可以消除開(kāi)關(guān)噪聲的DDR內存系統電源

本設計介紹了一種應用于DDR內存系統的獨特、低成本的電源電路。
常規DDR內存系統包括一個(gè)雙反向轉換器和一個(gè)輸出參考電壓。與常規設計不同，本文用線(xiàn)性調節器代替反向轉換器，見(jiàn)圖1，具有消除PWM轉換器開(kāi)關(guān)噪聲的優(yōu)點(diǎn)。
DDR內存系統要求穩定的2.5V主電源(VDD)、端電壓(VTT)和參考電壓(VREF)，其中VDD、VTT可引出和吸收電流，，這些要求給電源設計者帶來(lái)新挑戰。
本電路中，低壓同步反向器產(chǎn)生8A，2.5V的主電源VDD輸出，VTT和VREF通過(guò)運放的線(xiàn)性調節設計實(shí)現。電路專(zhuān)門(mén)為低功耗DDR系統(如pc機)設計，根據需要可通過(guò)改變電感、電容設計大功率系統(如PC工作站)。VDD驅動(dòng)內存集成電路和緩存接口電路，VTT驅動(dòng)上拉電阻。由于上拉電阻功耗，為降低功耗，使，此時(shí)功耗僅為原來(lái)的1/4。VREF為接收端電路的微分放大器提供輸入電壓。
電路中利用了On Semiconducton NCP1571低壓同步反向控制器產(chǎn)生2.5VDD，控制器包括N溝道MOSFET(瞬態(tài)響應時(shí)間為200ns)反向調節器的必要電路，允許偏差為±1%的輸出、200kHz固定內部頻率。
如上述，，約為1.25V，運算放大器U2a、U2b為電壓跟隨器，產(chǎn)生VTT，VDD經(jīng)R5、R6分壓后作為U2b的輸入產(chǎn)生VREF。U2b具有過(guò)濾功能，可消除同步反向轉換器產(chǎn)生的高頻開(kāi)關(guān)噪聲，VTT輸出由U2a、Q3、Q4通過(guò)電壓跟隨電路配置產(chǎn)生。因此，VTT輸出為50% VDD，而不是靜態(tài)1.25V?！?BR>

圖1 產(chǎn)生三端輸出電壓(VDD, VTT, VREF)的DDR內存系統電源。本設計利用了反向轉換器和線(xiàn)性調節器。