三星、SK Hynix大幅縮減芯片投資 內存不降價(jià)了？

　　內存及閃存的降價(jià)還沒(méi)到底，由于廠(chǎng)商產(chǎn)能擴大，競爭加劇，此前分析稱(chēng)內存/閃存價(jià)格今年下半年還會(huì )繼續降，內存甚至可能大降40%。但是消費者滿(mǎn)心希望降價(jià)，廠(chǎng)商可撐不住了，兩大主力廠(chǎng)商三星、SK Hynix今年都會(huì )大幅削減資本支出，放緩產(chǎn)能提升腳步。

　　據韓國媒體報道，加拿大皇家銀行RBC高級分析師Amit Daryanani本周一發(fā)表分析報告，預測2016年全球存儲芯片資本支出額為502億美元，比上一年減少4%?？雌饋?lái)變動(dòng)不多，但三星一家就減少了40億美元的支出，同比下降了31%。

　　三星是DRAM廠(chǎng)商中工藝最先進(jìn)的，前不久宣布率先量產(chǎn)18nm工藝DRAM芯片，而目前的產(chǎn)能有70%都已經(jīng)升級到20nm工藝節點(diǎn)，但這也意味著(zhù)三星不會(huì )大規模投資產(chǎn)能建設了，內存領(lǐng)域的資本支出將減少26億美元。

　　閃存方面同樣如此，三星數年前在中國西安投資70億美元建設3D NAND閃存工廠(chǎng)，去年底該工廠(chǎng)已經(jīng)開(kāi)始規模量產(chǎn)第三代V-NAND閃存了，隨著(zhù)工廠(chǎng)進(jìn)入全功能運營(yíng)階段，三星在NAND領(lǐng)域的投資也將下降到10億美元。

　　另一家韓國公司SK Hynix同樣也會(huì )削減資本投資，預計今年會(huì )減少6萬(wàn)億韓元。分析師稱(chēng)SK Hynix正在為升級20nm DRAM芯片產(chǎn)能投資，但在3D NAND領(lǐng)域進(jìn)行重點(diǎn)投資的可能不大，他們的產(chǎn)能ASP平均售價(jià)及技術(shù)面臨挑戰。

　　三星、SK Hynix放緩存儲芯片投資跟營(yíng)收表現息息相關(guān)，預計今年Q1季度的財報中雙方都會(huì )披露新的投資計劃。分析師稱(chēng)宏觀(guān)經(jīng)濟壓力導致了半導體產(chǎn)業(yè)下降，進(jìn)而抑制了資本支出。廠(chǎng)商們的運營(yíng)利潤下降速度歷史性地超過(guò)了營(yíng)收下降速度。

　　SK Hynix預計Q1季度的運營(yíng)利潤只有5000億韓元，去年同期還有1.58萬(wàn)億韓元。三星日子也沒(méi)好到哪里去，去年Q1季度運營(yíng)利潤是2.93萬(wàn)億韓元，今年Q1季度降到了2.6萬(wàn)億韓元。此外，三星存儲芯片之外還可以依賴(lài)處理器芯片彌補部門(mén)法損失，而SK Hynix主要的營(yíng)收都是來(lái)自DRAM及NAND存儲芯片，情況比三星更糟。