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4 納米
4 納米 文章 進(jìn)入4 納米技術(shù)社區
UMC對中東擴張不屑一顧;稱(chēng)英特爾的12 納米是必勝項目
- 據《商業(yè)時(shí)報》和 CNA 報道，在有傳言稱(chēng)臺積電拒絕了在卡塔爾的擴張報價(jià)，臺灣第二大晶圓代工廠(chǎng)聯(lián)電于 5 月 28 日透露，中東國家也與他們接洽尋求合作。然而，報告指出，聯(lián)華電子對此興趣不大，而是優(yōu)先考慮新加坡的未來(lái)增長(cháng)。據報道，聯(lián)華電子首席財務(wù)官 Chi-Tung Liu 證實(shí)，中東各方正在尋求潛在的合作，但由于重點(diǎn)主要是產(chǎn)能擴張——這是聯(lián)華電子希望避免的道路——由于新加坡的政治中立立場(chǎng)，該公司將新加坡的未來(lái)增長(cháng)放在首位。CNA 報道稱(chēng)，據 Liu 稱(chēng)，聯(lián)華電子位于新加坡的 P3 晶
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三星已于去年底量產(chǎn)第四代 4 納米芯片，全力追趕臺積電
- 3 月 11 日消息，據 ZDNet Korea 今日報道，三星電子 11 日的業(yè)務(wù)報告稱(chēng)，三星電子第四代 4 納米工藝（SF4X）已于去年 11 月開(kāi)始量產(chǎn)。由于該工藝專(zhuān)注于人工智能等高性能計算（HPC）領(lǐng)域，預計將在三星代工業(yè)務(wù)的復蘇中發(fā)揮關(guān)鍵作用。三星第一代 4 納米于 2021 年量產(chǎn)。圖源：三星電子據了解，與前幾代相比，三星的第四代 4 納米芯片采用了先進(jìn)的后端連線(xiàn)（BEOL）技術(shù)，能夠顯著(zhù)提升芯片的整體性能，同時(shí)降低制造成本。此外，該芯片還配備了高速晶體管，還支持 2.5D 和 3D 等下一代
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佳能押注納米壓印技術(shù) 價(jià)格比阿斯麥EUV光刻機“少一位數”
- 11月6日消息，日本佳能一直在投資納米壓?。∟ano-imprint Lithography，NIL）這種新的芯片制造技術(shù)，并計劃將新型芯片制造設備的價(jià)格定在阿斯麥最好光刻機的很小一部分，從而在光刻機領(lǐng)域取得進(jìn)展。納米壓印技術(shù)是極紫外光刻（EUV）技術(shù)的低成本替代品。佳能首席執行官御手洗富士夫(Fujio Mitarai)表示，該公司最新的納米壓印技術(shù)將為小型芯片制造商生產(chǎn)先進(jìn)芯片開(kāi)辟出一條道路?！斑@款產(chǎn)品的價(jià)格將比阿斯麥的EUV少一位數，”現年88歲的御手洗富士夫表示。這是他第三次擔任佳能總裁，上一次退
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新思科技攜手是德科技、Ansys面向臺積公司4 納米射頻FinFET工藝推出全新參考流程
- 摘要：●? ?全新參考流程針對臺積公司 N4PRF 工藝打造，提供開(kāi)放、高效的射頻設計解決方案?！? ?業(yè)界領(lǐng)先的電磁仿真工具將提升WiFi-7系統的性能和功耗效率?！? ?集成的設計流程提升了開(kāi)發(fā)者的生產(chǎn)率，提高了仿真精度，并加快產(chǎn)品的上市時(shí)間。近日宣布，攜手是德科技（Keysight）、Ansys共同推出面向臺積公司業(yè)界領(lǐng)先N4PRF工藝（4納米射頻FinFET工藝）的全新參考流程。該參考流程基于新思科技的定制設計系列產(chǎn)品，為追求更高預測精度
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納米數越小，芯片就一定越好？專(zhuān)家：就是營(yíng)銷(xiāo)炒作
