南韓媒體稱(chēng)海力士半導體30納米工藝轉換不順

　　據南韓電子新聞報導，全球主要DRAM內存芯片業(yè)者陸續投入微細制程轉換作業(yè)，然而海力士半導體(Hynix)在轉換到30納米制程上正遭遇瓶頸。在微細制程轉換競爭中，一直緊追在海力士之后的爾必達(Elpida)，可能會(huì )更快完成制程轉換作業(yè)，并動(dòng)搖海力士數年來(lái)維持的競爭力。對此說(shuō)法，海力士反駁道，目前皆依照計劃日程順利進(jìn)行轉換中。

　　南韓相關(guān)業(yè)者引用DRAMeXange報告指出，三星電子(Samsung Electronics)、海力士、爾必達等主要DRAM內存芯片業(yè)者展開(kāi)轉換至30納米等級以下微細制程的激烈競爭，其中三星與其他競爭業(yè)者維持相當大的差距。

　　三星30納米制程比重持續擴大，至2011年底預估將可擴大至50%。爾必達計劃從6月開(kāi)始投入30納米制程量產(chǎn)，以年底達到整體產(chǎn)量50%為目標積極作業(yè)中。

　　而海力士從2011年第1季開(kāi)始在30納米制程中首度采用6F2 Layout進(jìn)行生產(chǎn)，但至2011年下半在擴大30納米制程比重仍受限制，主要原因在海力士是首度在30納米制程中采用6F2技術(shù)，而30納米制程轉換作業(yè)又有技術(shù)上的困難。南韓證券專(zhuān)家對海力士是否能順利擴大30納米制程比重也抱持尚待觀(guān)察的態(tài)度。

　　9個(gè)多月前三星便已開(kāi)始轉換到30納米制程，目前仍未能大幅擴大比重，而海力士轉換制程至今約4個(gè)月，仍難說(shuō)會(huì )有怎樣的成果。南韓Mirae Asset Securities分析師表示，40納米以下的制程比起現有制程，在技術(shù)方面的難易度較高，因此較難預測未來(lái)是否能順利轉換成功。三星從以前就已經(jīng)使用6F2技術(shù)，而海力士則是從30納米制程才開(kāi)始采用6F2技術(shù)，在擴大比重方面較難抱持樂(lè )觀(guān)態(tài)度。如果海力士在轉換到30納米制程上仍無(wú)法擺脫瓶頸，恐怕會(huì )被爾必達趕過(guò)。

　　對于外界的評價(jià)，海力士表示，進(jìn)行尖端技術(shù)開(kāi)發(fā)已有一段時(shí)日，且擴大資本支出，在擴大比重方面不會(huì )有問(wèn)題。海力士相關(guān)人員表示，從第1季開(kāi)始投入30納米DRAM量產(chǎn)，計劃至年底將比重擴大至40%。且海力士為了使用6F2技術(shù)，從過(guò)去就已持續進(jìn)行相關(guān)研究，目前正順利進(jìn)行制程轉換當中，在擴大比重方面也將會(huì )依照日程順利進(jìn)行。