28納米FD-SOI制程嵌入式存儲器即將問(wèn)世

　　Samsung Foundry準備開(kāi)始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項。

　　三星晶圓代工業(yè)務(wù)(Samsung Foundry)準備開(kāi)始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM (spin torque transfer magnetic RAM)以及快閃記憶體，做為嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項??。

　　Samsung Foundry行銷(xiāo)暨業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)負責人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪(fǎng)問(wèn)時(shí)表示，該公司的技術(shù)藍圖顯示，28奈米FD-SOI嵌入式非揮發(fā)性記憶體將分兩階段發(fā)展，首先是在2017年底進(jìn)行嵌入式快閃記憶體(eFlash)的風(fēng)險生產(chǎn)(risk production)，嵌入式MRAM (eMRAM)的風(fēng)險生產(chǎn)則安排在2018年底。

　　不過(guò)Low也指出：「我們雖然會(huì )同時(shí)提供eFlash與eMRAM (STT-MRAM)技術(shù)選項，但預期市場(chǎng)需求會(huì )導致最后只剩下一種嵌入式非揮發(fā)性記憶體方案?！?/p>

　　風(fēng)險生產(chǎn)指的是晶圓代工廠(chǎng)客戶(hù)運作其完整電路、并不測試結構，但仍有可能改變制程與設計，以最佳化晶片性能以及改善良率;而因為制程還未最后確定，這類(lèi)生產(chǎn)對客戶(hù)來(lái)說(shuō)必須負擔風(fēng)險，因此被稱(chēng)為風(fēng)險生產(chǎn)。此生產(chǎn)階段可能會(huì )持續數個(gè)月時(shí)間，而正式提供eFlash與eMRAM量產(chǎn)的時(shí)程，分別會(huì )在2018與2019年。

　　MARM這種非揮發(fā)性記憶體技術(shù)已經(jīng)發(fā)展多年，最近才有業(yè)者Everspin Technologies提供單獨的MRAM晶片;三星在2011年收購了MRAM技術(shù)新創(chuàng )公司Grandis。

　　要提供28奈米嵌入式非揮發(fā)性記憶體得克服許多挑戰，產(chǎn)業(yè)界公認將快閃記憶體微縮至28奈米節點(diǎn)并不實(shí)際，但MRAM、相變化記憶體(PCM)以及電阻式記憶體(ReRAM)等其他技術(shù)選項仍不成熟。28奈米節點(diǎn)eFlash的問(wèn)題包括耐久性以及功耗，而通常SoC設計會(huì )選擇以較不積極的節點(diǎn)來(lái)制作嵌入式快閃記憶體電路、放棄微縮。

　　這也可能是三星先推eFlash技術(shù)，但預期客戶(hù)會(huì )在長(cháng)期使用STT-MRAM;MRAM在長(cháng)期看來(lái)會(huì )是較受歡迎的技術(shù)，因為與CMOS融合的簡(jiǎn)易性以及其電壓架構，能以最少三層額外光罩就能被整合，而eFlash則通常需要6~8層額外光罩。

　　MRAM通常是以平面內(in-plane)方式制作，不過(guò)也有選項是將磁性層垂直布置以進(jìn)一步縮小面積;不過(guò)Low表示，三星不方便透露其eMRAM的制作技術(shù)細節。

　　不過(guò)三星在2016年6月于美國德州奧斯汀舉行的設計自動(dòng)化大會(huì )(DAC)上，確實(shí)展示了以28奈米HKMG塊狀CMOS制程生產(chǎn)的獨立MRAM;Low表示：「我們的團隊正在研究將此成果轉移至28奈米FD-SOI制程?！?/p>