600v氮化鎵（gan）功率器件文章進(jìn)入600v氮化鎵（gan）功率器件技術(shù)社區

新潔能SiC/GaN功率器件及封測研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目延期

8月13日，新潔能發(fā)布公告稱(chēng)，擬將此前募投項目中的“第三代半導體 SiC/GaN 功率器件及封測的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目達到預定可使用狀態(tài)日期延期至2025年8月。此次延期是受宏觀(guān)環(huán)境等不可控因素的影響，項目的工程建設、設備采購及人員安排等相關(guān)工作進(jìn)度均受到一定程度的影響，無(wú)法在計劃時(shí)間內完成。據悉，此次延期項目屬新潔能二廠(chǎng)區擴建項目，項目總投資約2.23億元，2022年開(kāi)建，原計劃2024年建設完成。項目建成后，將實(shí)現年產(chǎn) SiC/GaN 功率器件2640萬(wàn)只。新潔能稱(chēng)，本次募投項目延期僅涉及項目進(jìn)度的
關(guān)鍵字：新潔能 SiC GaN 功率器件封測

CAGR達49%，2030全球GaN功率元件市場(chǎng)規?；蛏?3.76億美元

根據TrendForce集邦咨詢(xún)最新報告《2024全球GaN Power Device市場(chǎng)分析》顯示，隨著(zhù)英飛凌、德州儀器對GaN技術(shù)傾注更多資源，功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場(chǎng)規模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復合年增長(cháng)率）高達49%。其中非消費類(lèi)應用比例預計會(huì )從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車(chē)、數據中心和電機驅動(dòng)等場(chǎng)景為核心。AI應用普及，GaN有望成為減熱增效的幕后英雄AI技術(shù)的演進(jìn)，帶動(dòng)算力需求持續攀升，C
關(guān)鍵字： CAGR GaN 功率元件

TrendForce：預計2030年全球GaN功率元件市場(chǎng)規模上升至43.76億美元

8月15日消息，根據TrendForce集邦咨詢(xún)最新報告顯示，隨著(zhù)英飛凌、德州儀器對GaN技術(shù)傾注更多資源，功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場(chǎng)規模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復合年增長(cháng)率）高達49%。報告顯示，非消費類(lèi)應用比例預計會(huì )從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車(chē)、數據中心和電機驅動(dòng)等場(chǎng)景為核心。
關(guān)鍵字：英飛凌德州儀器 GaN 功率元件

TrendForce：預計 2030 年全球 GaN 功率元件市場(chǎng)規模 43.76 億美元，復合年均增長(cháng)率達 49%

IT之家 8 月 14 日消息，TrendForce 最新報告顯示，隨著(zhù)英飛凌、德州儀器等對 GaN（氮化鎵）技術(shù)傾注更多資源，功率 GaN 產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023 年全球 GaN 功率元件市場(chǎng)規模約 2.71 億美元（IT之家備注：當前約 19.39 億元人民幣），到 2030 年有望上升至 43.76 億美元（當前約 313.14 億元人民幣），CAGR（復合年均增長(cháng)率）達 49%。據介紹，消費電子是功率 GaN 產(chǎn)業(yè)的主戰場(chǎng)，并由快速充電器迅速延伸至家電、智能手
關(guān)鍵字：功率器件 GaN

英飛凌馬來(lái)西亞居林第三廠(chǎng)區啟用，未來(lái)將成世界最大碳化硅功率半導體晶圓廠(chǎng)

IT之家 8 月 8 日消息，英飛凌今日宣布，其位于馬來(lái)西亞的居林第三廠(chǎng)區（Kulim 3）一期正式啟用。該階段聚焦碳化硅（SiC）功率半導體的生產(chǎn)，也將關(guān)注氮化鎵（GaN）外圍晶圓?！?英飛凌居林第三廠(chǎng)區英飛凌在 2022 年宣布了 Kulim 3 的一期建設計劃，投資額達 20 億美元（IT之家備注：當前約 143.43 億元人民幣），可創(chuàng )造 900 個(gè)高價(jià)值工作崗位。英飛凌此后又在 2023 年 8 月宣布了價(jià)值 50 億美元（當前約 358.57 億元人民幣）的 Kulim 3 二期計劃
關(guān)鍵字：英飛凌碳化硅功率器件

羅姆將亮相2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì )

全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）將于8月28日～30日參加在深圳國際會(huì )展中心（寶安新館）舉辦的2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì )（以下簡(jiǎn)稱(chēng)PCIM Asia）（展位號：11號館D14）。屆時(shí)，將聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體，展示其面向工業(yè)設備和汽車(chē)領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時(shí)，羅姆工程師還將在現場(chǎng)舉辦的“寬禁帶半導體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動(dòng)汽車(chē)論壇”等同期論壇上發(fā)表演講，分享羅姆最新的功率電子技術(shù)成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進(jìn)的碳化硅
關(guān)鍵字：羅姆 SiC 氮化鎵 GaN

