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8.1 文章 進(jìn)入8.1技術(shù)社區
2024Q4 對決，聯(lián)發(fā)科天璣 9400、高通驍龍 8 Gen 4 被曝已流片
- 7 月 9 日消息，根據 UDN 報道，高通驍龍 8 Gen 4 和聯(lián)發(fā)科天璣 9400 兩款旗艦芯片將于 2024 年第 4 季度同臺競技，均采用臺積電的 3nm 工藝，目前已經(jīng)進(jìn)入流片階段。天璣 9400 芯片此前消息稱(chēng)天璣 9400 將采用 Cortex-X5、Cortex-X4 和 Cortex-A7xx 全大核設計。相關(guān)爆料并未透露具體的 CPU 架構，但如果與天璣 9300 相似，則可能是一顆 Cortex-X5 超大核、三顆 Cortex-X4 大核和四顆 Cortex-A730 大核。聯(lián)發(fā)
- 關(guān)鍵字： 聯(lián)發(fā)科 天璣 9400 高通 驍龍 8 Gen 4 流片
研華AIR-150掌上型Hailo-8 AI推理系統震撼上市
- 全球AIoT 平臺與服務(wù)供應商研華 (2395, TW) 隆重推出搭載第 13 代 Intel Core 移動(dòng)處理器的緊湊型邊緣 AI 推理系統 AIR-150。盡管體積小巧（156 x 112 x 60 mm），但它卻擁有 Hailo-8 AI 加速器提供的 26 TOPS AI 計算能力。AIR-150在連接性方面毫不遜色，提供以應用為中心的 I/O，包括 COM、USB、LAN 和 M.2 E-Key，便于無(wú)縫擴展和連接外圍設備。它的工作溫度范圍寬達 -20 至 60°C，并符合重工業(yè) IEC 標準
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英飛凌推出全新600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列，適用于高成本效益的先進(jìn)電源應用
- 英飛凌科技股份公司近日推出600 V CoolMOS??8?高壓超結（SJ）MOSFET產(chǎn)品系列。該系列器件結合了600 V CoolMOS??7 MOSFET系列的先進(jìn)特性，是P7、PFD7、C7、CFD7、G7?和?S7產(chǎn)品系列的后續產(chǎn)品。全新超結MOSFET實(shí)現了具有高成本效益的硅基解決方案，豐富了英飛凌的寬帶隙產(chǎn)品陣容。該系列產(chǎn)品配備集成式快速體二極管，適用于服務(wù)器和工業(yè)開(kāi)關(guān)模式電源裝置（SMPS）、電動(dòng)汽車(chē)充電器、微型太陽(yáng)能等廣泛應用。這些元件采
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驍龍 8 Gen 4 旗艦處理器要來(lái)了！高通驍龍峰會(huì ) 2024 定檔 10 月 21~23 日
- IT之家 6 月 13 日消息，高通官網(wǎng)宣布，Snapdragon Summit 2024（驍龍峰會(huì ) 2024）將于 10 月 21 日~10 月 23 日在夏威夷毛伊島舉行。按照高通歷年的發(fā)布節奏，驍龍 8 Gen 4 旗艦手機處理器將在驍龍峰會(huì ) 2024 上推出，IT之家將跟進(jìn)后續消息。博主 @數碼閑聊站爆料曾稱(chēng)，高通驍龍 8 Gen 4 芯片（SM8750）重新設定的頻率較為激進(jìn)，自研超大核來(lái)到了 4.2GHz。他還透露，手機廠(chǎng)商實(shí)驗室樣機跑 GeekBenc
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三星電子重申 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn)，計劃進(jìn)軍共封裝光學(xué)領(lǐng)域
- IT之家 6 月 13 日消息，三星電子在當地時(shí)間 6 月 12 日舉行的三星代工論壇 2024 北美場(chǎng)上重申，其 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn)，回擊了此前的媒體傳聞。三星表示其 1.4nm 級工藝準備工作進(jìn)展順利，預計可于 2027 年在性能和良率兩方面達到量產(chǎn)里程碑。此外，三星電子正在通過(guò)材料和結構方面的創(chuàng )新，積極研究后 1.4nm 時(shí)代的先進(jìn)邏輯制程技術(shù)，實(shí)現三星不斷超越摩爾定律的承諾。三星電子同步確認，其仍計劃在 2024 下半年量產(chǎn)第二代 3nm 工藝 SF3。而在更傳統的
