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cmos-ldo 文章 進(jìn)入cmos-ldo技術(shù)社區
激光雷達掃壞CMOS,難道汽車(chē)都要變成“光棱坦克”了?
- 激光雷達,對于汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的重要性不言而喻,它是自動(dòng)駕駛汽車(chē)感知周?chē)h(huán)境的關(guān)鍵傳感器之一。憑借其高精度的 360 度全方位掃描能力,激光雷達能夠實(shí)時(shí)生成車(chē)輛周?chē)h(huán)境的精確三維地圖,精準檢測并追蹤其他車(chē)輛、行人、障礙物等,為自動(dòng)駕駛決策系統提供精準且可靠的數據支持,是保障自動(dòng)駕駛汽車(chē)安全行駛、實(shí)現智能駕駛功能落地的核心基石,正推動(dòng)著(zhù)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)向著(zhù)更智能、更安全的方向加速變革。但是在給車(chē)輛更安全的環(huán)境感知能力之時(shí),各位讀者有沒(méi)有想過(guò),這些越來(lái)越多激光雷達,會(huì )逐漸開(kāi)始危害我們的財產(chǎn)安全,而首當其沖的就是手機
- 關(guān)鍵字: 激光雷達 CMOS 攝影 ADAS
使用LDO和PLD實(shí)現電源啟用和禁用功能
- 許多系統需要通過(guò)控制線(xiàn)或在施加輸入電源時(shí)啟用和禁用。雖然小型微控制器 (MCU) 可以實(shí)現啟用/禁用功能,但您仍然需要為其編寫(xiě)、維護和燒錄代碼。許多使用片上系統 (SoC) 的設計在該芯片內都有一個(gè) MCU;添加另一個(gè)是多余的。此外,SoC 中的 MCU 不夠低功耗,無(wú)法保持始終開(kāi)啟并提供啟用控制器功能。本文討論了一種低成本、低功耗的使能控制器硬件解決方案,該解決方案使用低壓差線(xiàn)性穩壓器 (LDO) 和可編程邏輯器件 (PLD),僅消耗微安級電流。PLD 預編程了實(shí)現使能控制器決策功能所需的邏輯
- 關(guān)鍵字: LDO PLD 電源啟用 禁用 TI
CMOS可靠性測試:脈沖技術(shù)如何助力AI、5G、HPC?
- 在半導體領(lǐng)域,隨著(zhù)技術(shù)的不斷演進(jìn),對CMOS(互補金屬氧化物半導體)可靠性的要求日益提高。特別是在人工智能(AI)、5G通信和高性能計算(HPC)等前沿技術(shù)的推動(dòng)下,傳統的可靠性測試方法已難以滿(mǎn)足需求。本文將探討脈沖技術(shù)在CMOS可靠性測試中的應用,以及它如何助力這些新興技術(shù)的發(fā)展。引言對于研究半導體電荷捕獲和退化行為而言,交流或脈沖應力是傳統直流應力測試的有力補充。在NBTI(負偏置溫度不穩定性)和TDDB(隨時(shí)間變化的介電擊穿)試驗中,應力/測量循環(huán)通常采用直流信號,因其易于映射到器件模型中。然而,結
- 關(guān)鍵字: CMOS 可靠性測試 脈沖技術(shù) AI 5G HPC 泰克科技
CMOS_Sensor國產(chǎn)替代到什么程度了?
- 攝像頭CMOS傳感器(CMOS Image Sensor, CIS)是成像設備的核心部件,廣泛應用于智能手機、安防監控、汽車(chē)電子、工業(yè)檢測等領(lǐng)域。以下是國內外主流的CMOS傳感器廠(chǎng)家及其主要特點(diǎn)和代表性型號:從智能手機到自動(dòng)駕駛,從安防監控到工業(yè)檢測,CIS的身影無(wú)處不在。隨著(zhù)技術(shù)不斷演進(jìn),CIS市場(chǎng)格局也在悄然變化。今天,我們就來(lái)一次全景掃描,盤(pán)點(diǎn)國內外主流CMOS傳感器廠(chǎng)商,以及那些正在崛起的新興勢力。當年最缺芯片的時(shí)候,我別的不擔心,最擔心買(mǎi)不到索尼的Sensor,結果一開(kāi)始我們用中國臺灣的可以替代
- 關(guān)鍵字: CMOS 圖像傳感器 ISP
圖像傳感器選擇標準多?成像性能必須排第一
- 當涉及到技術(shù)創(chuàng )新時(shí),圖像傳感器的選擇是設計和開(kāi)發(fā)各種設備過(guò)程中一個(gè)至關(guān)重要的環(huán)節,這些設備包括專(zhuān)業(yè)或家庭安防系統、機器人、條形碼掃描儀、工廠(chǎng)自動(dòng)化、設備檢測、汽車(chē)等。選擇最合適的圖像傳感器需要對眾多標準進(jìn)行復雜的評估,每個(gè)標準都會(huì )影響最終產(chǎn)品的性能和功能。從光學(xué)格式和、動(dòng)態(tài)范圍到色彩濾波陣列(CFA)、像素類(lèi)型、功耗和特性集成,這些標準的考慮因素多種多樣,錯綜復雜。在各類(lèi)半導體器件中,圖像傳感器可以說(shuō)是最復雜的。這些傳感器將光子轉換為電信號,通過(guò)一系列微透鏡、CFA、像素和模數轉換器(ADC)產(chǎn)生數字輸出
