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cmos digital image sensor
cmos digital image sensor 文章 進(jìn)入cmos digital image sensor技術(shù)社區
中芯國際將45納米工藝技術(shù)延伸至40納米以及55納米
- 中芯國際今天宣布其45納米的互補型金屬氧化物半導體 (CMOS) 技術(shù)將延伸至40納米以及55納米。 這些新工藝技術(shù)進(jìn)一步豐富了中芯國際現有的技術(shù)能力，更好地滿(mǎn)足全球客戶(hù)的需求，包括快速增長(cháng)的中國市場(chǎng)在內。其應用產(chǎn)品包括多媒體產(chǎn)品、圖形芯片、芯片組以及手機設備(如3G/4G 手機)。 “中芯國際上海的12英寸廠(chǎng)已提前達標完成了45納米的技術(shù)工藝。我們也同樣期盼著(zhù)這些附加的延伸技術(shù)能取得佳績(jì)。”張汝京博士 -- 中芯國際總裁兼首席執行長(cháng)表示，“這些新技術(shù)為
- 關(guān)鍵字： 中芯國際 CMOS 45納米 40納米 55納米
安森美推出0.18微米CMOS工藝技術(shù)
- 全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)擴展定制晶圓代工能力，推出新的具價(jià)格競爭力、符合業(yè)界標準的0.18微米(µm) CMOS工藝技術(shù)。 這ONC18工藝是開(kāi)發(fā)低功率及高集成度數字及混合信號專(zhuān)用集成電路(ASIC)的極佳平臺，用于汽車(chē)、工業(yè)及醫療應用?；贠NC18工藝的方案將在安森美半導體位于美國俄勒岡州Gresham的8英寸晶圓制造廠(chǎng)制造，因此，預期對于尋求遵從國際武器貿易規章(ITAR)的合作伙伴、在美國國內生產(chǎn)的美國軍事應用設計人
- 關(guān)鍵字： 安森美 CMOS 晶圓制造
諾貝爾獎當之無(wú)愧，CCD傳感器已無(wú)處不在
- 1969年，貝爾實(shí)驗室(Bell Laboratories)的科學(xué)家Willard S. Boyle和George E. Smith發(fā)明了第一個(gè)成功的數字影像傳感器技術(shù)：電荷耦合組件(CCD)。40年后，隨著(zhù)影像傳感器逐漸發(fā)展成為一個(gè)年出貨量達13億顆的龐大市場(chǎng)，這兩位技術(shù)先鋒也在2009年獲頒諾貝爾物理獎，以表?yè)P他們在數字成像領(lǐng)域的貢獻。 “影像傳感器技術(shù)對世界和整個(gè)社會(huì )帶來(lái)了巨大且深遠的影響，”iSuppli分析師Pamela Tufegdzic說(shuō)。“影像
- 關(guān)鍵字： CCD CMOS 影像傳感器
臺積電與AMCC結盟 取得嵌入式微處理器訂單
- 臺積電宣布與AMCC(應用微電路;Applied Micro Circuits Corporation;AMCC-US)結盟，AMCC的Power Architecture嵌入式微處理器將以臺積電90奈米CMOS制程生產(chǎn)，未來(lái)將進(jìn)一步推進(jìn)到65奈米及40奈米制程。這意味著(zhù)臺積電在 CPU代工領(lǐng)域再下一城。 AMCC為全球能源及通訊解決方案商，臺積電表示，這次雙方的合作，是AMCC Power Architecture嵌入式微處理器首次采用非SOI制程技術(shù)，受惠于臺積電成熟的bulk CMOS技術(shù)
- 關(guān)鍵字： 臺積電 CPU代工 CMOS
華虹NEC 0.162微米CIS工藝成功進(jìn)入量產(chǎn)
