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LDO設計中的盲區:負載調整率

  •   傳統的DC-DC一般要求輸入輸出的壓差在2~3V以上,隨著(zhù)時(shí)代的發(fā)展,這樣的條件已經(jīng)不能滿(mǎn)足實(shí)際應用的需要。例如在無(wú)線(xiàn)通信領(lǐng)域,GPRS模塊常用到的電壓是4V,經(jīng)常是通過(guò)5V轉換而來(lái),輸入輸出的壓差需低至1V。針對這樣的情況,于是LDO(Low dropout regulator)應運而生?! ∠鄬C-DC而言,LDO的優(yōu)點(diǎn)是噪音低,靜態(tài)電流小。很多DC-DC在外圍電路里還需要有電感和續流二極管,而LDO的典型電路非常簡(jiǎn)單,很多LDO只需在輸入端及輸出端各接一顆旁路電容就能夠穩定工作,對于節省P
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CMOS快被取代?英特爾將采用MESO降低10倍功耗

  •   目前,現有的CMOS半導體工藝正在逐步逼近物理極限,因而提高性能、降低功耗都并非易事。未來(lái)十年的計算時(shí)代中,CMOS工藝很有可能被新技術(shù)取代?! 〗?,英特爾聯(lián)合加州大學(xué)伯克利分校的研究人員開(kāi)發(fā)了一種新的MESO(磁電自旋軌道)邏輯器件,這種常溫量子材質(zhì)制造的設備可以將芯片工作電壓從3V減少到500mv,減少5倍,能耗降低10-30倍,而且運行速度也是CMOS工藝的5倍?! ∵@項技術(shù)是英特爾、加州大學(xué)伯克利分校合作的,論文已經(jīng)發(fā)表在《自然》雜志上,它所用的MESO是一種鉍,鐵和氧(BiFeO3)組成的
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芯片尺寸縮小五倍!英特爾新技術(shù)設想10年內取代CMOS

  •   12月4日,英特爾在一項名為“自旋電子學(xué)”的技術(shù)領(lǐng)域取得了進(jìn)展,未來(lái)芯片尺寸可縮小5倍,能耗最多可降低30倍?! ∮⑻貭柡图又荽髮W(xué)伯克利分校的研究人員展示了他們的“自旋電子學(xué)”方面的研究進(jìn)展,這項新技術(shù)可以將未來(lái)的芯片尺寸縮小到目前的五分之一,能耗將降低10到30倍?! ∫恢币詠?lái),芯片都依賴(lài)著(zhù)CMOS技術(shù),但隨著(zhù)元器件尺寸不斷接近原子級別大小,芯片的發(fā)展也遇到瓶頸?! ∮⑻貭柕倪@項研究是一種名為“磁電自旋軌道”(MESO)的邏輯元件,利用了多鐵性材料的自旋性質(zhì),使用氧、鉍和鐵原子的晶格,提供有利的電磁
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什么是積分噪聲?第二部分

  •   先前在博客《什么是LDO噪聲?第一部分》中,我們談到了什么是噪聲、如何分類(lèi),并介紹了安森美半導體提供的超低噪聲低壓降穩壓器。今天,我們將進(jìn)一步詳細談?wù)勈裁词欠e分噪聲?! 》e分噪聲值由噪聲譜密度函數的積分導出。然而,用函數表示任何一條曲線(xiàn)并將其積分非常復雜。將測量曲線(xiàn)分割成小部分更容易。如果每部分的頻差fn+1 – fn趨于0,則所有貢獻之和等于函數的積分?! ≡趯?shí)際測量中,實(shí)現fn+1 – fn的零頻差是不可能的,但有可能使其接近于零。噪聲譜密度測量有多個(gè)點(diǎn),使我們能夠獲得較好精度的積分噪聲和檢測振蕩
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三星大舉進(jìn)攻車(chē)用半導體 押寶SoC和CMOS圖像傳感器

  • 隨著(zhù)電池、半導體、通信和其他支持技術(shù)的發(fā)展,這些舉措已經(jīng)成為可能,這些技術(shù)正帶來(lái)2000億美元以上的汽車(chē)電子市場(chǎng)的新增長(cháng)。
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CMOS圖像傳感器產(chǎn)業(yè)現狀 國產(chǎn)幾近于無(wú)

  •   2017年,CMOS圖像傳感器(CMOS Image Sensor,CIS)市場(chǎng)規模為139億美元,Yole預計未來(lái)五年的復合年增長(cháng)率(CAGR)為9.4%。這主要受益于幾乎各種應用領(lǐng)域的CMOS圖像傳感器市場(chǎng)都出現了顯著(zhù)增長(cháng),尤其是手機領(lǐng)域,同比增長(cháng)高達20%!  2016年和2017年CMOS圖像傳感器市場(chǎng)(按照應用領(lǐng)域細分)  CMOS圖像傳感器產(chǎn)業(yè)從占據42%市場(chǎng)份額的全球龍頭企業(yè)——索尼(Sony)的運營(yíng)復蘇中獲益,以較高的增長(cháng)速度發(fā)展,并已成為半導體行業(yè)中關(guān)鍵的組成部分!行業(yè)領(lǐng)先者三星(S
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自動(dòng)駕駛核心CMOS圖像傳感器誰(shuí)是一哥?

