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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> cmos digital image sensor

CMOS圖像傳感器IBIS5-B-1300的驅動(dòng)時(shí)序設計

  • 介紹Cypress公司的圖像傳感器IBIS5-B-1300，分析其特性和工作原理，并對其兩種快門(mén)方式進(jìn)行了比較。在此基礎上設計它所需要的時(shí)序控制電路。選用Xilinx公司的Spartan3系列FPGA芯片XC3S50作為硬件設計平臺，對采用不同配置和快門(mén)的時(shí)序控制電路進(jìn)行了仿真。實(shí)驗結果表明，設計的驅動(dòng)電路能夠滿(mǎn)足成像器的工作需求。
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全球最大容量 爾必達4Gb DDR3顆粒開(kāi)發(fā)完成

  • 　　日本DRAM大廠(chǎng)爾必達今天宣布，已經(jīng)成功開(kāi)發(fā)出4Gbit容量DDR3內存顆粒。這是目前市場(chǎng)上DDR3顆粒的最大容量，只需單面8顆即可組成 4GB容量?jì)却鏃l，雙面16顆即可構成單條8GB內存。該顆粒使用40nm CMOS工藝制造，相比同工藝的2Gb顆?？晒澞?0%。支持x4、x8、x16 bit位寬，其中x4/x8位寬版本采用78-ball FBGA封裝，x16bit產(chǎn)品采用96-ball FBGA封裝。除DDR3標準的1.5V電壓外，還可支持1.35V低壓標準。 　　爾必達計劃將該顆粒使用在單條32
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低成本CMOS圖像傳感器對醫學(xué)技術(shù)的推動(dòng)作用

  • 低成本CMOS圖像傳感器對醫學(xué)技術(shù)的推動(dòng)作用, 醫學(xué)技術(shù)一直是CCD(電荷耦合設備)圖像傳感器的重要應用領(lǐng)域之一?，F在，CMOS傳感器已進(jìn)入高速發(fā)展時(shí)期。究其原因，首先，CMOS圖像質(zhì)量可與CCS圖像相媲美。其次，利用標準半導體制造工藝，CMOS傳感器在價(jià)格方面占據很
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臺積電讓大家感到驚奇的7件事

  • 　　象過(guò)去多年來(lái)一樣, 在今年的會(huì )上臺積電也爆出讓人感到驚奇的新工藝技術(shù)。它的新工藝路線(xiàn)圖, 包括CMOS,Analog,MEMS,RF等領(lǐng)域。以下是在一天的會(huì )中對于會(huì )議的觀(guān)察及感受; 　　1,Morris張去年79歲高令重新執掌臺積電, 那時(shí)正值全球IC業(yè)混亂時(shí)代, 它又重新?lián)P帆啟航。但是在此次會(huì )上見(jiàn)到張時(shí)仍是如1990年首次見(jiàn)到它時(shí)那樣精力充沛而健談。更重要的是在公司經(jīng)歷40nm的風(fēng)波后,它似乎為客戶(hù)重塑了信心及在它的掌舵下公司又重新采取積極的投資, 研發(fā)與招工策略, 張認為至今年底公司將從今日的2
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三星宣布新型CMOS傳感器量產(chǎn)技術(shù)

  • 韓國三星電子宣布提高CMOS傳感器靈敏度的背面照射技術(shù)達到了實(shí)用化水平，2010年將批量生產(chǎn)產(chǎn)品。至此，三家大型...
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張忠謀談半導體業(yè) 需要加強合作

  • 　　臺積電總裁張忠謀認為,雖然近期IC業(yè)的形勢越來(lái)越好, 但是產(chǎn)業(yè)還是面臨諸多挑戰。 　　在近期舉行的臺積電技術(shù)會(huì )上張忠謀表示,摩爾定律正在減緩和芯片制造成本越來(lái)越高，因此臺積電將比過(guò)去在芯片制造商與代工之間更加加強緊密合作。 　　它對于大家說(shuō),此種合作關(guān)系要從芯片設計開(kāi)始, 并相信未來(lái)臺積電會(huì )做得更好。 　　它同時(shí)指出，加強合作要依技術(shù)為先。從技術(shù)層面, 那些老的，包括新的代工競爭者, 如GlobalFoundries,Samsung及UMC,對于臺積電都能構成大的威脅。 　　非常幸運, 大部分
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低功耗高轉換速率CMOS模擬緩沖器

