減少DDR記憶體驗負載的探測技術(shù)
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理想上,DDR的可測試性應成為最終設計的一部份,以利于在測試臺進(jìn)行系統的驗證,因為在整個(gè)產(chǎn)品生命周期中的工程設計與委外代工都會(huì )增加成本。然而礙于邏輯分析儀探測點(diǎn)的電氣負載與空間需求,這種作法直到今天仍不可行。新的免接頭式邏輯分析儀探測技術(shù)使DDR可測試性得以結合到產(chǎn)品的最初與最終階段,對成本、電路板空間或信號完整性的影響十分有限。
免接頭式探測技術(shù)
最近,一些邏輯分析儀廠(chǎng)商推出了一種新的"免接頭式"(Connector-Less)測試探棒,它們采用壓縮互連(compression interconnect)技術(shù),省去了在目標上使用接頭的不便。取代接頭的是置于代測電路板上的小著(zhù)陸焊墊(landing pads),測試探棒的電氣互連會(huì )被壓縮到這些焊墊上,以構成電氣接點(diǎn)。拿掉占面積的接頭,意謂著(zhù)結合邏輯分析儀可測試性只需要用到最小的空間。此外,不使用接頭也能減少測試探棒的總負載。較低的測試探棒電氣負載(< 0.7 pF),表示當連接測試探棒時(shí),信號不會(huì )受到電氣的干擾。而且,由于代測電路板上面并未留有接頭,所以在未連接測試探棒時(shí),只剩下著(zhù)陸焊墊,而這些焊墊的負載非常的?。▇80fF)?,F在,將邏輯分析儀的測試點(diǎn)放入最終的生產(chǎn)設計中已是實(shí)際可行的作法。
DDR系統
DDR內存最常見(jiàn)的一種實(shí)作方式,就是使用插座式的DIMM或SO-DIMM。工程師將多個(gè)184接腳的DIMM并排放置,并且共享內存總線(xiàn)來(lái)提高儲存容量。這種實(shí)作方式具備了彈性擴充的好處,因而廣泛應用于計算機系統中。此種實(shí)作方式看似簡(jiǎn)單,實(shí)際上系統工程師必須解決許多問(wèn)題與限制。
第一個(gè)問(wèn)題是空間。電路板的空間是有限的,因此內存系統的實(shí)作應盡可能占用較小的空間。
第二個(gè)重要的限制是成本。成本的主要影響在于必須減少代測電路板上的層數。許多DDR系統都是在4層PCB板上實(shí)作,而它們只有2個(gè)信號層。雖然DDR插座是針對這類(lèi)路由來(lái)做腳位安排,但要容納DDR系統也需要的各種電路其實(shí)是一大挑戰。
信號完整性是工程師必須面對的另一個(gè)問(wèn)題。少量的信號與高資料速率,使DDR系統的實(shí)作變得非常困難。再加上只有2個(gè)路由層及系統必須盡可能縮小的額外限制,造成設計超出邊限的情況將會(huì )持續出現。
最后但很重要的一個(gè)問(wèn)題就是可測試性。工程師在面對以上所有的限制之后,系統中通常已經(jīng)沒(méi)有太大的空間可以結合可測試性了,然而可測試性卻是產(chǎn)品驗證與快速上市的關(guān)鍵。更糟的是,在產(chǎn)品生命周期中經(jīng)常會(huì )變更設計或進(jìn)行昂貴的工程。當產(chǎn)品在生產(chǎn)過(guò)程中有所變更時(shí),必須有一個(gè)快速而可靠的方法來(lái)驗證這些變更是否改變了設計的原始功能?;陔姎庳撦d與空間/路由的需求,直到今天仍無(wú)法在生產(chǎn)設計中加入可測試性?,F在,免接頭式邏輯分析儀探測技術(shù)讓一切都改觀(guān)了。
使用免接頭式探測技術(shù)來(lái)執行DDR驗證
免接頭式邏輯分析儀測試探棒非常適合用于DDR系統的除錯,主要的理由包括占位面積小、連接時(shí)的負載低、不連接時(shí)的負載幾乎微不足道、以及flow-through routing(布線(xiàn)穿透)能力。為說(shuō)明這類(lèi)探測技術(shù)的能力與多元性,當配備如安捷倫科技的Soft Touch等免接頭式測試探棒時(shí),可以考慮以下的內存系統。
下圖是一個(gè)使用4插座、184接腳DIMM的DDR系統之布局范例。這個(gè)系統利用位于終端之間的免接頭式測試探棒(mid-bus探測)來(lái)作2個(gè)阻抗匹配。這個(gè)圖顯示了所有2x信號(資料和stbs)的上方路由,而1x信號(地址和控制)則是在電路板底部以類(lèi)似的方式傳送。每根Soft Touch測試探棒所占的面積包含了34個(gè)頻道的可測試性。要測試DDR系統中的2x資料,需要3個(gè)占位面積。PCB底部包含2個(gè)Soft Touch占位面積,可測試所有的1x DDR信號。為了解免接頭式測試探棒的能力,必須探討對系統所造成的額外影響。