- 8月2日消息，英特爾、三星和臺積電都在吹噓他們能在一個(gè)小小的芯片上塞進(jìn)多少晶體管，但就事實(shí)而言，這種宣傳中的納米級尺寸幾乎沒(méi)有任何意義。業(yè)內專(zhuān)家稱(chēng)這種說(shuō)法都是無(wú)稽之談，事實(shí)上的芯片“節點(diǎn)”尺寸遠大于廠(chǎng)商們宣傳的數值。制造用于智能手機、電視和其他電子產(chǎn)品的芯片廠(chǎng)商們總喜歡吹噓自家產(chǎn)品的強大算力。他們還夸口說(shuō)，完成所有復雜工作的芯片體積正在不斷縮小。對于芯片制造商來(lái)說(shuō)，芯片晶體管的日趨小型化標志著(zhù)處理速度不斷提高或能源消耗不斷降低，有助于贏(yíng)得利潤豐厚的合同。但是，關(guān)于芯片小型化的競爭導致市場(chǎng)一片混亂。多少納米
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3D DRAM技術(shù)是DRAM的的未來(lái)嗎？
- 5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開(kāi)發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)。隨著(zhù)“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲廠(chǎng)商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進(jìn)的工藝是10nm。據公開(kāi)資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個(gè)問(wèn)題之前，我
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中科院研發(fā)低維半導體技術(shù)：納米畫(huà)筆“畫(huà)出”各種芯片
- 中科院今天宣布,國內學(xué)者研發(fā)出了一種簡(jiǎn)單的制備低維半導體器件的方法——用“納米畫(huà)筆”勾勒未來(lái)光電子器件,它可以“畫(huà)出”各種需要的芯片。隨著(zhù)技術(shù)的發(fā)展,人們對半導體技術(shù)的要求越來(lái)越高,但是半導體制造難度卻是越來(lái)越大,10nm以下的工藝極其燒錢(qián),這就需要其他技術(shù)。中科院表示,可預期的未來(lái),需要在更小的面積集成更多的電子元件。針對這種需求,厚度僅有0.3至幾納米(頭發(fā)絲直徑幾萬(wàn)分之一)的低維材料應運而生。這類(lèi)材料可以比作超薄的紙張,只是比紙薄很多,可以用于制備納米級別厚度的電子器件。從材料到器件,現有的制備工藝
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從性能提升到生態(tài)擴展，看Qualcomm勾勒5G未來(lái)
- 如何不斷提升5G性能，持續擴展5G生態(tài)，成為2020年行業(yè)重點(diǎn)考慮的5G發(fā)展議題。近日，Qualcomm舉辦了一場(chǎng)線(xiàn)上新聞發(fā)布會(huì )，聚焦5G發(fā)布了多款全新產(chǎn)品，Qualcomm首席執行官史蒂夫·莫倫科夫（Steve Mollenkopf）和總裁安蒙（Cristiano Amon）攜手來(lái)自三星、愛(ài)立信、Facebook、微軟公司、樂(lè )天公司的合作伙伴，共同分享和探討了5G網(wǎng)絡(luò )和終端發(fā)展新態(tài)勢，并展望未來(lái)5G演進(jìn)方向以及在更多行業(yè)開(kāi)創(chuàng )的新機遇。Qualcomm首席執行官史蒂夫·莫倫科夫發(fā)表演講雖有挑戰 5G發(fā)展勢
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美光推出面向移動(dòng)應用、堪稱(chēng)業(yè)內容量最高的單片式內存
- 新聞?wù)? 16Gb LPDDR4X改進(jìn)了能耗、速度和業(yè)內最高容量的單片式裸晶，它的推出進(jìn)一步鞏固了美光在低功耗 DRAM 領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。? 基于 UFS 的多芯片封裝可在同等尺寸條件下降低功耗并增加容量，從而使手機設計更加輕巧美光科技股份有限公司（納斯達克股票代碼：MU）今天宣布推出業(yè)內容量最高的單片式 16Gb 低功耗雙倍數據率 4X (LPDDR4X) DRAM。美光16Gb LPDDR4X 能夠在單個(gè)智能手機中提供高達 16GB1 的低功耗 DRAM (LPDRAM)，顯示了美光為當前和下一代
