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45納米
45納米 文章 進(jìn)入45納米技術(shù)社區
基辛格暢談?dòng)⑻貭柵c快速發(fā)展的行業(yè)高科技
- 英特爾公司高級副總裁兼數字企業(yè)事業(yè)部總經(jīng)理帕特•基辛格，在英特爾信息技術(shù)峰會(huì )上介紹了英特爾與整個(gè)行業(yè)合作在處理器、相關(guān)技術(shù)以及Tick-tock設計步伐方面的最新情況，包括英特爾即將推出的 45 納米產(chǎn)品的最新信息。同時(shí)他還介紹了行業(yè)內近期在節能計算、虛擬化以及大量軟件開(kāi)發(fā)方面的一些舉措和近期推出的一些新的系統架構計劃，從USB互聯(lián)技術(shù)到公司即將推出的用于英特爾®博銳™技術(shù)臺式機的無(wú)鉛產(chǎn)品。 基辛格指出：“英特爾的發(fā)展模式和設計步伐是一種前瞻性的、經(jīng)濟高
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45納米后，摩爾定律還能堅持多久？
- 自1970年發(fā)明MOS工藝及73年推出CMOS工藝以來(lái)，至今還沒(méi)有發(fā)現可替代它的工藝，足見(jiàn)CMOS工藝的經(jīng)濟合理性。因此，至今硅基材料的應用仍在繼續延伸。然而，在晶體管工藝制造中采用二氧化硅作為柵極材料，實(shí)質(zhì)上已逼近極限。如65納米工藝時(shí)，二氧化硅柵極的厚度己降低至1.2納米，約5個(gè)硅原子層厚度，如果再繼續縮小，將導致漏電及功耗急劇上升。 晶體管工藝技術(shù)的又一個(gè)里程碑Intel共同創(chuàng )始人Gordon Moore說(shuō)，采用“high-k”和金屬柵電極材料，標志著(zhù)從推出多晶硅柵MOS晶體管以來(lái)，晶體管技術(shù)的一
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45納米芯片大戰結局: 松下IBM或擊敗英特爾
- 關(guān)注芯片領(lǐng)域四核之戰的朋友可能不會(huì )陌生，英特爾不斷以45納米芯片重磅新聞轟炸AMD，宣稱(chēng)自己的45納米芯片將第一個(gè)上市。然而現實(shí)可能出乎業(yè)界的預料，第一個(gè)將45納米芯片搬上貨架的可能既不是英特爾，也不是AMD，而是松下或IBM。 據國外媒體報道，以45納米競賽“王者”自居的英特爾，可能對上述說(shuō)法不以為然，它會(huì )說(shuō)英特爾已在內部演示了45納米芯片，代號為“Penryn”，根據計劃今年底該芯片將上市，而AMD的45納米芯片可能要到2008年才能上市。然而業(yè)界所關(guān)注的并非產(chǎn)品演示，就真正供
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臺積電將為AMD代工制造45納米工藝芯片
- 臺積電CEO蔡力行(Rick Tsai)向分析人士表示，臺積電將在2008年為尚未公布名字的客戶(hù)制造處理器。 他說(shuō)，我們預計將于明年下半年開(kāi)始制造處理器，這一交易將對臺積電的收入做出重大貢獻。 蔡力行沒(méi)有披露更多細節，但表示，為了為該客戶(hù)制造處理器，臺積電正在投入巨資部署高阻抗金屬柵極技術(shù)。高阻抗金屬柵極技術(shù)是45納米工藝的關(guān)鍵部分，它能夠大幅度減少電流泄露。 臺積電已經(jīng)在為威盛制造處理器，但威盛的處理器采用的是較為陳舊的工藝，在近期內不大可能要求使用高阻抗金屬柵極技術(shù)。這就使得A
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應用材料推出45納米光掩膜刻蝕技術(shù)設備
- 近日，應用材料公司宣布推出先進(jìn)的AppliedCenturaTetraTMIII掩膜刻蝕設備，它是目前唯一可以提供45納米光掩膜刻蝕所需要的至關(guān)重要的納米制造技術(shù)系統。TetraIII通過(guò)控制石英掩膜把刻槽深度控制在10Å以?xún)?，同時(shí)把臨界尺寸損失減小到10nm以下，使客戶(hù)可以在最重要的器件層交替使用相移掩膜和強有力的光學(xué)臨近修正技術(shù)。該系統為基于鉻、石英、氮氧硅鉬等多種新材料的下一代光刻技術(shù)應用提供無(wú)差錯、高產(chǎn)能的刻蝕工藝。
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應用材料公司推出關(guān)鍵性45納米光掩膜刻蝕技術(shù)設備
- 近日，應用材料公司宣布推出先進(jìn)的Applied Centura® TetraTMIII掩膜刻蝕設備，它是目前唯一可以提供45納米光掩膜刻蝕所需要的至關(guān)重要的納米制造技術(shù)系統。Tetra III通過(guò)控制石英掩膜把刻槽深度控制在10 Å以?xún)?，同時(shí)把臨界尺寸損失減小到10nm以下，使客戶(hù)可以在最重要的器件層交替使用相移掩膜和強有力的光學(xué)臨近修正技術(shù)。該系統為基于鉻、石英、氮氧硅鉬等多種新材料的下一代光刻技術(shù)應用提供無(wú)差錯、高產(chǎn)能的刻蝕工藝。 應用材料公司資深副總裁，刻蝕、清潔、前道
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臺積電9月量產(chǎn)45納米產(chǎn)品 率臺灣代工廠(chǎng)之先
- 4月10日消息，據臺灣媒體報道，全球最大晶圓代工廠(chǎng)臺積電周一表示，將于今年9月開(kāi)始量產(chǎn)45納米產(chǎn)品，成為臺灣首家邁入45納米量產(chǎn)的晶圓廠(chǎng)。 臺積電總經(jīng)理兼總執行長(cháng)蔡力行表示：“為因應客戶(hù)未來(lái)的需求，公司迅速建構完成了45納米設計生態(tài)環(huán)境，并結集完備的設計支援服務(wù)，協(xié)助客戶(hù)將來(lái)能快速導入45納米產(chǎn)品?！? 目前，全球消費電子產(chǎn)業(yè)均朝更為精巧且高效能設計發(fā)展，臺積電為提高產(chǎn)業(yè)競爭力，也一路由90納米、65納米至最新的45納米先進(jìn)工藝邁進(jìn)。
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英特爾今年建成三家45納米多核廠(chǎng)
- 英特爾數字企業(yè)集團副總裁兼服務(wù)器平臺事業(yè)部總經(jīng)理Kirk Skaugem稱(chēng)，英特爾三家45納米的工廠(chǎng)將在今年完工，這將有助于英特爾擴大多核處理器產(chǎn)能和降低產(chǎn)品價(jià)格。 據介紹，這三家工廠(chǎng)分別位于以色列，美國俄勒岡州和美國亞利桑那州。Kirk Skaugem對它們的即將建成充滿(mǎn)期待，認為它必將鞏固英特爾在多核處理器領(lǐng)域的競爭。 “對手要挑戰我們在微架構的領(lǐng)先地位是非常困難的，所有優(yōu)勢的獲得都要投入數十億美元的資金。要搞多核競爭就要有產(chǎn)能，有產(chǎn)能才有價(jià)格優(yōu)勢，也就要有大的工廠(chǎng)，英特爾在這方面非常
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