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45納米
45納米 文章 進(jìn)入45納米技術(shù)社區
英特爾未來(lái)三個(gè)月發(fā)布Westmere服務(wù)器芯片
- 英特爾周四表示，公司計劃在未來(lái)三個(gè)月發(fā)布基于Westmere微架構的新一代至強服務(wù)器芯片。 英特爾首席執行官保羅·歐德寧(Paul Otellini)在財報電話(huà)會(huì )議上稱(chēng)，為將芯片產(chǎn)品提升至32納米工藝，公司計劃對至強服務(wù)器芯片系列進(jìn)行更新。歐德寧指出，英特爾上周針對筆記本和臺 式機發(fā)布了基于Westmere架構的芯片，而基于Westmere架構的新一代至強服務(wù)器芯片也將推出。 英特爾在去年三月推出了基于Nehalem架構的至強5500系列芯片和至強3500系列芯片，是其對服務(wù)
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SEMI：中國半導體產(chǎn)出在未來(lái)十年內將翻倍
- 按SEMI近期的研究報告指出，中國力圖收窄IC在消耗及產(chǎn)出之間的鴻溝，預計在未來(lái)的十年內中國的半導體設備與材料市場(chǎng)將增加一倍。 由假設的鴻溝數字出發(fā)，由于中央與地方政府都相應出臺了鼓勵政策，促進(jìn)在未來(lái)十年中設備及材料的采購會(huì )大幅增加。 除此之外，隨著(zhù)中國的芯片制造與封裝測試設備的大量進(jìn)口也大大促進(jìn)了中國研發(fā)和工藝技術(shù)人材的需求迅速增加。 自1997年中國半導體市場(chǎng)超過(guò)美國與日本之后，中國的政策制訂者開(kāi)始極力強調要縮小供需之間的鴻溝。在2008年中國消費了全球芯片的1/4，但是國內產(chǎn)出
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新多核技術(shù)實(shí)現3G到4G平滑過(guò)渡
- 當DSP從過(guò)去的單核過(guò)渡到4核再到6核時(shí)，不只提供了更強的處理能力，同時(shí)也對人們在DSP上開(kāi)展的研發(fā)工作提出了新的挑戰：第一是必須對以往的應用程序做更多的優(yōu)化工作;第二是開(kāi)發(fā)工具要能深入到程序運行的各個(gè)細節，并對程序的運行情況進(jìn)行監控;第三是解決耗電和散熱等問(wèn)題，核心的增多必然會(huì )造成耗電的上升。 飛思卡爾在最新一代的多核DSP上率先采用了45納米工藝，這使得飛思卡爾最近推出的6核DSP產(chǎn)品在功耗和性能上都達到了業(yè)界的最高水平，完全可以滿(mǎn)足4G應用的需求。作為業(yè)界第一個(gè)向市場(chǎng)推出商用6核DSP的廠(chǎng)
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張汝京在紅藍兩色中搖晃：是非功過(guò)向上帝交賬
- 張汝京微佝僂著(zhù)背走進(jìn)中芯花園的服務(wù)中心，大大的腦袋扛在肩膀上，和5年前我們第一次采訪(fǎng)他時(shí)相比，歲月的痕跡毫不留情地出現在他身上，按照他自己的話(huà)來(lái)說(shuō)，“這幾年折舊很快”——這當然不止是指中芯國際晶圓廠(chǎng)的設備折舊。 過(guò)去17個(gè)季度中，中芯國際就有16個(gè)季度出現虧損，這很大程度上是因為每年高達8億美元的折舊，折舊占到他們銷(xiāo)售額的50%左右，早年一度還超過(guò)60%。 也正是因為這樣長(cháng)達4年的虧損，張汝京常常被股東質(zhì)疑。11月4日中芯國際敗訴停盤(pán)，11月
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英特爾宣布32納米芯片本周開(kāi)始大批量生產(chǎn)
- 英特爾公司今天宣布32納米芯片本周開(kāi)始大批量生產(chǎn)，這一聲明標志著(zhù)32納米技術(shù)芯片進(jìn)入成熟實(shí)用階段，英特爾也借此穩固其在半導體行業(yè)中的地位。 3年前，在其他公司研制65納米芯片的時(shí)候，英特爾就推出了45納米。今天，與仍然領(lǐng)先的45納米技術(shù)相比較，32納米的芯片不僅讓同樣面積的硅晶片上容下近2倍的晶體管，還大幅度提高了CPU的速度和減低功耗。用Adobe公司的Photoshop圖像處理軟件來(lái)進(jìn)行性能測試，32納米比45納米速度快了28%。 從1071年英特爾推出第一個(gè)微處理器至今，這批32納米
