CMOS快被取代？英特爾將采用MESO降低10倍功耗

　　目前，現有的CMOS半導體工藝正在逐步逼近物理極限，因而提高性能、降低功耗都并非易事。未來(lái)十年的計算時(shí)代中，CMOS工藝很有可能被新技術(shù)取代。

　　近日，英特爾聯(lián)合加州大學(xué)伯克利分校的研究人員開(kāi)發(fā)了一種新的MESO(磁電自旋軌道)邏輯器件，這種常溫量子材質(zhì)制造的設備可以將芯片工作電壓從3V減少到500mv，減少5倍，能耗降低10-30倍，而且運行速度也是CMOS工藝的5倍。

　　這項技術(shù)是英特爾、加州大學(xué)伯克利分校合作的，論文已經(jīng)發(fā)表在《自然》雜志上，它所用的MESO是一種鉍，鐵和氧(BiFeO3)組成的多鐵材料，這種材料既有鐵磁性又有鐵電性，而且兩種狀態(tài)又有耦合性，改變一種就會(huì )影響另一種，操作電場(chǎng)就能改變磁場(chǎng)，這對研發(fā)MESO設備很有用。

　　這種材料最早是伯克利分校材料科學(xué)與工程和物理學(xué)教授RamamoorthyRamesh于2001年發(fā)現的，他也是這篇論文的高級作者，而MESO設備則是英特爾MESO項目硬件小組主管SasikanthManipatruni發(fā)明的，現在這個(gè)突破也是他們合作研究出來(lái)的。

　　根據伯克利發(fā)布的新聞，MESO邏輯器件的開(kāi)關(guān)電壓可以從3V降低到500mv，并預測可以降低到100mv，是目前CMOS晶體管所需開(kāi)關(guān)電壓的1/5到1/10，從1到0的切換能量?jì)H為CMOS工藝的1/10到1/30。除了能耗上的優(yōu)勢，MESO邏輯器件的運算速度也比CMOS工藝高出5倍。

　　簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是英特爾及伯克利大學(xué)合作的MESO邏輯器件為替代目前以晶體管為基礎的CMOS工藝鋪平了道路，新的MESO邏輯器件在性能及能耗上有極其明顯的優(yōu)勢。當然了，這種新技術(shù)還在研發(fā)中，英特爾提到他們的目標是在未來(lái)十年中超越CMOS時(shí)代。