圖1. DDR系統的Soft Touch探測技術(shù)之布局范例(只顯示上方的2x數據)
空間的影響
增加免接頭式測試探棒的占位面積,會(huì )使內存系統所需的空間在X軸多出0.39英吋。換句話(huà)說(shuō),負載終端電阻的位置必須離最后一個(gè)DIMM插座0.39英吋。如果量測內存系統從最左邊驅動(dòng)器IC所產(chǎn)生的電路板trace到負載終端電阻最右邊的相對大小,可以發(fā)現使用免接頭測試探棒所增加的空間小于10%。
免接頭式測試探棒另一個(gè)值得贊賞的優(yōu)點(diǎn),就是flow-through routing能力。邏輯分析儀測試探棒的占位面積與腳位安排,使信號能夠橫跨各個(gè)測試點(diǎn)而不必改變層。也就是說(shuō)在DDR系統中,不需要使用額外的層來(lái)結合邏輯分析儀可測試性。這對于在4層電路板上實(shí)作的系統非常重要。
電氣的影響在上面的范例中,額外的可測試性降低了系統的信號完整性。在權衡可測試性與縮小邊限兩者的重要性時(shí),這個(gè)問(wèn)題轉變成"邊限縮小的程度有多大?",對這類(lèi)微導片電路板trace而言,其相當于~3pF/inch的電容。為檢視邏輯分析儀測試探棒所導致的額外負載,請考慮連接測試探棒與未連接測試探棒兩種情況。W典型的4層DDR系統在PCB的外層使用0.005英吋的電路板trace寬度。這些層均設計成50
CASE 1:當連接測試探棒時(shí)
可測試性所造成的額外電路板trace = 0.390"
電路板trace的寄生電容 = (0.390") * (3pF/inch) = 1.17pF
額外的測試探棒電容 = 0.7pF (附注:含焊墊)
可測試性所造成的額外總電容 = 1.17pF + 0.7pF = 1.87pF
CASE 2:當未連接測試探棒時(shí)
可測試性所造成的額外電路板trace = 0.390"
電路板trace的寄生電容 = (0.390") * (3pF/inch) = 1.17pF
額外的測試探棒焊墊電容 = 80 fF
可測試性所造成的額外總電容 = 1.17pF + 0.08pF = 1.25pF
為了解這個(gè)電容是否重要,必須執行第一級的系統分析。
驅動(dòng)器所感測到的DDR系統電容
原始系統的電路板trace總長(cháng)度 = 2.767" (附注:使用最長(cháng)的2x電路板trace)
電路板trace的寄生電容 = (2.767") * (3pF/inch) = 8.3pF
DIMM的集總電容 = 5pF (附注:DDR333、DQ、DQS、DM)
總線(xiàn)上的DIMM數量 = 4
DIMM所造成的電容 = (4) * (5pF) = 20pF
DDR系統的總電容 = 8.3pF + 20pF = 28.3pF
第一級分析顯示當連接測試探棒時(shí),只會(huì )在驅動(dòng)器所感測到的電容中增加6%,更重要的是,當未連接測試探棒時(shí),PCB上的測試點(diǎn)和電路板trace只會(huì )增加4%。這表示在最終的生產(chǎn)設計中加入免接頭式測試探棒的占位面積,對系統的信號完整性并不會(huì )造成太大的影響。在產(chǎn)品中結合可測試性的優(yōu)點(diǎn)極具價(jià)值,縮小4%的邊限絕對值得。
成本的影響
因為測試點(diǎn)不需使用接頭,所以不會(huì )增加產(chǎn)品最終零件的成本,亦即這個(gè)內建的DDR可測試性對于所有密集的應用來(lái)說(shuō)是免費的。
結語(yǔ)
當設計周期時(shí)間快速的產(chǎn)品時(shí),總要面對在可測試性與時(shí)程和邊限之間取舍的難題。要擁有可靠的可測試性,除了PCB的空間與系統邊限外,還需要事前的考慮與規劃,所幸可靠的可測試性終究能夠縮短產(chǎn)品的上市時(shí)程。DDR系統是進(jìn)行這些工程取舍的最佳范例。要證明在設計中結合固定的邏輯分析測試點(diǎn)是合理的,其實(shí)非常困難,這當中涉及了電路板空間、路由層與接頭成本等因素。隨著(zhù)免接頭式邏輯分析儀測試探棒的問(wèn)世,這項證明工作變得容易多了?,F在,DDR系統已經(jīng)可在最終設計中進(jìn)行完整的測試,其對系統的大小、信號完整性與成本并沒(méi)有太大的影響。
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