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英特爾第三季CPU市場(chǎng)份額增至81.5%
- 據國外媒體報道，美國市場(chǎng)研究公司Mercury Research周二發(fā)布的報告顯示，英特爾第三季度的全球CPU市場(chǎng)份額達到81.5%，進(jìn)一步拉大了對AMD的領(lǐng)先優(yōu)勢。 Mercury Research的報告顯示，在第三季度全球CPU市場(chǎng)的出貨量中，英特爾占據81.5%的份額，高于去年同期的81.2%，也高于第二季度的80.5%;AMD第三季度的份額約為17.8%，略高于去年的17.7%，但低于第二季度的18.5%;另外一家芯片廠(chǎng)商威盛的份額則由去年同期的1.1%下滑至0.7%。 Mercu
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臺積電12寸新廠(chǎng)南北齊攻 總投資額上看60億美元
- 隨著(zhù)聯(lián)電、中芯等競爭者45納米制程推展進(jìn)程加快，晶圓代工龍頭臺積電決定擴大投資力道，全面拉開(kāi)與競爭對手差距，臺積電計劃南、北開(kāi)攻，啟動(dòng)新竹、南科12寸晶圓廠(chǎng)全新擴產(chǎn)計畫(huà)，總投資額將上看60億美元，預計2010年下半起展開(kāi)裝機。由于臺積電先進(jìn)制程擴產(chǎn)及良率將成為2010年重點(diǎn)營(yíng)運主軸，亦將牽動(dòng)內部人事異動(dòng)，業(yè)界傳出負責先進(jìn)制程營(yíng)運的副總劉德音，極可能擢升為空缺許久的營(yíng)運長(cháng)(COO)。不過(guò)，臺積電26日并未證實(shí)上述說(shuō)法。 半導體業(yè)者表示，中芯在上海技術(shù)論壇宣布45納米制程近日即將投產(chǎn)，加上聯(lián)電擴大布
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IBM攜手大陸晶圓廠(chǎng) 抗衡臺積電
- 近期IBM大動(dòng)作與大陸晶圓代工廠(chǎng)展開(kāi)技術(shù)平臺合作，不僅與中芯國際攜手45納米先進(jìn)制程，亦與無(wú)錫華潤上華結盟，針對主流制程0.18微米射頻CMOS制程技術(shù)及訂單合作。大陸半導體業(yè)者指出，IBM積極運用大陸當地晶圓廠(chǎng)生產(chǎn)力，全力擴展大陸市場(chǎng)，未來(lái)IBM技術(shù)勢力可望在大陸深耕，并與臺積電勢力相抗衡。 大陸半導體業(yè)者表示，目前IBM對于向外技術(shù)授權采取更積極做法，尤其針對亟需要技術(shù)平臺奧援的大陸晶圓廠(chǎng)，IBM積極尋求合作機會(huì )，不僅對于技術(shù)授權相當開(kāi)放，甚至不排除讓部分原本在IBM下單客戶(hù)，透過(guò)IBM轉至
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Semico研究認為2010年全球IC業(yè)將強勁增長(cháng)
- Semico總裁Jim Feldhan在奧斯汀舉行的ISMI討論會(huì )上表示，明年半導體工業(yè)將有20%的高增長(cháng)，因而設備制造商有望得到未來(lái)數年的好年景。 與在兩天會(huì )議中部分經(jīng)濟學(xué)家認為未來(lái)5年全球經(jīng)濟將是暗淡的看法大相徑庭，Jim Feldhan認為今年第四季度前景尚好，即使明年第一季是傳統的淡季，也能有驚奇的增長(cháng)。所以工業(yè)將呈現V型復蘇，其中部分產(chǎn)品的市場(chǎng)相當搶眼。下圖為部分終端電子產(chǎn)品的增長(cháng)趨勢; Semico看到寬帶、無(wú)線(xiàn)及社會(huì )網(wǎng)絡(luò )將是未來(lái)IC消費的推動(dòng)者。 如
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中芯國際采用 Cadence DFM解決方案
