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CMOS圖像傳感器集成A/D轉換器技術(shù)的研究

  • 片上集成A/D轉換器是CMOS圖像傳感器的關(guān)鍵部件,文章分析和比較了三類(lèi)不同集成方式:芯片級,列級和象素級的原理,性能和特點(diǎn)。最后,展望了CMOS圖像傳感器上集成A/D轉換器的未來(lái)發(fā)展趨勢。
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國產(chǎn)芯片已達國際主流芯片品質(zhì)

  •   今年國內拉動(dòng)內需,特別是3G的啟動(dòng)建設和FTTH進(jìn)入實(shí)質(zhì)性的發(fā)展階段,使光模塊市場(chǎng)一片紅火,預計今年我們可實(shí)現60%的業(yè)務(wù)增長(cháng)。   由于對IC行業(yè)來(lái)說(shuō)光通信市場(chǎng)不大,所以光收發(fā)IC芯片的供應商并不是很多,在國內我們是第一家量產(chǎn)高速收發(fā)芯片的IC公司。   國內芯片企業(yè)的優(yōu)勢主要是在成本上,研發(fā)成本、管理成本、銷(xiāo)售成本都比國外企業(yè)要低。對IC來(lái)說(shuō),基于同樣的工藝,制造成本幾乎是一樣的。要取得制造成本的優(yōu)勢必須發(fā)揮技術(shù)優(yōu)勢,采用相對低成本的工藝,做出同樣的產(chǎn)品性能。我們采用CMOS工藝的收發(fā)IC芯片
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ST慶祝Nano2012框架協(xié)議正式啟動(dòng)

  •   意法半導體和法國電子信息技術(shù)實(shí)驗室CEA-LETI宣布,法國經(jīng)濟、工業(yè)和就業(yè)部長(cháng),以及國家和地區政府的代表、CEA-LETI和意法半導體的管理層,齊聚法國格勒諾布爾(Grenoble)市的Crolles分公司,共同慶祝Nano2012研發(fā)項目正式啟動(dòng)。IBM的代表也參加了啟動(dòng)儀式。IBM公司是意法半導體和CEA-LETI的重要合作伙伴,與雙方簽署了重要的技術(shù)開(kāi)發(fā)協(xié)議。   Nano2012是由意法半導體領(lǐng)導的國家/私營(yíng)戰略研發(fā)項目,聚集研究院和工業(yè)合作伙伴,得到法國國家、地區和本地政府的財政支持,旨
  • 關(guān)鍵字: ST  CMOS  32nm  22nm  Nano2012    

豪威CMOS傳感器量產(chǎn) 擴大對臺積電訂單

  •   CMOS影像傳感器(CMOS Image Sensor)大廠(chǎng)豪威科技(OmniVision)與臺積電合作,采用最新背面照度(Backside Illumination,BSI)制程的傳感器新產(chǎn)品,陸續獲得一線(xiàn)智能型手機OEM廠(chǎng)設計案(design win),預計本季度開(kāi)始大量出貨。   豪威已開(kāi)始擴大對臺積電下單,臺積電(2330)也已完成1.1微米間距BSI制程傳感器的功能測試,并計畫(huà)在12寸廠(chǎng)以65納米投片。
  • 關(guān)鍵字: 臺積電  CMOS  傳感器  65納米  

從快生活到優(yōu)生活“新摩爾定律”主導半導體業(yè)創(chuàng )新

  •   幾十年來(lái),摩爾定律所闡述的生產(chǎn)力效益定律一直是半導體行業(yè)發(fā)展的驅動(dòng)力。它催生了數字處理器、寬帶和大容量存儲器。這些技術(shù)大幅提升了PC、手機等產(chǎn)品的生產(chǎn)力。然而,經(jīng)濟學(xué)正給半導體行業(yè)帶來(lái)革命性轉變。未來(lái),“新摩爾定律”將發(fā)揮重要作用。   產(chǎn)品研發(fā)從性能驅動(dòng)轉為經(jīng)濟學(xué)驅動(dòng)   半導體產(chǎn)業(yè)是個(gè)相對年輕的產(chǎn)業(yè)。自摩爾定律預測芯片上晶體管的數量每18個(gè)月翻一番以來(lái),半導體器件制造商一直追求生產(chǎn)力的提升。這一定律確實(shí)沒(méi)錯。如今消費應用的SoC可能集成了幾億個(gè)晶體管。然而,半導體產(chǎn)業(yè)正
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MEMS代工產(chǎn)業(yè)呈高度分散與高競爭性

  •   法國市場(chǎng)研究機構Yole Development針對微機電系統(MEMS)市場(chǎng)發(fā)表最新報告指出,目前全球至少50家公司正在提供MEMS代工服務(wù),使得該領(lǐng)域變得高度分散與高競爭性,但又是整體MEMS產(chǎn)業(yè)不可缺少的一塊。   Yole表示,大型的開(kāi)放MEMS代工廠(chǎng)現在都很賺錢(qián),并開(kāi)始升級到8吋晶圓制程;不過(guò)由于MEMS在消費性應用領(lǐng)域的高成長(cháng)性,以及來(lái)自其它高潛力應用市場(chǎng)的商機,也吸引了許多來(lái)自主流半導體產(chǎn)業(yè)的新進(jìn)者投入競爭。   Yole并指出,由于這些來(lái)自半導體產(chǎn)業(yè)的新進(jìn)者,具備能結合CMOS技術(shù)
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韓國三星發(fā)布采用45nm工藝技術(shù)的應用處理器