- 關(guān)鍵字： 三星 1.4nm 晶圓代工
Intel 14A工藝至關(guān)重要！2025年之后穩定領(lǐng)先
- 這幾年，Intel以空前的力度推進(jìn)先進(jìn)制程工藝，希望以最快的速度反超臺積電，重奪領(lǐng)先地位，現在又重申了這一路線(xiàn)，尤其是意欲通過(guò)未來(lái)的14A 1.4nm級工藝，在未來(lái)鞏固自己的領(lǐng)先地位。目前，Intel正在按計劃實(shí)現其“四年五個(gè)制程節點(diǎn)”的目標，Intel 7工藝、采用EUV極紫外光刻技術(shù)的Intel 4和Intel 3均已實(shí)現大規模量產(chǎn)。其中，Intel 3作為升級版，應用于服務(wù)器端的Sierra Forest、Granite Rapids，將在今年陸續發(fā)布，其中前者首次采用純E核設計，最多288個(gè)。In
- 關(guān)鍵字： 英特爾 晶圓 芯片 先進(jìn)制程 1.4nm
三星 AI 推理芯片 Mach-1 即將原型試產(chǎn)，有望基于 4nm 工藝
- 5 月 10 日消息，韓媒 ZDNet Korea 援引業(yè)內人士的話(huà)稱(chēng)，三星電子的 AI 推理芯片 Mach-1 即將以 MPW（多項目晶圓）的方式進(jìn)行原型試產(chǎn)，有望基于三星自家的 4nm 工藝。這位業(yè)內人士還表示，不排除 Mach-1 采用 5nm 工藝的可能。三星已為 Mach-1 定下了時(shí)間表：今年下半年量產(chǎn)、今年底交付芯片、明年一季度交付基于該芯片的推理服務(wù)器。同時(shí)三星也已獲得了 Naver 至高 1 萬(wàn)億韓元（當前約 52.8 億元人民幣）的預訂單。雖然三星電子目前能提供 3nm 代工，但在 M
- 關(guān)鍵字： 三星 AI Mach-1 原型試產(chǎn) 4nm 工藝
臺積電準備迎接“Angstrom 14 時(shí)代”啟動(dòng)尖端1.4納米工藝研發(fā)
- 幾個(gè)月前，臺積電發(fā)布了 2023 年年報，但顯然，文件中包含的關(guān)鍵信息被遺漏了。在深入探討之前，我們先來(lái)談?wù)勁_積電的 A14，或者說(shuō)被許多分析師稱(chēng)為技術(shù)革命的 A14。臺積電宣布，該公司終于進(jìn)入了"Angstrom 14 時(shí)代"，開(kāi)始開(kāi)發(fā)其最先進(jìn)的 A14 工藝。目前，臺積電的 3 納米工藝正處于開(kāi)始廣泛采用的階段。因此，1.4 納米工藝在進(jìn)入市場(chǎng)之前還有很長(cháng)的路要走，很可能會(huì )在 2 納米和 1.8 納米節點(diǎn)之后出現，這意味著(zhù)你可以預期它至少會(huì )在未來(lái)五年甚至更長(cháng)的時(shí)間內出現。著(zhù)
- 關(guān)鍵字： 臺積電 Angstrom 14 1.4納米 工藝
大聯(lián)大詮鼎集團推出基于立锜科技產(chǎn)品的240W PD3.1快充方案
- 致力于亞太地區市場(chǎng)的國際領(lǐng)先半導體元器件分銷(xiāo)商—大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下詮鼎推出基于立锜科技（Richtek）RT7333、RT7795、RT7220E以及RT7209芯片的240W PD3.1快充方案。圖示1-大聯(lián)大詮鼎基于立锜科技產(chǎn)品的240W PD3.1快充方案的展示板圖隨著(zhù)PD3.1快充協(xié)議的發(fā)布，USB充電技術(shù)迎來(lái)了重大突破。該協(xié)議將電源的輸出電壓提升至48V、充電功率同步提升至240W。在此背景下，傳統的反激方案以及適用于20V輸出的協(xié)議芯片已無(wú)法滿(mǎn)足當前的市場(chǎng)需求。設備制造商需要更新他們的
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Meta 展示新款 MTIA 芯片：5nm 工藝、90W 功耗、1.35GHz