第三代半導體，距離頂流差了什么

潮流就是即便你放棄了我，也不妨礙我越來(lái)越火。距離特斯拉宣布放棄碳化硅已經(jīng)過(guò)去了一年，這個(gè)市場(chǎng)非但沒(méi)有被拋棄，反而以 GaN、SiC 為代表的第三代半導體發(fā)展備受關(guān)注：Yole 數據顯示，2026 年 GaN 市場(chǎng)規模預計可達 6.72 億美元。SiC 碳化硅 2027 年全球 SiC 功率半導體市場(chǎng)規模有望突破 60 億美元。預測是人算不如天算，第三代半導體優(yōu)勢已經(jīng)被講的翻來(lái)覆去了，市場(chǎng)的反饋是最真實(shí)和殘酷的—很火但不是主流。碳化硅與新能源車(chē)能不能齊飛？新能源是第三代半導體應用的重要驅動(dòng)力。新能源車(chē)的最大
關(guān)鍵字： GaN SiC

英飛凌加速氮化鎵布局，引領(lǐng)低碳高效新紀元

近年來(lái)，隨著(zhù)科技的不斷進(jìn)步和全球對綠色低碳發(fā)展的需求日益增長(cháng)，半導體行業(yè)迎來(lái)了前所未有的發(fā)展機遇。氮化鎵（GaN）作為一種新型半導體材料，以其高功率、高效率、耐高溫等特性，在消費電子、電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源等多個(gè)領(lǐng)域展現出巨大的應用潛力。作為全球功率系統和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者，英飛凌在氮化鎵領(lǐng)域持續深耕，通過(guò)戰略布局、技術(shù)創(chuàng )新、市場(chǎng)應用拓展等不斷鞏固其市場(chǎng)地位。近日，英飛凌在上海慕尼黑展會(huì )期間舉辦了一場(chǎng)專(zhuān)門(mén)的氮化鎵新品媒體溝通會(huì )，會(huì )上英飛凌科技大中華區消費、計算與通訊業(yè)務(wù)市場(chǎng)總監程文濤先生以及英飛凌科技
關(guān)鍵字：氮化鎵英飛凌 GaN Systems

氮化鎵為何被如此看好，能否替代硅基材料大放異彩？

氮化鎵材料相較于硅基材料，顯著(zhù)優(yōu)勢體現在節能、成本節約及材料省用上。其核心亮點(diǎn)在于其超快的開(kāi)關(guān)速度，在硅、碳化硅與氮化鎵三者中獨占鰲頭。這一特性直接促進(jìn)了開(kāi)關(guān)頻率的大幅提升，進(jìn)而允許大幅縮減被動(dòng)元器件及散熱器的尺寸與數量，有效降低了物料消耗，彰顯了氮化鎵在物料節省方面的卓越能力。此外，在效率層面，氮化鎵與碳化硅并駕齊驅?zhuān)ㄟ^(guò)實(shí)現極低的導通阻抗（即單位面積上可達到的最小電阻），相較于硅材料實(shí)現了數量級的優(yōu)化。這種高效的導電性能，是氮化鎵提升系統效率的關(guān)鍵所在。綜合上述兩方面優(yōu)勢，氮化鎵的應用不僅促進(jìn)了系統性
關(guān)鍵字：氮化鎵 GaN

功率器件模塊：一種滿(mǎn)足 EMI 規范的捷徑

由于功率模塊的設計和幾何形狀可以實(shí)現 EMI 建模，從而使設計人員能夠在設計流程的早期預測和了解其系統中的 EMI 反應。相鄰或共用導電回路的電子器件容易受到電磁干擾 (EMI) 的影響，使其工作過(guò)程受到干擾。要確保各電氣系統在同一環(huán)境中不干擾彼此的正常運行，就必須最大限度地減少輻射。通常，由于硅 (Si) IGBT 和碳化硅 (SiC) MOSFET 等功率半導體器件在工作期間需要進(jìn)行快速開(kāi)關(guān)，因此通常會(huì )產(chǎn)生傳導型 EMI。在開(kāi)關(guān)狀態(tài)轉換過(guò)程中，器件兩端的電壓和流經(jīng)器件的電流會(huì )迅速改變狀態(tài)。開(kāi)、關(guān)狀態(tài)間
關(guān)鍵字： WOLFSPEED 功率器件 EMI