- 關(guān)鍵字: 圖像傳感器 CMOS 成像性能
復旦大學(xué)在Si CMOS+GaN單片異質(zhì)集成的探索
- 異質(zhì)異構Chiplet正成為后摩爾時(shí)代AI海量數據處理的重要技術(shù)路線(xiàn)之一,正引起整個(gè)半導體行業(yè)的廣泛關(guān)注,但這種方法要真正實(shí)現商業(yè)化,仍有賴(lài)于通用標準協(xié)議、3D建模技術(shù)和方法等。然而,以拓展摩爾定律為標注的模擬類(lèi)比芯片技術(shù),在非尺寸依賴(lài)追求應用多樣性、多功能特點(diǎn)的現實(shí)需求,正在推動(dòng)不同半導體材料的異質(zhì)集成研究。為此,復旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛教授、江南大學(xué)集成電路學(xué)院黃偉教授合作開(kāi)展了Si CMOS+GaN單片異質(zhì)集成的創(chuàng )新研究,并在近期國內重要會(huì )議上進(jìn)行報道。復旦大學(xué)微電子學(xué)院研究生杜文張、何漢釗、范文琪等
- 關(guān)鍵字: 復旦大學(xué) Si CMOS GaN 單片異質(zhì)集成
Nexperia全新推出高精度和超低靜態(tài)電流的汽車(chē)級LDO系列
- Nexperia今日新推出一系列符合AEC-Q100標準的超低靜態(tài)電流通用低壓差(LDO)穩壓器。該新系列同時(shí)包含高精度帶輸出跟隨的LDO,集成輸出保護功能,且輸入電壓范圍較寬,因此可直接連接汽車(chē)電池。這些LDO采用熱優(yōu)化設計,在冷啟動(dòng)條件下,也能夠為信息娛樂(lè )系統、ADAS、遠程信息處理及照明系統等汽車(chē)應用中的紋波敏感負載提供穩定電壓源。帶輸出跟隨功能的LDO具有出色的輸出保護能力,可以在車(chē)身控制模塊、區域控制單元及動(dòng)力系統中表現出優(yōu)異性能,可用于涉及車(chē)外負載(如傳感器)的場(chǎng)景。? 除了汽車(chē)應用
- 關(guān)鍵字: Nexperia 低靜態(tài)電流 汽車(chē)級LDO LDO
一篇搞定三種分立元件LDO(低成本+可調+精確輸出)
- 前言L(fǎng)DO是大家最常見(jiàn)的電源芯片了吧,雖然存在效率不高的缺點(diǎn),但相對于開(kāi)關(guān)電源紋波更小、電路規模通常也更小,適用于低壓差、小功率的應用場(chǎng)合。在大多數場(chǎng)合我們都是用1117、7805這種IC來(lái)制作我們的電源。那我們可否在滿(mǎn)足要求的情況下,使用分立元件來(lái)實(shí)現更低成本的LDO呢?今天針對不同的應用場(chǎng)景,介紹三種使用分立元件搭建的LDO:1.低成本2.輸出電壓可調3.精確輸出原理不難,但若使電路可用,需認真設定每個(gè)元件的參數,Let’s do it仿真軟件版本文章中的實(shí)驗通過(guò)Multisim軟件進(jìn)行仿真,有需要的
- 關(guān)鍵字: LDO 電源管理 電源設計
安森美 AR0823AT Hyperlux CMOS Digital Image Sensor
- onsemi AR0823AT 是一款 1/1.8 英寸的 CMOS 數位影像感測器,擁有 3840 H x 2160 V 的有效像素陣列。這款先進(jìn)的汽車(chē)用感測器能以高動(dòng)態(tài)范圍 (HDR) 并結合 LED 閃爍抑制 (LFM) 捕捉影像。AR0823AT 可在每一幀中同時(shí)捕捉低光與極高亮度的場(chǎng)景,其 2.1 μm 超級曝光像素能實(shí)現高達 150 dB 的動(dòng)態(tài)范圍,而無(wú)需進(jìn)行自動(dòng)曝光調整。這顯著(zhù)降低了場(chǎng)景依賴(lài)的汽車(chē)關(guān)鍵系統的延遲,實(shí)現更快速且更安全的數據收集與決策。AR0823AT 的雙輸出
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一些LDO基礎知識
- 本節分享下LDO的基礎知識,主要來(lái)源于Ti的文檔《LDO基礎知識》,原文檔下載鏈接如下:https://www.ti.com.cn/cn/lit/eb/zhcy089a/zhcy089a.pdf內容會(huì )回答這些問(wèn)題:1、當輸入電壓與目標輸出電壓壓差不滿(mǎn)足Vdropout,會(huì )發(fā)生什么?2、決定Vdropout電壓大小的因素是什么?3、芯片選定后,Vdropout電壓就是固定的嗎?與電壓,電流是否有關(guān)?4、溫度,直流電壓對濾波電容有哪些影響?5、LDO封裝如何選擇?6、LDO輸出過(guò)流了會(huì )發(fā)生什么?7、給定芯片的
