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hynix 文章 進(jìn)入hynix技術(shù)社區
海力士預期今年營(yíng)收將達10年高點(diǎn)
- 由于目前存儲器供應短缺、供不應求，全球第2大存儲器廠(chǎng)商海力士(Hynix)預期2010年的營(yíng)收可望達到10年來(lái)的最高點(diǎn)。 目前DRAM市場(chǎng)正處于供不應求的狀態(tài)。自2009年全球經(jīng)濟逐漸回溫后，企業(yè)放寬支出，對個(gè)人計算機(PC)的需求也回升，光是2010年P(guān)C銷(xiāo)量就可能較2009年增加10%，帶動(dòng)了DRAM的需求量上升。 另外，智能型手機(Smartphone)、平板計算機(Tablet PC)及其它行動(dòng)設備的市場(chǎng)規模日增，也讓NAND Flash的需求量不斷攀升。但相對于存儲器芯片需求量節
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海力士將和美光談與恒憶的大陸合資廠(chǎng)
- 據彭博(Bloomberg)報導，全球第2大存儲器廠(chǎng)商海力士(Hynix)表示，目前全球存儲器市場(chǎng)僅能滿(mǎn)足60%的需求，海力士有可能會(huì )重新審視資本支出計畫(huà)，此外，海力士將和存儲器大廠(chǎng)美光(Micron) 討論先前海力士與恒憶(Numonyx)在大陸擁有的合資企業(yè)。 海力士新任執行長(cháng)權五哲(Kwon Oh-chul)表示，2010年全球存儲器市場(chǎng)對生產(chǎn)者有利，目前市場(chǎng)并未形成泡沫，優(yōu)于預期的市場(chǎng)狀況可能會(huì )延續至下1季。此外，海力士原先計劃在 2010年投資2.3兆韓元(約20.2億美元)，然若存儲
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Hynix宣布已成功開(kāi)發(fā)出26nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品
- 南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開(kāi)發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并于去年8月份開(kāi)始量產(chǎn)這種閃存芯片之后，他們已經(jīng)于日前成 功開(kāi)發(fā)出了基于26nm制程的NAND閃存芯片。他們并稱(chēng)將于今年7月份開(kāi)始量產(chǎn)基于26nm制程的64GB容量NAND閃存芯片產(chǎn)品. 按閃存芯片市占率計算，Hynix公司去年在閃存芯片市場(chǎng)上的市占率排在第三位，僅次于排在前兩位的三星與東芝公司。據此前的報道顯示，三星公司和由Intel和鎂光公司合資成立的IM Flash公司均計劃于今年第二季度推出基于25n
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海力士：DRAM恐供給過(guò)剩
- DRAM廠(chǎng)普遍看好今年市況之際，全球第二大DRAM廠(chǎng)海力士(Hynix)卻發(fā)出警語(yǔ)，認為今年DRAM恐出現供給過(guò)剩。海力士也是近期全球第一家看空DRAM產(chǎn)業(yè)的大廠(chǎng)。 全球DRAM龍頭三星上周才公開(kāi)表示，看好整體內存產(chǎn)業(yè)，海力士卻發(fā)布警語(yǔ)，看法與三星大為迥異。 外電報導，海力士執行長(cháng)金鐘甲(Kim Jong-kap)在接受媒體采訪(fǎng)時(shí)透露，由于各大芯片廠(chǎng)都大舉擴大資本支出，擔心DRAM會(huì )供給過(guò)剩;不過(guò)，他認為儲存型閃存(NAND Flash)需求仍會(huì )不錯。
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2010年NAND Flash價(jià)格發(fā)展持續兩極化
- NAND Flash市場(chǎng)未脫傳統淡季，仍在等待蘋(píng)果(Apple)補貨效應出現，2010年1月下旬NAND Flash合約價(jià)大致持平，高容量32Gb和64Gb芯片有小幅調漲，低容量芯片要嚴防3-bit-per-cell架構的TLC(Triple- Level Cell)成為市場(chǎng)的價(jià)格殺手，但高容量產(chǎn)品新增產(chǎn)能又相當有限，因此2010年NAND Flash價(jià)格發(fā)展持續兩極化。 近期NAND Flash現貨價(jià)和合約價(jià)都有止跌的跡象，1月下旬NAND Flash合約價(jià)持平開(kāi)出，在高容量32Gb和64Gb
