中國存儲器“3+1”版圖初現

　　對中國大陸來(lái)說(shuō)，今年可算是真正意義上的存儲器元年。武漢存儲器基地項目啟動(dòng)，與聯(lián)電合作的晉華集成電路項目落戶(hù)福建泉州晉江市，還有明確要做存儲器的合肥市和紫光。三個(gè)地方加一個(gè)企業(yè)牽頭的“3+1”存儲器版圖已初現端倪。

　　此前，中國還未有任何一家企業(yè)在存儲器主流市場(chǎng)中占據過(guò)一席之地。面對一個(gè)動(dòng)輒上百億元巨額投資、由寡頭壟斷的產(chǎn)業(yè)，讓人不由得思考：這種多方并進(jìn)、多點(diǎn)齊投的發(fā)展模式是不是合理?各方選擇的路徑顯然都不是坦途，最后哪條才能走進(jìn)存儲器的明天?

　　新進(jìn)入者

　　要創(chuàng )造不可能的可能

　　在這個(gè)寡頭割據的市場(chǎng)中，完全沒(méi)有給新進(jìn)入者留下太多發(fā)展的余地。

　　“現實(shí)世界中應當不會(huì )有新加入者了，因為它無(wú)法實(shí)現規模經(jīng)濟，不可能加入進(jìn)來(lái)持續虧錢(qián)?！盉ernstein分析師Mark Newman告訴《中國電子報》記者。

　　Mark Newman指出，新進(jìn)入者通常在起步時(shí)就要落后同行業(yè)至少3年，在供需平衡的情況下，新進(jìn)入者一年可能要面臨60%左右的虧損;而在產(chǎn)能過(guò)剩的情況下，新進(jìn)入者的虧損很可能達到百分之幾百。

　　參考過(guò)去十幾年的經(jīng)驗，這個(gè)市場(chǎng)并不是沒(méi)有新進(jìn)入者。

　　中國臺灣地區曾在2001年至2010年間以400億美元的大手筆投資大幅挺進(jìn)存儲器市場(chǎng)，最多的時(shí)候能夠占據存儲器總市場(chǎng)份額的20%。但最終結果慘淡，市場(chǎng)并不歡迎這個(gè)新玩家，目前中國臺灣存儲器只剩下4%的市場(chǎng)份額。

　　這一次，決心晉身存儲器玩家的是中國大陸。

　　從 2014年《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》特別指出要發(fā)展新興存儲等關(guān)鍵芯片產(chǎn)業(yè)，到工信部印發(fā)的貫徹落實(shí)《國務(wù)院關(guān)于積極推進(jìn)“互聯(lián)網(wǎng)+”行動(dòng)的指導 意見(jiàn)》行動(dòng)計劃(2015-2018年)中提出到2018年在海量存儲系統領(lǐng)域取得重大突破，毫無(wú)疑問(wèn)，面對常年“缺芯”的窘境，市場(chǎng)總額超過(guò)800億美 元、卻幾乎100%依賴(lài)進(jìn)口的存儲器已經(jīng)上升到國家意志的高度，發(fā)展刻不容緩。

　　中科院微電子所研究員霍宗亮告訴《中國電子報》記者，對新 進(jìn)入的中國玩家，想切入DRAM和NAND閃存領(lǐng)域存有一線(xiàn)可能。DRAM制程工藝已快遇到物理上的極限，更新?lián)Q代越來(lái)越慢，技術(shù)難度越來(lái)越大，在這樣的 情況下，國外廠(chǎng)家有可能跟中國新進(jìn)入者共同研發(fā)或技術(shù)轉移，但利潤很薄，前景堪憂(yōu)。

　　他指出，閃存則開(kāi)始走進(jìn)3D NAND新興技術(shù)，該技術(shù)可以向下延展到更多的技術(shù)節點(diǎn)，比如32層、48層、64層、96層……在設備成本差別不大的情況下，中國新進(jìn)入者只要完成前期的技術(shù)開(kāi)發(fā)，后續的進(jìn)展有可能加速。