  •   毫無(wú)疑問(wèn),日漸火熱的自動(dòng)駕駛技術(shù)將成為過(guò)去50年來(lái)最具影響力的技術(shù)之一。自動(dòng)駕駛的實(shí)現,能夠挽救數百萬(wàn)人的生命,釋放無(wú)數耗費在駕駛中的時(shí)間,并有望緩解擾人的交通擁堵。盡管目前還沒(méi)有實(shí)現真正的自動(dòng)駕駛,但是,任何新的、有意義的進(jìn)展,都在為我們描繪那個(gè)值得期待的未來(lái)?! ‘斘覀冋劶白詣?dòng)駕駛領(lǐng)域的知名廠(chǎng)商時(shí),可能會(huì )率先想到特斯拉(Tesla)、英偉達(NVIDIA)、甚至是英特爾(Intel)的Mobileye等曝光度較高的名字。但是,這個(gè)領(lǐng)域還有一家值得關(guān)注的企業(yè),正通過(guò)積極的布局和穩健的成長(cháng),或將在不遠
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一種高精度帶隙基準電壓源電路設計

  • 摘要:針對傳統CMOS帶隙電壓基準源電路電源電壓較高,基準電壓輸出范圍有限等問(wèn)題,通過(guò)增加啟動(dòng)電路,并采用共源共柵結構的PTAT電流產(chǎn)生電路,設計了一種高精度、低溫漂、與電源無(wú)關(guān)的具有穩定電壓輸出特性的帶隙電
  • 關(guān)鍵字: 帶隙基準電壓源  溫度系數  共源共柵  CMOS  

智能手機AI技術(shù)賦能 CMOS市場(chǎng)迎來(lái)“新變局”

  • 作為攝像頭模組中的一大關(guān)鍵零組件,CIS(CMOS圖像傳感器)的應用及市場(chǎng)也迎來(lái)了新一波的“熱浪”,加速智能手機產(chǎn)業(yè)“去偽存真”。
  • 關(guān)鍵字: AI  CMOS  

三星CMOS芯片大漲20%,OV受益索尼“背鍋”

  •   半導體元器件缺貨漲價(jià)潮正持續蔓延。繼MLCC、MOSFET等元器件缺貨漲價(jià)之后,手機攝像頭的關(guān)鍵器件——CMOS圖像傳感器(CIS)也頻傳供貨緊缺,開(kāi)始漲價(jià)?! I(yè)內人士向集微網(wǎng)透露,今年下半年以來(lái),三星、OminiVison(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“OV”)的CMOS芯片供貨緊張,部分型號的產(chǎn)品產(chǎn)能緊缺,供不應求?! 」湉S(chǎng)商向集微網(wǎng)記者透露,目前三星已經(jīng)正式向其代理商發(fā)布漲價(jià)通知,從8月份開(kāi)始,三星CMOS芯片價(jià)格漲幅5-20%,現已開(kāi)始執行?! MOS芯片為什么會(huì )缺貨?  眾所周知,全球CMOS傳感器(C
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TTL和CMOS電路解析

  • TTL電平最常用于有關(guān)電專(zhuān)業(yè),如:電路、數字電路、微機原理與接口技術(shù)、單片機等課程中都有所涉及。在數字電路中只有兩種電平(高和低)高電平+5V、低電
  • 關(guān)鍵字: TTL  CMOS  邏輯電平  

復雜電路接地和供電的實(shí)用方法

  • 本文將從功率傳輸的角度來(lái)闡述如何優(yōu)化復雜電路,以便能夠改善信號完整性,使各個(gè)功能模塊正確接地來(lái)實(shí)現最終的系統設計。這里將重點(diǎn)放在理解電路的需
  • 關(guān)鍵字: 音頻驅動(dòng)器  LDO  接地  電源  

車(chē)用啟停系統電源設計

  • 摘要:在汽車(chē)自動(dòng)啟停系統中,起動(dòng)機工作時(shí)12 V系統的鉛酸起動(dòng)電池電壓可能降至6.0 V或更低,從而造成汽車(chē)電器系統的不穩定工作,甚至可能造成系統的重
  • 關(guān)鍵字: 自動(dòng)啟停  升壓  LDO  車(chē)用電源  

設計出色的可穿戴產(chǎn)品應考慮的幾大因素

  • 在當今群雄逐鹿、競爭激烈的可穿戴市場(chǎng)中,獲得成功的關(guān)鍵在于差異化的產(chǎn)品特性和服務(wù)。制造商和服務(wù)提供商競相爭奪同樣的可穿戴ldquo;市場(chǎng)大餅rdq
  • 關(guān)鍵字: 可穿戴產(chǎn)品  ARM  CMOS  

解析溫度對輸入偏置電流的影響

  • 之前我們看了CMOS和JFET放大器輸入偏置電流的來(lái)源,發(fā)現其主要由一個(gè)或幾個(gè)反向偏置的PN節的漏電流組成。文章結尾引出了一個(gè)警示,這些漏電流隨著(zhù)溫度
  • 關(guān)鍵字: 溫度  電流  CMOS  二極管  
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