- 關(guān)鍵字: LDO 電容 電路設計
國產(chǎn)無(wú)反相機產(chǎn)業(yè)鏈初現
- 根據相機及影像產(chǎn)品協(xié)會(huì )(CIPA)公布的數據,2024 年 1 月至 5 月,中國市場(chǎng)相機出貨量全球占比達到 23.4%,躍居繼美洲之后的全球第二大市場(chǎng)。在智能手機沖擊下曾一度遇冷的相機市場(chǎng),如今因直播電商、短視頻等新興產(chǎn)業(yè)的崛起而重新煥發(fā)生機。產(chǎn)品創(chuàng )新與流量經(jīng)濟的交織,正在為傳統行業(yè)打開(kāi)一條全新的消費路徑。日本佳能副社長(cháng)、執行董事小澤秀樹(shù)也表示,2023 年中國數碼相機市場(chǎng)實(shí)現了 25% 的增長(cháng),其中無(wú)反相機更是增長(cháng)了 31%,預計 2024 年這一增長(cháng)勢頭將持續,無(wú)反相機的增長(cháng)有望達到 35%。隨著(zhù)近
- 關(guān)鍵字: 無(wú)反相機 CMOS 傳感器
打破索尼壟斷!晶合集成1.8億像素相機全畫(huà)幅CMOS成功試產(chǎn):業(yè)內首顆
- 8月19日消息,今日,晶合集成宣布與思特威聯(lián)合推出業(yè)內首顆1.8億像素全畫(huà)幅(2.77英寸)CMOS圖像傳感器(以下簡(jiǎn)稱(chēng)CIS),為高端單反相機應用圖像傳感器提供更多選擇。據了解,晶合集成基于自主研發(fā)的55納米工藝平臺,與思特威共同開(kāi)發(fā)光刻拼接技術(shù),克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困難,成功突破了在單個(gè)芯片尺寸上,所能覆蓋一個(gè)常規光罩的極限。同時(shí)確保在納米級的制造工藝中,拼接后的芯片依然保證電學(xué)性能和光學(xué)性能的連貫一致。晶合集成表示,首顆1.8億像素全畫(huà)幅CIS的成功試產(chǎn),既標志著(zhù)光刻拼接技術(shù)在
- 關(guān)鍵字: CMOS 晶合 圖像傳感器 索尼
業(yè)內首顆!國產(chǎn) 1.8 億像素相機全畫(huà)幅 CMOS 圖像傳感器成功試產(chǎn)
- 8 月 19 日消息,晶合集成今日官宣,該公司與思特威聯(lián)合推出業(yè)內首顆 1.8 億像素全畫(huà)幅(2.77 英寸)CIS(CMOS 圖像傳感器),為高端單反相機應用圖像傳感器提供更多選擇?!?產(chǎn)品圖,圖源晶合集成,下同據介紹,為滿(mǎn)足 8K 高清化的產(chǎn)業(yè)要求,高性能 CIS 的需求與日俱增。晶合集成基于自主研發(fā)的 55 納米工藝平臺,攜手思特威共同開(kāi)發(fā)光刻拼接技術(shù),克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困難,成功突破了在單個(gè)芯片尺寸上,所能覆蓋一個(gè)常規光罩的極限,同時(shí)確保在納米級的制造工藝中,拼接后的芯片依
- 關(guān)鍵字: CMOS 圖像傳感器 CIS
使用先進(jìn)的SPICE模型表征NMOS晶體管
- 為特定CMOS工藝節點(diǎn)設計的SPICE模型可以增強集成電路晶體管的模擬。了解在哪里可以找到這些模型以及如何使用它們。我最近寫(xiě)了一系列關(guān)于CMOS反相器功耗的文章。該系列中的模擬采用了LTspice庫中預加載的nmos4和pmos4模型。雖然這種方法完全適合這些文章,但如果我們的主要目標是準確模擬集成電路MOSFET的電學(xué)行為,那么結合一些外部SPICE模型是有意義的。在本文中,我將介紹下載用于IC設計的高級SPICE模型并在LTspice原理圖中使用它們的過(guò)程。然后,我們將使用下載的模型對NMOS晶體管進(jìn)
- 關(guān)鍵字: CMOS,MOSFET 晶體管,Spice模型
cmos-ldo介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條cmos-ldo!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對cmos-ldo的理解,并與今后在此搜索cmos-ldo的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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