- 今天宣布，中芯國際集成電路制造有限公司采用了 Cadence(R) Litho Physical Analyzer 與 Cadence Litho Electrical Analyzer，從而能夠更準確地預測壓力和光刻差異對65和45納米半導體設計性能的影響。Cadence Litho Electrical Analyzer -- 半導體行業(yè)第一個(gè)用于各大領(lǐng)先半導體公司從90到40納米生產(chǎn)中的DFM電氣解決方案 -- 與 Cadence Litho Physical Analyzer 結合，形成了一個(gè)
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ARM發(fā)布45納米SOI測試結果，最高節能40%
- ARM公司近日在于加州福斯特市舉行的IEEE SOI大會(huì )上發(fā)布了一款絕緣硅(silicon-on-insulator，SOI)45納米測試芯片的測試結果。結果表明，相較于采用傳統的體效應工藝(bulk process)進(jìn)行芯片制造，該測試芯片顯示出最高可達40%的功耗節省的可能性。這一測試芯片是基于A(yíng)RM1176™ 處理器，能夠在SOI和體效應微處理器實(shí)施之間進(jìn)行直接的比較。此次發(fā)布的結果證實(shí)了在為高性能消費設備和移動(dòng)應用設計低功耗處理器時(shí)，SOI是一項取代傳統體效應工藝的可行技術(shù)。
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中芯國際2009年技術(shù)研討會(huì )在京舉行
- 中芯國際集成電路制造有限公司于10月15日在北京舉行中芯國際2009年技術(shù)研討會(huì )，也是中芯國際舉辦的第九屆技術(shù)研討會(huì )。本次研討會(huì )吸引了三百多位來(lái)自全球各地的客戶(hù)、芯片設計工程師、技術(shù)合作伙伴與供應商等的參與。 “機遇 挑戰 創(chuàng )新”為本次研討會(huì )的主題。中芯國際副總裁陳秋峰博士在開(kāi)幕致詞時(shí)，回顧了中芯國際在過(guò)去幾年中的挑戰與創(chuàng )新，重點(diǎn)介紹了中國市場(chǎng)的機遇，指出了中芯國際未來(lái)順應行業(yè)發(fā)展趨勢的發(fā)展方向。中芯國際感謝所有客戶(hù)、合作伙伴和供應商一直以來(lái)的大力支持，并期待未來(lái)以更緊密
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中芯國際將45納米工藝技術(shù)延伸至40納米以及55納米
- 中芯國際今天宣布其45納米的互補型金屬氧化物半導體 (CMOS) 技術(shù)將延伸至40納米以及55納米。 這些新工藝技術(shù)進(jìn)一步豐富了中芯國際現有的技術(shù)能力，更好地滿(mǎn)足全球客戶(hù)的需求，包括快速增長(cháng)的中國市場(chǎng)在內。其應用產(chǎn)品包括多媒體產(chǎn)品、圖形芯片、芯片組以及手機設備(如3G/4G 手機)。 “中芯國際上海的12英寸廠(chǎng)已提前達標完成了45納米的技術(shù)工藝。我們也同樣期盼著(zhù)這些附加的延伸技術(shù)能取得佳績(jì)。”張汝京博士 -- 中芯國際總裁兼首席執行長(cháng)表示，“這些新技術(shù)為
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ARM最新45nm 測試芯片實(shí)現40%的功耗降低
- ARM公司近日在于加州福斯特市舉行的IEEE SOI大會(huì )上發(fā)布了一款絕緣硅(silicon-on-insulator，SOI)45納米測試芯片的測試結果。結果表明，相較于采用傳統的體硅工藝(bulk process)進(jìn)行芯片制造，該測試芯片顯示出最高可達40%的功耗節省的可能性。這一測試芯片是基于A(yíng)RM1176™ 處理器，能夠在SOI和體效應微處理器實(shí)施之間進(jìn)行直接的比較。此次發(fā)布的結果證實(shí)了在為高性能消費設備和移動(dòng)應用設計低功耗處理器時(shí)，SOI是一項取代傳統體效應工藝的可行技術(shù)。
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