  • 提出了減小輸入電容的軌到軌電壓緩沖器。軌到軌操作不僅在電路的輸出端，同樣在電路的輸入端實(shí)現。所介紹電路的AB特性導致了低功耗和高的轉換速率，使它很適合驅動(dòng)大的電容負載。仿真結果已經(jīng)提供了該電路的操作。
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基于3GHz CMOS低噪聲放大器優(yōu)化設計

  • 　摘 要： 基于0.18 μm CMOS工藝，采用共源共柵源極負反饋結構，設計了一種3 GHz低噪聲放大器電路。從阻抗匹配及噪聲優(yōu)化的角度分析了電路的性能，提出了相應的優(yōu)化設計方法。仿真結果表明，該放大器具有良好的性能
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CMOS集成CD4013觸摸開(kāi)關(guān)

  • 這個(gè)電路是使用，CMOS集成電路CD4013雙D正反器，分別接成一個(gè)單穩態(tài)電路和一個(gè)雙穩態(tài)電路。單穩態(tài)電路的作用是對觸摸信號進(jìn)行脈波寬度整形，保證每次觸摸動(dòng)作都可靠。雙穩態(tài)電路用來(lái)驅動(dòng)晶體管Q1的開(kāi)通或關(guān)閉，進(jìn)而控
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5.6GHz CMOS低噪聲放大器設計

  • 摘要：分析了一種射頻COMS共源-共柵低噪聲放大器的設計電路，采用TSMC 90nm低功耗工藝實(shí)現。仿真結果表明：在5．6GHz工作頻率，電壓增益約為18．5dB；噪聲系數為1．78dB；增益1dB壓縮點(diǎn)為-21．72dBm；輸入參考三階交
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CMOS探測器在射線(xiàn)檢測中的設計應用

  • 概述：以CMOS探測器為記錄介質(zhì)的數字化射線(xiàn)檢測技術(shù)，檢測精度高、溫度適應性好、結構適應性強。CMOS射線(xiàn)掃描探測器探測單元排成線(xiàn)陣列，需要在檢測時(shí)進(jìn)行相對掃描運動(dòng)，逐線(xiàn)采集并拼成完整的透照投影圖像。介紹了檢
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基于單晶片CMOS語(yǔ)音合成的ASIC設計

  • 引言　　近年語(yǔ)音集成電路獲得迅速發(fā)展，其應范圍越越廣，自動(dòng)售貨機、ATM柜員機，部直通電話(huà)機以及玩具等方面應量語(yǔ)音合成芯片。該芯片部采脈寬調制，數字信號確還原成模擬信號，從而使得電路輸出端不需接D/A轉換；
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淺析：視頻監控相關(guān)技術(shù)發(fā)展與市場(chǎng)動(dòng)向

DSP內嵌PLL中的CMOS壓控環(huán)形振蕩器設計

  • DSP內嵌PLL中的CMOS壓控環(huán)形振蕩器設計,本文設計了一種應用于DSP內嵌鎖相環(huán)的低功耗、高線(xiàn)性CM0S壓控環(huán)形振蕩器。電路采用四級延遲單元能方便的獲得正交輸出時(shí)鐘，每級采用RS觸發(fā)結構來(lái)產(chǎn)生差分輸出信號，在有效降低靜態(tài)功耗的同時(shí)．具有較好的抗噪聲能力。在延遲單元的設計時(shí)。綜合考慮了電壓控制的頻率范圍以及調節線(xiàn)性度，選擇了合適的翻轉點(diǎn)。 仿真結果表明．電路叮實(shí)現2MHz至90MHz的頻率調節范圍，在中心頻率附近具有很高的調節線(xiàn)性度，可完全滿(mǎn)足DSP芯片時(shí)鐘系統的要求。
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CMOS音頻功率放大器的旁路電壓控制電路

  • 摘要：基于CSMCO．5μm CMOS工藝設計一種帶滯回功能的高穩定性電壓控制電路，利用遲滯比較器對旁路電壓和基準電壓進(jìn)行比較并控制電容的充放電，提高了電壓的穩定性。Cadence Spectre仿真結果表明，該電路產(chǎn)生的電壓穩
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cmos digital image sensor介紹

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