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如何為便攜產(chǎn)品選擇合適的LDO

  • 如何為便攜產(chǎn)品選擇合適的LDO-　接地電流或靜態(tài)電流 （IGND 或 IQ）、電源波紋抑止比 （PSRR）、噪聲與封裝大小通常是為便攜式應用決定最佳LDO選擇的要素。在選擇低壓降線(xiàn)性調節器（LDO） 時(shí)，需要考慮的基本問(wèn)題包括輸入電壓范圍、預期輸出電壓、負載電流范圍以及其封裝的功耗能力。
  • 關(guān)鍵字： LDO  便攜電子  

LDO在IoT中省電的兩種方法

  • LDO在IoT中省電的兩種方法-　隨著(zhù)物聯(lián)網(wǎng) （IoT） 不斷占領(lǐng)于我們的住宅和辦公場(chǎng)所，我們會(huì )發(fā)現越來(lái)越多的電器和系統集成了電子元器件，而且我們能夠在世界上的任何一個(gè)角落訪(fǎng)問(wèn)這些電器和系統。
  • 關(guān)鍵字： LP2951  LDO  IOT  

揭開(kāi)廢棄紐扣電池的秘密

  • 揭開(kāi)廢棄紐扣電池的秘密-監視便攜式設備或配套服務(wù)系統中紐扣電池的電壓等級，對現代 CMOS 運算放大器來(lái)說(shuō)是一項常見(jiàn)的簡(jiǎn)單應用。
  • 關(guān)鍵字： CMOS  CR2032  德州儀器  

TI工程師教你設計更小的電源

  • TI工程師教你設計更小的電源-假設您幾乎已經(jīng)完成了最新、最重大的應用設計。所有漏洞都已清除，而且非常好用。差不多該進(jìn)入主要階段了，但還要解決最有一件事：電源。
  • 關(guān)鍵字： TI  LDO  TLV71333P  

所有這些干擾都是從哪里來(lái)的？

  • 所有這些干擾都是從哪里來(lái)的？-自從進(jìn)入市場(chǎng)以來(lái)，CMOS 單電源放大器就給全球單電源系統設計人員帶來(lái)了極大優(yōu)勢。影響雙電源放大器總諧波失真 + 噪聲 （THD+N） 特性的主要因素是輸入噪聲與輸出級交叉失真。單電源放大器的 THD+N 性能也源自放大器的輸入輸出級。但是，輸入級對 THD+N 的影響可讓單電源放大器的這一規范屬性變得復雜。
  • 關(guān)鍵字： CMOS  電源放大器  THD  

硅光子芯片設計突破結構限制瓶頸

  • 硅光子芯片設計突破結構限制瓶頸-當今的硅光子芯片必須采用復雜的制造制程連接光源與芯片，而且也和晶圓級堆棧密不可分。
  • 關(guān)鍵字： 硅光子  半導體芯片  CMOS  芯片設計  

基于MPS芯片的系統電源解決方案

  • 基于MPS芯片的系統電源解決方案-隔離電源模塊可以高效解決各種端口干擾，開(kāi)關(guān)芯片轉換出各種系統所需電壓，LDO給MCU處理器提供穩定可靠的電能。電源模塊與芯片方案需要互助互補，各取所長(cháng)才能共建一個(gè)良好的系統供電環(huán)境，同時(shí)開(kāi)啟它們的共贏(yíng)之路。
  • 關(guān)鍵字： MPS模塊  MOSFET  LDO  DC-DC  

如何解決電源管理芯片效率不高的問(wèn)題？

  • 如何解決電源管理芯片效率不高的問(wèn)題？-DC-DC控制IC在各電子產(chǎn)品中應用廣泛，為了統一物料，工程師往往會(huì )用自己熟悉且能輸出較大電流的DC-DC芯片，不管負載大小均用一個(gè)型號一統江湖。由此可能在小負載電流時(shí)，效率不盡如人意，該怎么解決？
  • 關(guān)鍵字： 電源管理芯片  DC-DC  LDO  

cmos+憶阻器實(shí)現高效分布式處理兼存儲功能的傳感器架構

  • cmos+憶阻器實(shí)現高效分布式處理兼存儲功能的傳感器架構-依靠憶阻器執行像素級自適應背景提取算法的成像傳感器架構,與全cmos成像傳感器相比，基于憶阻器的解決方案可取得更小的像素間距和非易失性存儲功能，讓設計人員能夠使用可編程時(shí)間常數建立圖像背景模型。
  • 關(guān)鍵字： cmos  憶阻器  傳感器  

資深工程師教你如何設計一個(gè)合適的系統電源

  • 資深工程師教你如何設計一個(gè)合適的系統電源-分析電源需求不僅僅是關(guān)心輸入電壓，輸出電壓和電流，還要仔細考慮總的功耗，電源實(shí)現的效率，電源部分對負載變化的瞬態(tài)響應能力，關(guān)鍵器件對電源波動(dòng)的容忍范圍以及相應的允許的電源紋波，還有散熱問(wèn)題等。
  • 關(guān)鍵字： 電源  LDO  
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