SEMI：中國半導體產(chǎn)出在未來(lái)十年內將翻倍

　　按SEMI近期的研究報告指出，中國力圖收窄IC在消耗及產(chǎn)出之間的鴻溝，預計在未來(lái)的十年內中國的半導體設備與材料市場(chǎng)將增加一倍。

　　由假設的鴻溝數字出發(fā)，由于中央與地方政府都相應出臺了鼓勵政策，促進(jìn)在未來(lái)十年中設備及材料的采購會(huì )大幅增加。

　　除此之外，隨著(zhù)中國的芯片制造與封裝測試設備的大量進(jìn)口也大大促進(jìn)了中國研發(fā)和工藝技術(shù)人材的需求迅速增加。

　　自1997年中國半導體市場(chǎng)超過(guò)美國與日本之后，中國的政策制訂者開(kāi)始極力強調要縮小供需之間的鴻溝。在2008年中國消費了全球芯片的1/4，但是國內產(chǎn)出僅56億美元，相當于國內需求的8%。

　　到2011年中國的IC市場(chǎng)有望增加到850億美元，相應的IC產(chǎn)出為82億美元,近10%(取自iSuppli，ICInsight及CSIA數據)。到2013年時(shí)中國IC市場(chǎng)將增大到占全球IC市場(chǎng)的35%。

　　在過(guò)去由于計算機、手機及汽車(chē)電子等存在供需之間的不平衡促進(jìn)了中國在半導體方面的投資增加，因而產(chǎn)能日益擴大。

　　然而有些觀(guān)察家已經(jīng)看到在奧運會(huì )之后中國經(jīng)濟可能轉緩，或者是對于全球經(jīng)濟的影響程度越來(lái)越顯著(zhù)。在全球經(jīng)濟仍在恢復之中，中國經(jīng)濟以超高速的增長(cháng)，國際貨幣基金會(huì )IMF預計中國的GDP在2009年達8.5%及在2010年將有9%的增長(cháng)。

　　在2008年11月中國政府推出4萬(wàn)億經(jīng)濟刺激計劃(5860億美元)，這批資金的使用將延續到2010年。除此之外在宏觀(guān)經(jīng)濟中，中國政府也仍是中國半導體業(yè)的最大投資者。

　　在過(guò)去5年中，中國政府在新建芯片生產(chǎn)線(xiàn)中至少已經(jīng)資助了70億美元。在未來(lái)的5年中地方政府可能繼續成為中國IC生產(chǎn)線(xiàn)建設的主要投資主體。展望未來(lái)，到2020年中國政府可能投資300億美元在半導體方面(包括半導體設備與材料)，包括軟件及高端制造設備中。

　　在2009年中國政府己投資總計達26億美元在VLSI設備和材料的研發(fā)中，其中有54個(gè)項目,包括工藝技術(shù)、設備、材料、備件和其它半導體制造研究。

　　涉及的項目中有90納米量產(chǎn)，65納米引導線(xiàn)及45納米工藝技術(shù)研發(fā)，內容涵蓋前道及后道制造,，計劃直到2012年。從2008到2020年中國的國家級研究發(fā)展規劃將繼續集中在核心技術(shù)研究與開(kāi)發(fā)，包括軟件和高端芯片的研制。

　　中國為了縮小鴻溝而付出的努力將促進(jìn)中國的設備和材料市場(chǎng)大幅增加，對于全球供應商都是十分重要的。

　　按SEMI的全球生產(chǎn)線(xiàn)預測報告(World Fab Forecast)，在2010年中國在前道生產(chǎn)線(xiàn)的投資，超過(guò)20個(gè)廠(chǎng)(廠(chǎng)房與設備)將增長(cháng)67%，總計達20億美元。顯然這是包括新、二手及一切自制設備的采購總量。

　　到2010年中國半導體的安裝產(chǎn)能將增加到每月超過(guò)150萬(wàn)片，相當于全球硅片總產(chǎn)能的10%(依8英寸等值計)。

　　在材料方面，在2010年中國的消費預計達37.5億美元，比09年上升15%，超過(guò)歐洲，接近美國的支出(釆自SEMI的Consensue預測)。