NAND閃存的三種架構：MLC、SLC、MBC

NAND閃存的內部架構:NAND閃存可以分為三種不同架構，即：?jiǎn)螌訂卧猄LC （Single Level Cell）；多層單元MLC（Multi Level Cell）；多位單元MBC（Multi Bit Cell）。其中，MBC以NROM技術(shù)為基礎的NAND閃存架構，由英飛凌與Saifun合作開(kāi)發(fā)，但該項架構技術(shù)并不成熟。

采SLC架構是在每個(gè)Cell中存儲1個(gè)bit的信息，以達到其穩定、讀寫(xiě)速度快等特點(diǎn)，Cell可擦寫(xiě)次數為10萬(wàn)次左右。作為SLC架構，其也有很大的缺點(diǎn)，就是面積容量相對比較小，并且由于技術(shù)限制，基本上很難再向前發(fā)展了。

1997年，MLC架構的NAND閃存被英特爾率先研發(fā)出來(lái)，其原理是將2個(gè)或2個(gè)以上bit以上的信息寫(xiě)入一個(gè)浮動(dòng)柵，然后利用不同電位的電荷，透過(guò)內存儲存格的電壓控制精準讀寫(xiě)。由于其成本低，容量大，自問(wèn)世以來(lái)得到了包括英特爾在內的多家閃存大廠(chǎng)的支持，其中東芝公司更是看好MLC技術(shù)，并大力發(fā)展。但是MLC架構也同樣有其缺點(diǎn)，首先是運行情況不及SLC架構來(lái)的穩定；而且相對讀寫(xiě)速率也較SLC慢；其次MLC的可寫(xiě)入次數僅為1萬(wàn)次左右。因此，MLC架構的NAND芯片一度被認為是低質(zhì)低價(jià)的閃存芯片。但是由于其容量上的先天優(yōu)勢，MLC技術(shù)也在不斷改進(jìn)和發(fā)展。

SLC和MLC結構和工作原理示意圖 本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/201706/353427.htm

兩個(gè)MCL Block的NAND FLASH

因為其低成本及容量高的關(guān)系，該類(lèi)型閃存已經(jīng)主宰了我們身邊的眾多存儲媒介。由于目前移動(dòng)設備的不斷增長(cháng)，大容量高速非易失性存儲設備成為市場(chǎng)需求的目標。