Finwave籌集820萬(wàn)美元短期投資以推動(dòng)市場(chǎng)發(fā)展

美國馬薩諸塞州沃爾瑟姆的 Finwave Semiconductor Inc 宣布了一輪新的 $8.2m 短期投資，由 Fine Structure Ventures、Engine Ventures 和 Safar Partners 領(lǐng)投，技術(shù)合作伙伴 GlobalFoundries 戰略參與。Finwave 認為，新一輪融資表明投資者和行業(yè)領(lǐng)導者對其獨特的硅基氮化鎵技術(shù)的市場(chǎng)潛力充滿(mǎn)信心，因為它正在從以技術(shù)為中心的創(chuàng )新者轉變?yōu)楫a(chǎn)品驅動(dòng)型公司。

這家科技公司由麻省理工學(xué)院 （MIT） 的研究人員于 2012 年創(chuàng )立，當時(shí)名為 Cambridge Electronics，并于 2022 年 6 月更名為 Finwave Semiconductor（在加利福尼亞州圣地亞哥和灣區設有辦事處），其產(chǎn)品組合包括氮化鎵 （GaN） FinFET、增強模式 （E-mode） MISHEMT 和高性能射頻開(kāi)關(guān)。

首席執行官 Pierre-Yves Lesaicherre 博士表示：“本輪融資驗證了我們專(zhuān)有硅基氮化鎵技術(shù)背后的多年工程和創(chuàng )新，并為我們提供了從開(kāi)發(fā)階段轉向交付差異化高性能產(chǎn)品所需的資源。

Finwave 將利用這筆投資來(lái)加速創(chuàng )收，擴大其產(chǎn)品組合，并繼續為以下目標細分市場(chǎng)開(kāi)發(fā)硅基氮化鎵技術(shù)：高功率射頻開(kāi)關(guān)、用于通信基礎設施的功率放大器和用于移動(dòng)設備的功率放大器。

“自我們最初投資以來(lái)，Finwave 在成為硅基氮化鎵高性能射頻元件的領(lǐng)導者方面取得了顯著(zhù)進(jìn)展，”Fine Structure Ventures 的高級董事總經(jīng)理 Jennifer Uhrig 評論道?！八麄兣c GlobalFoundries 的戰略代工合作伙伴關(guān)系以及與 RFMW 的分銷(xiāo)合作伙伴關(guān)系尤其引人注目，這使他們的設計能力合法化，并讓客戶(hù)對 Finwave 將高性能、可靠產(chǎn)品推向市場(chǎng)的能力充滿(mǎn)信心，”她補充道。

據稱(chēng)，Finwave 的硅基氮化鎵技術(shù)改進(jìn)了 GaN 解決方案的卓越性能，同時(shí)利用了大批量 CMOS 硅晶片的成本和規模制造優(yōu)勢。其產(chǎn)品組合包括高功率射頻開(kāi)關(guān)，由于 Finwave 與射頻分銷(xiāo)商 RFMW 的合作，這些開(kāi)關(guān)現已在全球范圍內銷(xiāo)售，以及即將推出的射頻功率放大器。

“作為 Finwave 的早期投資者，我們有幸在團隊推進(jìn)麻省理工學(xué)院射頻半導體技術(shù)、實(shí)現世界紀錄的射頻性能時(shí)為他們提供支持，”Engine Ventures 的普通合伙人 Reed Sturtevant 指出。

“未來(lái)幾年，許多行業(yè)將從 Finwave 平臺中受益匪淺，”Safar 的管理合伙人 Arunas Chesonis 補充道。

Finwave 的產(chǎn)品路線(xiàn)圖旨在充分利用 GaN 的潛力，旨在提供具有成本效益的射頻器件，提供增強的性能，并實(shí)現更高效的射頻系統。該公司獨特的硅基氮化鎵射頻芯片針對射頻應用，包括通信基礎設施（基站、MIMO、小基站、陸地移動(dòng)無(wú)線(xiàn)電（LMR，客戶(hù)本地設備，固定無(wú)線(xiàn)接入，Wi-Fi路由器，衛星，雷達，無(wú)人機，反無(wú)人機，反無(wú)人機，測試和測量設備，以及醫療設備。