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隆重推出英特爾Agilex FPGA，迎接以數據為中心的計算新時(shí)代
- 作者/Dan McNamara 英特爾公司高級副總裁兼可編程解決方案事業(yè)部總經(jīng)理 基于 10 納米技術(shù)構建的全新英特爾? FPGA 提供了比前代FPGA 更高的性能，并且降低了能耗從邊緣到網(wǎng)絡(luò )再到云，以數據為中心的計算新時(shí)代已經(jīng)到來(lái)。海量數據對處理數據的硬件、軟件和解決方案的靈活性和敏捷性提出了迫切的需求，無(wú)論數據在何處創(chuàng )建、傳輸與存儲?！ 祿募ぴ龊屠脭祿母偁幷跒榭蛻?hù)創(chuàng )造新的機會(huì )，幫助他們在各個(gè)細分市場(chǎng)進(jìn)行創(chuàng )新。其中，現場(chǎng)可編程邏輯門(mén)陣列 (FPGA) 一直備受矚目?！ ∫虼?，在英特爾
- 關(guān)鍵字： 201905 英特爾 10 納米 ? FPGA
如何替代用于潔凈化學(xué)品交付的玻璃容器
- 隨著(zhù)半導體行業(yè)塌縮到更小的節點(diǎn)和/或采用 3D NAND等復雜的體系結構，以繼續追趕或取代摩爾定律，業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)往往是制程優(yōu)化和化學(xué)配方改良。業(yè)界似乎很少考慮輔助技術(shù)，而此類(lèi)技術(shù)對于滿(mǎn)足當今細微特征和復雜結構的需求而言同樣重要。在半導體制造制程中，以前化學(xué)品的交付并未被視為關(guān)鍵領(lǐng)域之一，但現在正變得越來(lái)越重要?！ ∫约觼霾Ａ繛槔?，它用于包裝、存儲、運輸和交付潔凈的制程用化學(xué)品，如光刻膠、蝕刻劑、前驅體、電介質(zhì)等。多年來(lái)，這些容器對于當時(shí)的任務(wù)而言是適合的而且經(jīng)濟上很劃算。然而， 隨著(zhù)今天的
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我國納米專(zhuān)利申請量世界第一 專(zhuān)家：催化研究最具前景
- 中國投入進(jìn)行納米科研已有數十年時(shí)間，已經(jīng)成為當今世界納米科學(xué)與技術(shù)進(jìn)步重要的貢獻者，部分基礎研究居國際領(lǐng)先水平，中國納米科技應用研究與成果轉化的成效也已初具規模。這一判斷來(lái)自由施普林格?自然集團、國家納米科學(xué)中心和中國科學(xué)院文獻情報中心29日在第七屆中國國際納米科學(xué)技術(shù)會(huì )議上聯(lián)合發(fā)布的《國之大器 始于毫末—中國納米科學(xué)與技術(shù)發(fā)展狀況概覽》(中英文)白皮書(shū)。 8月29日，第七屆中國國際納米科學(xué)技術(shù)會(huì )議在北京召開(kāi)，大會(huì )吸引來(lái)自全球30多個(gè)國家和地區的2000多名代表出席。在大會(huì )開(kāi)幕式上，
- 關(guān)鍵字： 納米
中國科大設計合成出新型多形體硫化物半導體納米異質(zhì)結
- 近日，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授俞書(shū)宏課題組與李震宇課題組合作，在多形體硫化物半導體的設計合成及光電轉換應用方面取得了新進(jìn)展。研究成果以封面論文發(fā)表在9月26日出版的《美國化學(xué)會(huì )志》(J. Am. Chem. Soc. 2016,138(39), 12913-12919)上，并被JACS Spotlights選為研究亮點(diǎn)。 新穎的納米晶材料的合成及其形成機理是目前膠體濕化學(xué)方法合成納米晶研究的重點(diǎn)。硫化銅(Cu2-xS)是一類(lèi)傳統的半導體材料，隨著(zhù)x值的變化呈現出不同的晶體結構，當x值增加時(shí)，其禁帶寬
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4 納米介紹
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