武漢新芯估2018年量產(chǎn)48層NAND

　　紅色供應鏈來(lái)勢洶洶，外界原本認為，陸廠(chǎng)要到四五年后才能在記憶體搶下一席之地，不過(guò)有分析師預測，陸廠(chǎng)研發(fā)腳步迅速，可能2018年就能量產(chǎn)3D NAND。

　　巴 倫(Barronˋs)6日報導，美系外資晶片設備分析師Atif Malik稱(chēng)，中國透過(guò)Rambus和Spansion取得DRAM和NAND記憶體的技術(shù)授權。2月份，Spansion和武漢新芯(XMC)簽訂3D NAND研發(fā)和交叉授權協(xié)定。由武漢新芯出資、Spansion提供電荷儲存式(Charge trap)和浮閘(Floating Gate)的NAND IP。Malik表示，他們相信2017年底就能取得48層3D NAND的驗證，2018年進(jìn)行量產(chǎn)。

　　目前只有三星有能力量產(chǎn)48層3D NAND，另一記憶體大廠(chǎng)SK海力士預料要到今年下半才能生產(chǎn)。

　　與 此同時(shí)，Malik也指出，中國投入半導體市場(chǎng)，對設備商來(lái)說(shuō)短多長(cháng)空。中國砸錢(qián)大買(mǎi)設備建廠(chǎng)，應用材料(Applied Materials)、Lam Research一開(kāi)始有望受惠。但是長(cháng)期而言，設備業(yè)者將流失非中國業(yè)者訂單。這是“零和游戲”，中國訂單大增，表示其他記憶體和晶圓代工大廠(chǎng)需要減少 資本開(kāi)支。(注：零和游戲/zero sum game，一方獲利意味另一方將蒙受損失、兩者相加的總和永遠為零)

　　他強調，中國加入不會(huì )擴大全球半導體設備支出，因為中國向半導體的三大資本開(kāi)支大廠(chǎng)，采購大量晶片。這三大業(yè)者分別是臺積電(2330)、英特爾、三星電子。中國計畫(huà)2020年前，國內消費的40%晶片改為自制。

　　巴 倫(Barronˋs)網(wǎng)站4月12日報導，Bernstein分析師Mark Newman表示，記憶體業(yè)者自相殘殺，等到中國廠(chǎng)商進(jìn)入市場(chǎng)，情況將急轉直下。報告稱(chēng)，中國可能是足以顛覆市場(chǎng)的競爭者，他們財力雄厚，等到供給上線(xiàn) 后，市況將慘不忍睹。武漢新芯(XMC)的3D NAND技術(shù)大約落后領(lǐng)先廠(chǎng)商4~5年，他們打算狂燒資本加緊追趕，等到量產(chǎn)之后，市場(chǎng)供給過(guò)剩將更加惡化。

　　巴倫(Barronˋs)網(wǎng) 站、韓媒etnews 4月報導，Brean Capital的Mike Burton表示，目前只有三星有能力制造3D NAND，其他業(yè)者要到今年下半才開(kāi)始生產(chǎn)。3D NAND采用較舊制程(35~50奈米)，業(yè)者能以較低成本、提高產(chǎn)能。英特爾主管David Lundell表示，預計大連廠(chǎng)會(huì )在今年底量產(chǎn)3D NAND。