SK Hynix：?jiǎn)螜C搭載量提升 2016年存儲器市場(chǎng)需求持續成長(cháng)

　　受終端各應用部門(mén)對存儲器產(chǎn)品需求疲弱的影響，2015年第4季韓國第二大存儲器廠(chǎng)商SK海力士(SK Hynix)營(yíng)收僅達4.4兆韓元，較前季4.9兆韓元衰退10%，亦較2014年同期衰退14%。

　　在產(chǎn)品價(jià)格下滑、出貨狀況不如預期，加上營(yíng)業(yè)費用占營(yíng)收比重攀升等影響，2015年第4季SK海力士稅后凈利僅達8,710億韓元，較前季1兆韓元衰退16.9%，不僅獲利表現不如預期，也是自2014年第4季以來(lái)連續4季衰退。

　　2015年第4季SK海力士DRAM部門(mén)受到PC與移動(dòng)裝置需求疲弱影響，位元出貨量較前季下滑1%，平均銷(xiāo)售單價(jià)更是下滑10%，NAND Flash亦在來(lái)自移動(dòng)裝置需求疲弱的情況下，位元出貨量成長(cháng)趨緩，僅達4%，但平均銷(xiāo)售單價(jià)較季大幅下滑15%，這也使得當季SK海力士來(lái)自DRAM營(yíng)收達3.3兆韓元，季衰退10%，來(lái)自NAND Flash營(yíng)收達9,720億韓元，季衰退幅度亦為10%。

　　2015年SK海力士全年營(yíng)收達18.8兆韓元，較2014年17.1兆韓元年成長(cháng)10%，但受到產(chǎn)品價(jià)格下滑與營(yíng)業(yè)費用上升影響，全年稅后凈利僅達4.3兆韓元，僅較2014年4.2兆韓元成長(cháng)3%。

　　DIGITIMES Research估算，2015年SK海力士的DRAM元位出貨量年成長(cháng)幅度23.4%，較2014年33%成長(cháng)趨緩，但在同期間DRAM平均銷(xiāo)售單價(jià)下滑影響下，來(lái)自DRAM營(yíng)收達14.1兆韓元，年成長(cháng)幅度僅達6%。

　　2015年SK海力士NAND Flash位元出貨量年成長(cháng)幅度62.6%，同期間平均銷(xiāo)售單價(jià)下滑幅度超過(guò)30%的影響下，來(lái)自NAND Flash營(yíng)收達4.1兆韓元，年成長(cháng)幅度24%，為營(yíng)收成長(cháng)的重要動(dòng)力。

　　2016年全球存儲器市場(chǎng)需求持續成長(cháng)

　　無(wú)論DRAM或NAND Flash市場(chǎng)，在全球景氣依然不佳影響下，加上無(wú)論PC或移動(dòng)裝置市場(chǎng)亦都處于淡季，SK海力士對2016年第1季存儲器市場(chǎng)展望相對保守。

　　展望2016年DRAM市場(chǎng)，在PC全年出貨量衰退幅度趨緩的預期下，越來(lái)越多PC支持DDR4，使得PC單機搭載DRAM位元需求量提升，智能型手機與伺服器也將朝高容量產(chǎn)品方向移動(dòng)，SK海力士預估2016年全球DRAM需求量將出現21~23%成長(cháng)幅度。

　　至于2016年NAND Flash市場(chǎng)，雖然面臨來(lái)自手機市場(chǎng)需求減緩，但在SSD對筆記型電腦市場(chǎng)滲透率提升，加上SSD本身也朝高容量產(chǎn)品方向移動(dòng)，預估2016年全球NAND Flash需求量將出現37~39%成長(cháng)幅度。

　　面對競爭日益激烈的全球存儲器市場(chǎng)，在DRAM市場(chǎng)方面，SK海力士除將2z奈米世代制程導入DDR4與LP DDR4的量產(chǎn)外，也將加速1x奈米制程技術(shù)的研發(fā)。至于在NAND Flash市場(chǎng)方面，除將NAND Flash制程升級至14奈米制程外，也將持續投入3D NAND技術(shù)研發(fā)，計劃將由MLC 3D NAND延展至TLC 3D NAND。