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4大DRAM陣營(yíng)競爭激烈 美光、爾必達提前導入40納米
- 2010年4大DRAM陣營(yíng)三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、爾必達(Elpida)和美光(Micron)戰場(chǎng)直接拉到40納米世代!繼爾必達跳過(guò)50納米制程，大舉轉換至45納米后，美光陣營(yíng)也不甘示弱宣布年中將同步轉42納米。華亞科表示，表示旗下的50納米制程是最正統的完整世代技術(shù)，并非是制程微縮下的產(chǎn)物，因此成本競爭力有十足把握;在爾必達、美光跟上制程進(jìn)度后，年底4大陣營(yíng)技術(shù)實(shí)力大幅縮小，競爭更激烈。 雖然三星電子和海力士已先一步轉到40納米世代，其中三星是
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海力士第4季獲利6,570億韓元 創(chuàng )3年新高
- 全球第2大計算機存儲器制造商海力士(Hynix)公布2009年第4季財報，隨著(zhù)全球個(gè)人計算機(PC)景氣回溫，海力士獲利創(chuàng )下3年來(lái)新高。 2009年第4季海力士營(yíng)收為2.8兆韓元(約24.7億美元)，較第3季大幅成長(cháng)32%，海力士營(yíng)收成長(cháng)主因為DRAM及NAND Flash存儲器出貨量成長(cháng)，同時(shí)，DRAM平均售價(jià)也上揚，此外，第4季海力士?jì)衾麨?,570億韓元，更較第3季大幅成長(cháng)167%。 和2009年第3季相較，2009年第4季海力士DRAM平均售價(jià)及出貨量分別成長(cháng)26%及12%，至于N
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Hynix 44nm制程2Gb低功耗DDR2內存芯片產(chǎn)品開(kāi)發(fā)完成
- 韓國內存廠(chǎng)商Hynix日前宣布他們已經(jīng)完成了2Gb密度低功耗DDR2內存芯片產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)，這款產(chǎn)品將主要面向移動(dòng)設備，可在智能手機，平板電腦等移動(dòng)設備上使用，Hynix并稱(chēng)這種芯片將于今年上半年開(kāi)始投入量產(chǎn)。 這款內存芯片產(chǎn)品的數據傳輸率可達1066Mbps，并將以小型封裝(如MCP/POP封裝形式)的形式進(jìn)行供貨。 Hynix宣稱(chēng)這款芯片產(chǎn)品采用了44nm制程技術(shù)制作，工作電壓僅1.2V，位寬為32位的配置條件下，使用這種芯片的內存系統帶寬可達4.26GB/s。另外，這
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阿布扎比國有投資公司無(wú)意收購韓海力士半導體股份
- 阿布扎比政府屬下的阿布扎比先進(jìn)技術(shù)投資公司(ATIC)6日稱(chēng)，公司無(wú)意收購韓國海力士半導體(Hynix Semiconductor Inc.)股份。 公司首席執行官阿賈米(Ibrahim Ajami)電話(huà)告訴媒體稱(chēng)，“這與ATIC沒(méi)有任何關(guān)系，我也不清楚是不是阿布扎比政府旗下其他投資半導體的投資公司。” 6日早前一家媒體援引韓國政府官員的話(huà)報道稱(chēng)，阿聯(lián)酋政府顯示有興趣收購海力士半導體的股份。 阿賈米稱(chēng)，由高級微設備公司(AMD)拆分而來(lái)的半導體制造廠(chǎng)商Glob
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韓結束3年反壟斷調查 未發(fā)現芯片廠(chǎng)操縱價(jià)格
- 韓國公平交易委員會(huì )(FTC)周三宣布，并未發(fā)現NAND快閃記憶芯片制造商在韓國或其它地區有操縱市場(chǎng)價(jià)格的行為，也宣告終止近3年來(lái)對該產(chǎn)業(yè)的反壟斷調查。 反壟斷監管單位聲明，針對計算機記憶芯片產(chǎn)業(yè) (包括DRAM芯片、DRAM芯片等) 相關(guān)的價(jià)格操縱調查已經(jīng)全部結束。 2007年1月，FTC宣布將針對NAND快閃記憶芯片制造商進(jìn)行反壟斷調查，偵查是否有操縱價(jià)格的事實(shí)，之后已針對全球4家企業(yè)進(jìn)行調查，其中2家位于韓國，另外2家分別在美國和日本，但FTC并未公布詳細的企業(yè)名單。 韓國快閃記
