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超低壓差CMOS線(xiàn)性穩壓器的設計

  •  隨著(zhù)筆記本電腦、手機、PDA 等移動(dòng)設備的普及,對應各種電池電源使用的集成電路的開(kāi)發(fā)越來(lái)越活躍,高性能、低成本、超小型封裝產(chǎn)品正在加速形成商品化。LDO(低壓差)型線(xiàn)性穩壓器由于具有結構簡(jiǎn)單、成本低廉、低噪聲、
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巧焊場(chǎng)效應管和CMOS集成電路

  • 焊接絕緣柵(或雙柵)場(chǎng)效應管以及CMOS集成塊時(shí),因其輸入阻抗很高、極間電容小,少量的靜電荷即會(huì )感應靜電高壓,導致器件擊穿損壞。筆者通過(guò)長(cháng)期實(shí)踐摸索出下述焊接方法,取得令人滿(mǎn)意的效果。1.焊絕緣柵場(chǎng)效應管。
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監控用CMOS與CCD圖像傳感器對比

  • CCD(Charge Coupled Device)圖像傳感器(以下簡(jiǎn)稱(chēng)CCD)和CMOS圖像傳感器(CMOS Image Sensor以下簡(jiǎn)稱(chēng)CIS)的主要區別是由感光單元及讀出電路結構不同而導致制造工藝的不同。CCD感光單元實(shí)現光電轉換后,以電荷的方
  • 關(guān)鍵字: 傳感器  對比  圖像  CCD  CMOS  監控  

監控用CMOS與CCD圖像傳感器技術(shù)對比

  • CCD(ChargeCoupledDevice)圖像傳感器(以下簡(jiǎn)稱(chēng)CCD)和CMOS圖像傳感器(CMOSImageSensor以下簡(jiǎn)稱(chēng)CIS)的主要...
  • 關(guān)鍵字: CMOS  圖像傳感器  CCD  圖像傳感器  CIS  

威盛發(fā)布首款USB3.0集群控制器

  •   威盛電子在1月4日推出VIA VL810 SuperSpeed集群控制器,這是USB3.0技術(shù)時(shí)代業(yè)內首款支持更高傳輸速度的整合單芯片解決方案。   USB3.0(即超速USB)的最大數據傳輸速度可達5Gbps,是現有USB2.0設備傳輸速度的10倍;此外,該技術(shù)還能提高外部設備與主機控制器之間的互動(dòng)功能,包括能耗管理上的重要改進(jìn)。   VIA VL810由威盛集團全資子公司VIA Labs研發(fā),它實(shí)現在一個(gè)USB接口上連接多個(gè)設備從而擴展了計算機的USB性能。一個(gè)輸出接口及四個(gè)輸入接口不僅支持高
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基于0.13微米CMOS工藝下平臺式FPGA中可重構RAM模塊的一種設計方法

  • 基于0.13微米CMOS工藝下平臺式FPGA中可重構RAM模塊的一種設計方法,1. 引言

    對于需要大的片上存儲器的各種不同的應用,FPGA 需要提供可重構且可串聯(lián)的存儲器陣列。通過(guò)不同的配置選擇,嵌入式存儲器陣列可以被合并從而達到位寬或字深的擴展并且可以作為單端口,雙端口
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基于PLD的CCD Sensor驅動(dòng)邏輯設計

  • 0 引 言
    視覺(jué)信息是客觀(guān)世界中非常豐富,非常重要的部分。隨著(zhù)多媒體系統的發(fā)展,圖像傳感器應用越來(lái)越廣泛。不僅用于攝錄像機,安保產(chǎn)品、數碼相機及計算機鏡頭等,而且開(kāi)始用于傳統上的非視像產(chǎn)品,如移動(dòng)電
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一種帶熱滯回功能的CMOS溫度保護電路

  • 0 引 言
    隨著(zhù)集成電路技術(shù)的廣泛應用及集成度的不斷增加,超大規模集成電路(VLSI)的功耗、芯片內部的溫度不斷提高,溫度保護電路已經(jīng)成為了眾多芯片設計中必不可少的一部分。本文在CSMC 0.5/μm CMOS工藝下,
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IBM展示基于極薄SOI襯底的22nm技術(shù)

  •   IBM研究人員開(kāi)發(fā)出了基于極薄SOI(ETSOI)的全耗盡CMOS技術(shù),面向22nm及以下節點(diǎn)。   在IEDM會(huì )議上,IBM Albany研發(fā)中心的Kangguo Cheng稱(chēng)該FD-ETSOI工藝已獲得了25nm柵長(cháng),非常適合于低功耗應用。除了場(chǎng)效應管,IBM的工程師還在極薄SOI襯底上制成了電感、電容等用于制造SOC的器件。   該ETSOI技術(shù)包含了幾項工藝創(chuàng )新,包括源漏摻雜外延淀積(無(wú)需離子注入),以及提高的源漏架構。   該技術(shù)部分依賴(lài)于近期SOI晶圓供應商推出了硅膜厚度為6nm的S
  • 關(guān)鍵字: IBM  CMOS  22nm  SOC  

兩種高頻CMOS壓控振蕩器的設計與研究

  • 鎖相環(huán)在通訊技術(shù)中具有重要的地位,在調制、解調、時(shí)鐘恢復、頻率合成中都扮演著(zhù)不可替代的角色??煽卣袷幤魇擎i相環(huán)的核心部分。最近,鑒于對集成電路低功耗和高集成度的追求,越來(lái)越多的研究人員投人到基于CMOS工
  • 關(guān)鍵字: CMOS  高頻  壓控振蕩器    

10~37 GHz CMOS四分頻器的設計

  • 1 引言
    隨著(zhù)通信技術(shù)的迅猛發(fā)展,人們對通信系統中單元電路的研究也越來(lái)越多。而分頻器廣泛應用于光纖通信和射頻通信系統中,因此,高速分頻器的研究也日益受到關(guān)注。分頻器按實(shí)現方式可分為模擬和數字兩種。模
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東芝20nm級體硅CMOS工藝獲突破

  •   東芝公司今天在美國馬里蘭州巴爾的摩市舉行的IEDM半導體技術(shù)會(huì )議上宣布,其20nm級CMOS工藝技術(shù)獲得了重大突破,開(kāi)啟了使用體硅CMOS工藝制造下一代超大規模集成電路設備的大門(mén),成為業(yè)界首個(gè)能夠投入實(shí)際生產(chǎn)的20nm級CMOS工藝。東芝表示,他們通過(guò)對晶體管溝道的摻雜材料進(jìn)行改善,實(shí)現了這次突破。   在傳統工藝中,由于電子活動(dòng)性降低,通常認為體硅(Bulk)CMOS在20nm級制程下已經(jīng)很難實(shí)現。但東芝在溝道構造中使用了三層材料,解決了這一問(wèn)題,成功實(shí)現了20nm級的體硅CMOS。這三層材料
  • 關(guān)鍵字: 東芝  CMOS  20nm  

高性能片內集成CMOS線(xiàn)性穩壓器設計

  • 0 引言
    電源管理技術(shù)近幾年已大量應用于便攜式和手提電源中。電源管理系統包括線(xiàn)性穩壓器、開(kāi)關(guān)穩壓器和控制邏輯等子系統。本文主要針對低壓差線(xiàn)性穩壓器進(jìn)行研究。低壓差線(xiàn)性穩壓器是電源管理系統中的一個(gè)基
  • 關(guān)鍵字: 穩壓器  設計  線(xiàn)性  CMOS  集成  高性能  
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cmos digital image sensor介紹

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