- 世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠(chǎng)之一，上海華虹NEC電子有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“華虹NEC”)日前宣布成功開(kāi)發(fā)了0.162微米CMOS 圖像傳感器 (CIS162) 工藝技術(shù)，已進(jìn)入量產(chǎn)階段。 華虹NEC和關(guān)鍵客戶(hù)合作共同開(kāi)發(fā)的CIS162工藝是基于標準0.162微米純邏輯工藝，1.8V的核心器件，3.3V的輸入輸出電路。經(jīng)過(guò)精細調整集成了4個(gè)功能晶體管和光電二極管(photo diode) 的像素單元可以提供超低的漏電和高清優(yōu)質(zhì)的圖像。而特別處理的后端布線(xiàn)工藝保證了像素區高敏感性，可
- 關(guān)鍵字： 華虹NEC 晶圓代工 CMOS 圖像傳感器
2009年全球圖像傳感器市場(chǎng)規模預測
- 市場(chǎng)研究機構StrategiesUnlimited指出，全球圖像傳感器市場(chǎng)將在09年縮水11%，來(lái)到64億美元規模，不過(guò)接下來(lái)將逐漸恢復正常成長(cháng)。該機構預期，未來(lái)數年該市場(chǎng)的平均年成長(cháng)率會(huì )維持在個(gè)位數;到09年為止，其十年來(lái)的復合年成長(cháng)率高達22%。 圖像傳感器市場(chǎng)在2009年的衰退主要是受到全球經(jīng)濟景氣循環(huán)影響，而這樣的負面影響恐怕會(huì )持續下去，特別是在該市場(chǎng)因為幾乎所有手機都內建相機而經(jīng)歷爆炸性成長(cháng)之后。未來(lái)幾年，預計圖像傳感器的銷(xiāo)售量仍將呈現成長(cháng)，但短期需求波動(dòng)、供應過(guò)?；虺跃o，以及沉重的價(jià)
- 關(guān)鍵字： CCD 傳感器 CMOS
基于0.13μm CMOS工藝的快速穩定的高增益Telescop
- 近年來(lái)，軟件無(wú)線(xiàn)電(Software Radio)的技術(shù)受到廣泛的關(guān)注。理想的軟件無(wú)線(xiàn)電臺要求對天線(xiàn)接收的模擬信號經(jīng)過(guò)放大后直接采樣，但是由于通常射頻頻率(GHz頻段)過(guò)高，技術(shù)上所限難以實(shí)現，而多采用中頻采樣的方法。而對
- 關(guān)鍵字： Telescopic 0.13 CMOS 工藝
G-sensor價(jià)格預期下降10-20%
- 根據市場(chǎng)消息來(lái)源，由于飛思卡爾產(chǎn)能擴展完成，三軸加速度計(g-sensors)的報價(jià)預期在2009年第三季度將比目前的每只一美金下降0.1-0.2美金。 飛思卡爾從2009年一季度開(kāi)始擴充產(chǎn)能并生產(chǎn)低價(jià)的g-sensor。但其他IDM廠(chǎng)商如ADI、ST、Bosch仍對市場(chǎng)需求持謹慎態(tài)度，沒(méi)有增加產(chǎn)能的計劃。 但是，在飛思卡爾產(chǎn)能擴展完成后，價(jià)格競爭不可避免。另外，Bosch在消費電子市場(chǎng)加碼發(fā)力，提供靈活的報價(jià)。
- 關(guān)鍵字： 飛思卡爾 G-sensor
耶魯大學(xué)與SRC公司聯(lián)合開(kāi)發(fā)下一代內存芯片技術(shù)FeDRAM
- SRC公司與耶魯大學(xué)的研究者們周二宣布發(fā)明了一種能顯著(zhù)提高內存芯片性能的新技術(shù)。這項技術(shù)使用鐵電體層來(lái)替換傳統內存芯片中的電容結構作為基本的存儲 單元，科學(xué)家們將這種內存稱(chēng)為鐵電體內存(FeDRAM),這種內存芯片的存儲單元將采用與CMOS微晶體管類(lèi)似的結構，不過(guò)其門(mén)極采用鐵電體材料而不是傳統的電介質(zhì)材料制作。 這種技術(shù)能使存儲單元的體積更小，信息的保存時(shí)間比傳統方式多1000倍左右，刷新的時(shí)間間隔可以更大，因此耗電量也更小，還可以像閃存芯片中那樣在一個(gè)存儲單元中存儲多位數據。此外，有關(guān)的制
- 關(guān)鍵字： 內存芯片 CMOS FeDRAM
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