- 4 月 11 日消息，Meta 公司于 2023 年 5 月推出定制芯片 MTIA v1 芯片之后，近日發(fā)布新聞稿，介紹了新款 MTIA 芯片的細節。MTIA v1 芯片采用 7nm 工藝，而新款 MTIA 芯片采用 5nm 工藝，采用更大的物理設計（擁有更多的處理核心），功耗也從 25W 提升到了 90W，時(shí)鐘頻率也從 800MHz 提高到了 1.35GHz。Meta 公司表示目前已經(jīng)在 16 個(gè)數據中心使用新款 MTIA 芯片，與 MTIA v1 相比，整體性能提高了 3 倍。但 Meta 只主動(dòng)表示
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iPhone 17 Pro將首發(fā)！曝臺積電2nm/1.4nm工藝量產(chǎn)時(shí)間敲定
- 4月11日消息，根據產(chǎn)業(yè)鏈消息，臺積電的2納米和1.4納米工藝已經(jīng)取得了新的進(jìn)展。據了解，臺積電的2納米和1.4納米芯片的量產(chǎn)時(shí)間已經(jīng)確定。2納米工藝的試產(chǎn)將于2024年下半年開(kāi)始，而小規模量產(chǎn)將在2025年第二季度進(jìn)行。值得一提的是，臺積電在亞利桑那州的工廠(chǎng)也將參與2納米工藝的生產(chǎn)。到了2027年，臺積電將開(kāi)始推進(jìn)1.4納米工藝節點(diǎn)，這一工藝被正式命名為"A14"。按照目前的情況，臺積電最新的工藝制程很可能會(huì )由蘋(píng)果率先采用。按照臺積電的量產(chǎn)時(shí)間表，iPhone 17 Pro將成為首批
- 關(guān)鍵字： iPhone 17 Pro 臺積電 2nm 1.4nm 工藝
One UI 6.1 導致 Galaxy S23 系列手機指紋識別出問(wèn)題
- 4 月 8 日消息，近日，三星為 Galaxy S23 系列機型推送的 One UI 6.1 更新意外導致了手機的指紋識別功能出現故障。有用戶(hù)反映，使用指紋識別解鎖手機時(shí)，會(huì )出現第一次識別失敗，手指離開(kāi)后再重新識別才能解鎖的情況。還有用戶(hù)表示，每次使用指紋識別解鎖手機時(shí)，系統都會(huì )崩潰，需要連續嘗試兩次才能成功。據 AndroidAuthority 報道，三星韓國社區論壇的一位社區經(jīng)理已經(jīng)確認了該問(wèn)題的存在。他表示：“對于設備使用過(guò)程中出現的不便，我們深表歉意。我們已經(jīng)確認，部分情況下鎖屏的指紋識別功能
- 關(guān)鍵字： One UI 6.1 Galaxy S23 手機指紋 識別
三星計劃推出Mach-1：輕量級AI芯片，搭配LPDDR內存
- 三星電子DS部門(mén)負責人慶桂顯（Kye Hyun Kyung）在第55屆股東大會(huì )上宣布，將于2025年初推出人工智能（AI）芯片Mach-1，正式進(jìn)軍AI芯片市場(chǎng)。三星希望，能夠在快速增長(cháng)的人工智能硬件領(lǐng)域與其他公司進(jìn)行競爭，比如英偉達。據SeDaily報道，Mach-1屬于A(yíng)SIC設計，被定為為輕量級人工智能芯片，搭配LPDDR內存產(chǎn)品。其擁有一項突破性的功能，與現有的設計相比，能顯著(zhù)降低了推理應用的內存帶寬需求，僅為原來(lái)的八分之一，降低了87.5%。三星認為，這一創(chuàng )新設計將使Mach-1在效率和成本效益
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xAI宣布開(kāi)源大語(yǔ)言模型Grok-1并開(kāi)放下載
- 3月18日消息，美國當地時(shí)間周日，埃隆·馬斯克（Elon Musk）旗下的人工智能初創(chuàng )企業(yè)xAI宣布，其大語(yǔ)言模型Grok-1已實(shí)現開(kāi)源，并向公眾開(kāi)放下載。感興趣的用戶(hù)可通過(guò)訪(fǎng)問(wèn)GitHub頁(yè)面github.com/xai-org/grok來(lái)使用該模型。xAI介紹稱(chēng)，Grok-1是一款基于混合專(zhuān)家系統（Mixture-of-Experts，MoE）技術(shù)構建的大語(yǔ)言模型，擁有3140億參數。近期，公司發(fā)布了Grok-1的基本模型權重和網(wǎng)絡(luò )架構詳情。該公司表示，Grok-1始終由xAI自行訓練，其預訓練階段于
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