  •   韓國三星電子發(fā)布了采用45nm低功耗CMOS工藝技術(shù)的應用處理器“S5P6440”。其特點(diǎn)是圖形性能高、功耗及成本低等。適用于PND等家電產(chǎn)品。   該處理器配備有英國ARM工作頻率533MHz或667MHz的CPU內核“ARM1176”。CPU內核、芯片上的所有硬件加速器及周邊部件接口均由工作頻率166MHz、64bit總線(xiàn)“AXI”連接。   還配備有支持現行及新一代多值NAND閃存的錯誤訂正用硬件,以及支持移動(dòng)DDR或D
  • 關(guān)鍵字: 三星  45納米  CMOS  S5P6440  

集成電路發(fā)展哲理

  •   半導體技術(shù)極其豐富多彩,身陷其景,會(huì )有“不識廬山真面目,只緣身在此山中”的感觸。為此,既要“近賞細微”,又要“臨空瀏覽”,以期從中領(lǐng)悟到一些哲理。   本演講根據半導體技術(shù)“由簡(jiǎn)入繁”、又“化繁為簡(jiǎn)”的螺旋式發(fā)展史事,探討主流半導體技術(shù)的發(fā)展哲理,供大家參考討論。   發(fā)展歷程   根據IC Knowledge 的歸納[1],可以把集成電路(IC)的發(fā)展歷程劃分為四個(gè)階段:
  • 關(guān)鍵字: 集成電路  CMOS  EPROM  DSP  DRAM  MPU  200907  

在危機中尋找突破點(diǎn)

  •   在金融海嘯中,博通(Broadcom)公司2008年增長(cháng)了25%,成了半導體行業(yè)的明星企業(yè)。不過(guò)該公司在2009年一季度營(yíng)收有所下降,博通的解釋是增長(cháng)率會(huì )根據產(chǎn)品或者最終市場(chǎng)和季節性有所差別,并且很大程度上受到了金融危機的影響。不過(guò),博通尤其是WLAN部門(mén)的發(fā)展經(jīng)驗可圈可點(diǎn)。   Michael Hurlston    Broadcom公司副總裁   兼無(wú)線(xiàn)連接集團WLAN事業(yè)部總經(jīng)理   運營(yíng)成本控制   博通擅長(cháng)運營(yíng)成本控制,不同的事業(yè)部有不同的特點(diǎn):一些
  • 關(guān)鍵字: Broadcom  WLAN  65納米  CMOS  PA  Wi-Fi  200907  

基于CMOS閾值電壓的基準電路設計

  • 摘要:在數/?;旌霞呻娐吩O計中電壓基準是重要的模塊之一。針對傳統電路產(chǎn)生的基準電壓易受電源電壓和溫度影響的缺點(diǎn),提出一種新的設計方案,電路中不使用雙極晶體管,利用PMOS和NMOS的閾值電壓產(chǎn)生兩個(gè)獨立于電
  • 關(guān)鍵字: CMOS  閾值電壓  基準  電路設計    

應用于智能手機的的高性能、小封裝邏輯電平轉換方案

  •   近一兩年來(lái),在蘋(píng)果公司iPhone手機的帶動(dòng)下,智能手機市場(chǎng)迅速擴大。智能手機等便攜產(chǎn)品的一個(gè)重要特點(diǎn)是功能越來(lái)越多,從而支持更廣泛的消費需求。但智能手機等便攜產(chǎn)品內部用于支持不同功能的集成電路(IC)或模塊的工作電壓往往不同,如基帶處理器和應用處理器電壓一般在1.5 V至1.8 V之間,而現有許多外設工作電壓一般為2.6至3.3 V,如USIM卡、Wi-Fi模塊、調頻(FM)調諧器模塊工作電壓為2.8 V,而相機模塊為2.7 V。      因此,智能手機等便攜產(chǎn)品中的不同IC與外設模塊之間
  • 關(guān)鍵字: 安森美  智能手機  電平轉換器  CMOS  

高清視頻CMOS電流舵數/模轉換器的設計

  • 摘 要:高清晰電視(HDTV)和無(wú)線(xiàn)通信網(wǎng)絡(luò )的發(fā)展,對轉換器速度和精度提出了更高的要求?;谛滦蛡鬏旈T(mén)(TG) 結構組成的電流源單元矩陣和譯碼邏輯電路,提出一種適用于高清晰視頻使用的高速8位CMOS電流舵數/模轉換器(
  • 關(guān)鍵字: 轉換器  設計  電流  CMOS  視頻  高清  轉換器  

基于電流折疊技術(shù)的CMOS全差分VCO設計

  • 摘 要:針對目前通信系統應用上對壓控振蕩器的片上集成、寬調諧、調幅、啟動(dòng)特性和功耗等提出的綜合性要求,分析和設計了一種壓控調頻調幅振蕩器,其延遲單元采用全差分結構,以消除共模噪聲和增加延遲控制的靈活性
  • 關(guān)鍵字: CMOS  VCO  電流  折疊技術(shù)    

銳迪科推出國內首顆地面數字電視廣播射頻接收芯片

  •   銳迪科微電子 (RDA) 日前宣布,其應用于地面數字電視接收的高性能射頻接收芯片量產(chǎn),這也是在該領(lǐng)域國內首顆成功上市的芯片,標志著(zhù)國外芯片壟斷國內市場(chǎng)的歷史從此改寫(xiě)。該芯片型號為 RDA5880,采用 CMOS 工藝,QFN32 5*5封裝,片外器件極少,具備高集成度的特點(diǎn),支持自動(dòng)增益控制模式,能夠支持目前所有的數字電視廣播傳輸標準(包括 DVB-T、DVB-C、ATSC、DMB-T/H、CMMB 等)以及模擬電視標準,支持多波段 band III 174M-240M, VHF band 470M-
  • 關(guān)鍵字: RDA  地面數字電視  射頻接收芯片  CMOS  RDA5880  
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cmos digital image sensor介紹

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