傳三星今年資本支出較去年增長(cháng)85.6%達219.5億美元

　　三星登上全球半導體龍頭，不惜砸重金投入研發(fā)，傳今年資本支出將大幅增加逾 10 兆韓圜。

　　新韓投資(Shinhan Investment Corp)日前發(fā)布報告預測，三星今年半導體資本支出將擴增至 24.5 兆韓圜(約 219.5 億美元)，較 2016 年成長(cháng) 85.6%，且將超越 2015 年的 14.7 兆韓圜成為三星史上新高。

　　存儲器目前供不應求，也是三星今年布局的重點(diǎn)，預料將占據資本支出的一半左右。據新韓分析師預測，光是 NAND 快閃存儲器，三星就將砸下 12.05 兆韓圜(約 108 億美元)，非存儲器部門(mén)(包含晶圓代工)則占 8 兆韓圜。

　　業(yè)界消息指出，三星半導體業(yè)務(wù)部門(mén)將擴充華城廠(chǎng) 17 線(xiàn)的 DRAM 產(chǎn)能，生產(chǎn) 10 納米等級的 DRAM。三星已告知設備廠(chǎng)擴產(chǎn)計劃，并在 3 月向部分業(yè)者下單，估計投資金額約為 2.5~3 兆韓圜，完工后每月增產(chǎn) 3.5 萬(wàn)片 300 公厘的硅晶圓，預定今年下半初步生產(chǎn)。

　　三星華城廠(chǎng)為綜合晶圓廠(chǎng)，17 線(xiàn)生產(chǎn) DRAM、11 線(xiàn)生產(chǎn)影像傳感器和 DRAM、16-2 線(xiàn)生產(chǎn) 3D NAND flash、S3 線(xiàn)生產(chǎn) 10 納米系統半導體。

　　三星 NAND 快閃存儲器量產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)先，分析師看好三星借由新增投資，可趁機擴大市占率。市調機構 DRAMeXchange 數據顯示，三星 2016 年第四季 NAND 存儲器營(yíng)收市占達 37.1%，遙遙領(lǐng)先第二名東芝的 18.3%。

　　市調機構 IC Insights 月初公布報告指出，如果存儲器持續漲價(jià)，三星最快于第二季取代英特爾成為全球半導體龍頭。