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海力士調高資本支出 規模逼近華亞科
- 國際DRAM廠(chǎng)相繼傳來(lái)調高資本支出的消息，韓國大廠(chǎng)海力士(Hynix)宣布調高2010年資本支出，預估將從1兆韓元調高至1.5兆韓元，相當于12.7億美元，雖然以全球的角度來(lái)看，2010年的資本支出仍高居全球第三大，然經(jīng)此一調高，海力士明年資本支出規模已經(jīng)接近華亞科(3474)的13.85億美元，且資本支出的規模也是2007年的高峰以來(lái)，最大規模的一次行動(dòng)。 目前已知將調高資本支出的國際廠(chǎng)商包括爾必達、三星半導體、華邦電，上周25日，韓國大廠(chǎng)海力士也跟進(jìn)宣布調高資本支出。 根據外電指出，海
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海力士：2010年DRAM供不應求
- 據華爾街日報(WSJ)報導，韓國半導體大廠(chǎng)海力士(Hynix)看好2010年存儲器市場(chǎng)表現，將提升資本支出并擴張產(chǎn)能。 海力士執行長(cháng)金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2009年12月為第1次DRAM合約價(jià)在11月后并未下滑，此外，預期2010年全球個(gè)人計算機(PC)市場(chǎng)需求將增加10%、全球DRAM存儲器芯片將缺貨，半導體市場(chǎng)已走出過(guò)去3年的谷底，前景相當穩定。 隨著(zhù)景氣逐漸回升，海力士計劃2010年提升資本支出，共投資2.3兆韓元(約20億美元)提升技術(shù)水平，及擴張目前的NAND
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Hynix宣布開(kāi)發(fā)出首款40nm制程2Gb GDDR5顯存芯片
- Hynix公司近日宣布成功開(kāi)發(fā)出了業(yè)內首款面向PC機和游戲機的40nm制程2Gb GDDR5顯存顆粒產(chǎn)品。Hynix稱(chēng)這款新開(kāi)發(fā)出來(lái)的GDDR5顯存運行頻率可達7GHz，在芯片位寬為32位的條件下，芯片的傳輸帶寬可達 28GB/s.這款GDDR5芯片的工作電壓為1.35V，比Hynix公司原有基于50nm制程的GDDR5產(chǎn)品能耗可下降20%左右。 ? Hynix公司計劃于明年下半年開(kāi)始量產(chǎn)這種40nm制程2Gb GDDR5芯片。
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Hynix40nm 2Gb DDR3內存芯片通過(guò)Intel驗證
- 韓國Hynix公司宣布其40nm制程2Gb DDR3內存芯片產(chǎn)品通過(guò)了Intel的認證，Hynix并稱(chēng)將開(kāi)始批量生產(chǎn)這種芯片產(chǎn)品，另外他們還宣稱(chēng)面向服務(wù)器應用的Registered DIMM產(chǎn)品的驗證工作也將于年底前順利完成。 這次通過(guò)驗證的Hynix產(chǎn)品有2Gb DDR3 SDRAM內存芯片，4GB DDR3 SO-DIMM(筆記本內存條)以及2GB DDR3 unbuffered DIMM(即普通家用型內存條)，驗證時(shí)的運行頻率為1333MHz，芯片電壓為1.5V。 Hynix宣稱(chēng)
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hynix介紹
海力士半導體公司（Hynix，諺文：???? ???，KSE：000660 ）是一家韓國的電子公司，全球二十大半導體銷(xiāo)量巨頭之一。海力士于1983年以現代電子產(chǎn)業(yè)有限公司的名字創(chuàng )立。在80及90年代 他們專(zhuān)注于銷(xiāo)售DRAM，后來(lái)是SDRAM。2001年他們以6億5000萬(wàn)美元的價(jià)格出售TFT LCD業(yè)務(wù)，同年他們開(kāi)發(fā)出世界第一顆128MB圖形DDR SDRAM。
價(jià)格操控與處份
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