設計LDO電源需要注意的5個(gè)事項

DCDC包含buck，boost，buckboost，隔離，非隔離等拓撲，再加上PWM，PFM，同步整流，軟開(kāi)關(guān)，磁芯復位等多種關(guān)鍵技術(shù)，可以創(chuàng )造出n種DCDC電源設計方案。
LDO相對比較簡(jiǎn)單，可以分為NPN穩壓器，準LDO穩壓器和LDO穩壓器，如下圖。

在設計任何電路之前，要先搞清楚你設計的東西要達到什么指標，否則你無(wú)法判斷設計出來(lái)的是否OK。
1.電源設計判斷標準
能否OK的判斷依據是電源輸出的電壓電流等指標滿(mǎn)足SOC芯片的工作要求。
我們在電源設計的時(shí)候，一般很難達到電源芯片手冊上規定的性能指標。對于大部分工程師的電路設計來(lái)說(shuō)達到70%左右也算是不錯的。所以大家在電源芯片選型時(shí)一定要保留余量。

2.LDO的原理圖設計
輸入設計：輸入需加電容Cin，容值按手冊要求，一般在UF級別。
輸出設計：輸出需加電容Cout，容值按手冊要求，一般在10UF級別。
電壓可調設計：通過(guò)分壓電阻R2，R1反饋回ADJ引腳。Vout計算公式如下：
Vout=Vref*（1+R2/R1）
使能設計：通過(guò)ON/OFF腳給高低電平來(lái)控制Vout是否輸出電壓。

LDO芯片的使用可以說(shuō)是所有電源設計中最簡(jiǎn)單的，想搞出問(wèn)題都很難。
3.LDO的PCB設計
電源的PCB設計是影響芯片性能指標的關(guān)鍵因素。我們在SI，PI，EMI，熱分析仿真介紹了10多個(gè)小時(shí)，就是為了指導我們的原理圖和PCB設計。具體大家去看相應的視頻，這里不詳細介紹。電源PCB設計的關(guān)鍵點(diǎn)如下：
R2，R1構成的反饋回路要短，遠離干擾線(xiàn)。（SI的串擾仿真）
輸入電容和輸出電容靠近芯片引腳，并在soc芯片增加小濾波電容。（PI仿真）
電源芯片散熱盤(pán)要和大面積鋪地連接，方便散熱。（熱仿真，直流壓降仿真）

4.電源接口保護
大家還記得外漏的接口在過(guò)3C認證的時(shí)候都要做什么測試嗎？-----ESD測試。
該芯片支持2KV的ESD，但如果我們要過(guò)更高的等級如6K/8K，那么我們需要在電源接口添加ESD保護器件。

5.這就完了嗎？
通過(guò)前面的設計都能設計出“差不多”能用的電路，對于大部分產(chǎn)品級的硬件工程師來(lái)說(shuō)已經(jīng)足夠。但可能出現明明設計是對的，電源芯片還是跑不起來(lái)的情況？？？
LDO看似簡(jiǎn)單，但其實(shí)這里還涉及到“環(huán)路穩定性”的概念，---大家是不是很熟悉，這也是大學(xué)模電的內容?。?！整個(gè)電源回路是閉環(huán)的，所以必須分析環(huán)路的穩定。但是產(chǎn)品級的硬件工程師沒(méi)法拿到環(huán)路分析需要的芯片內部參數，更重要的是缺少增益相位測試儀（窮），所以沒(méi)法分析。

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