氮化鎵（GaN）的最新技術(shù)進(jìn)展

本文要點(diǎn)? 氮化鎵是一種晶體半導體，能夠承受更高的電壓。? 氮化鎵器件的開(kāi)關(guān)速度更快、熱導率更高、導通電阻更低且擊穿強度更高。? 氮化鎵技術(shù)可實(shí)現高功率密度和更小的磁性。氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 是兩種寬禁帶半導體，徹底改變了傳統電力電子技術(shù)。氮化鎵技術(shù)使移動(dòng)設備的快速充電成為可能。氮化鎵器件經(jīng)常用于一些轉換器和驅動(dòng)器應用氮化鎵是一種晶體半導體，能夠承受更高的電壓。通過(guò)氮化鎵材料的電流比通過(guò)硅半導體的電流速度更快，因此處理速度也更快。本文將探討氮化鎵材料以及氮化鎵技術(shù)如何顛覆整個(gè)行業(yè)。氮化
關(guān)鍵字： GaN

Guerrilla RF宣布收購Gallium GaN技術(shù)

近期，Guerrilla RF宣布收購了Gallium Semiconductor的GaN功率放大器和前端模塊產(chǎn)品組合。Guerrilla RF表示，通過(guò)此次收購，公司獲得了Gallium Semiconductor 所有現有的元件、正在開(kāi)發(fā)的新內核以及相關(guān)知識產(chǎn)權(IP)。公司將為無(wú)線(xiàn)基礎設施、軍事和衛星通信應用開(kāi)發(fā)新的GaN器件產(chǎn)品線(xiàn)并實(shí)現商業(yè)化。Guerrilla RF官方經(jīng)銷(xiāo)商Telcom International的一位員工表示，公司計劃向韓國市場(chǎng)供應Guerrilla RF的射頻晶體管，并將其
關(guān)鍵字： Guerrilla RF Gallium GaN

純晶圓代工廠(chǎng)格芯收獲一家GaN研發(fā)商

7月1日，純晶圓代工廠(chǎng)格芯（GlobalFoundries）宣布已收購Tagore專(zhuān)有且經(jīng)過(guò)生產(chǎn)驗證的功率氮化鎵（GaN）技術(shù)及IP產(chǎn)品組合，以突破汽車(chē)、物聯(lián)網(wǎng)和人工智能（AI）數據中心等廣泛電源應用的效率和性能界限。資料顯示，無(wú)晶圓廠(chǎng)公司Tagore成立于2011年1月，旨在開(kāi)拓用于射頻和電源管理應用的GaN-on-Si半導體技術(shù)，在美國伊利諾伊州阿靈頓高地和印度加爾各答設有設計中心。格芯表示，此次收購進(jìn)一步鞏固公司對大規模生產(chǎn)GaN技術(shù)的決心，該技術(shù)提供多種優(yōu)勢，可幫助數據中心滿(mǎn)足不斷增長(cháng)的電力需求，
關(guān)鍵字：晶圓代工格芯 GaN

臺達電子與TI成立創(chuàng )新聯(lián)合實(shí)驗室，瞄準GaN

6月21日，臺達電子宣布與全球半導體領(lǐng)導廠(chǎng)商德州儀器（TI）成立創(chuàng )新聯(lián)合實(shí)驗室。臺達表示，此舉不僅深化雙方長(cháng)期合作關(guān)系，亦可憑借TI在數字控制及氮化鎵（GaN）等半導體相關(guān)領(lǐng)域多年的豐富經(jīng)驗及創(chuàng )新技術(shù)，強化新一代電動(dòng)車(chē)電源系統的功率密度和效能等優(yōu)勢，增強臺達在電動(dòng)車(chē)領(lǐng)域的核心競爭力。臺達交通事業(yè)范疇執行副總裁及電動(dòng)車(chē)方案事業(yè)群總經(jīng)理唐修平表示：“透過(guò)與TI成立創(chuàng )新聯(lián)合實(shí)驗室，運用TI在數位控制及GaN領(lǐng)域豐富經(jīng)驗與技術(shù)優(yōu)勢，提升電動(dòng)車(chē)電源系統的功率密度和效能，期盼雙方達到更緊密的技術(shù)交流及合作，以更具前瞻
關(guān)鍵字：臺達電子 TI GaN

GaN“上車(chē)”進(jìn)程加速，車(chē)用功率器件市場(chǎng)格局將改寫(xiě)

根據Yole機構2024 Q1的預測，氮化鎵 (GaN) 功率半導體器件市場(chǎng)2023至2029年平均復合年增長(cháng) (CAGR) 將高于45%，其中表現最為搶眼的是汽車(chē)與出行市場(chǎng)（automotive & mobility），“從無(wú)到有”，五年后即有望占據三分之一的GaN應用市場(chǎng)（圖1）。而相比之下，碳化硅（SiC）應用市場(chǎng)成長(cháng)則顯得比較溫和，CAGR遠低于GaN（圖1）。隨著(zhù)GaN“上車(chē)”進(jìn)程加速，功率器件器件市場(chǎng)競爭格局或將被改寫(xiě)。圖1：在GaN市場(chǎng)份額變化中，汽車(chē)與出行市場(chǎng) “從無(wú)到有”，五年后
關(guān)鍵字： GaN 車(chē)用功率器件 Transphorm SiC