lái)的智能聯(lián)網(wǎng)安全系統。”

　　芯原股份有限公司總裁兼首席執行官戴偉民說(shuō)：“芯原股份有限公司利用其平臺化芯片設計服務(wù)(SiPaaS)和為片上系統提供一流IP和設計服務(wù)的經(jīng)驗，成為FD-SOI設計的先行者之一。FD-SOI技術(shù)的獨特優(yōu)勢為我們在汽車(chē)、物聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)連接和消費電子市場(chǎng)細分領(lǐng)域具備了差異化特征。我們期待擴大和格羅方德半導體的合作，利用其12FDX向我們中國市場(chǎng)的客戶(hù)提供高質(zhì)量、低功耗和經(jīng)濟高效的解決方案。”

　　法國原子能中心科研所(CEA Tech)下屬研究機構CEA-LETI首席執行官Marie Semeria指出：“12FDX的發(fā)展將在功耗、性能和智能調節方面實(shí)現另一個(gè)突破，因為12nm能夠實(shí)現最佳的雙重曝光，而且能夠以最低的制程復雜度提供最好的系統性能和功耗。LETI團隊和格羅方德半導體在美國和德國為了FD-SOI技術(shù)的擴展路線(xiàn)圖相互協(xié)作，取得了這個(gè)可喜的成果，其將成為實(shí)現聯(lián)網(wǎng)設備的片上系統完全集成的最佳平臺。”

　　Soitec的首席執行官Paul Boudre說(shuō)：“我們非常高興地看到22FDX擁有強大的發(fā)展動(dòng)力，擁有非常堅定的無(wú)晶圓廠(chǎng)商客戶(hù)采用者。格羅方德12FDX技術(shù)將進(jìn)一步擴大FD-SOI的市場(chǎng)普及。Soitec已經(jīng)做好充分的準備來(lái)支持格羅方德半導體，為其提供高產(chǎn)量、高質(zhì)量的22nm至12nm的FD-SOI襯底。”