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英特爾下一代突破性3D XPoint內存遭遇嚴重推遲
- 去年英特爾宣布了內存技術(shù)突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術(shù)，它非常適合DRAM和SSD之間的市場(chǎng)。新的非易失性芯片據稱(chēng)會(huì )從根本上改變計算，但是現在傳出這一技術(shù)及其產(chǎn)品將被嚴重推遲發(fā)布。 根據英特爾自己的營(yíng)銷(xiāo)材料顯示，3D XPoint技術(shù)不僅提升非易失性存儲器速度，而且還提供了出色的存儲密度。這使得存儲設備體積顯著(zhù)小于現有型號。英特爾當時(shí)宣稱(chēng)這一新技術(shù)不僅僅是一些概念證明，而是準備在今年全面生產(chǎn)與推廣。不幸的是，現在看起來(lái)英特爾已經(jīng)遇到麻煩，悄然大大推遲了3D XPoint技術(shù)和產(chǎn)品
- 關(guān)鍵字： 英特爾 3D XPoint
英特爾下一代突破性3D XPoint內存遭遇嚴重推遲
- 去年英特爾宣布了內存技術(shù)突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術(shù)，它非常適合DRAM和SSD之間的市場(chǎng)。新的非易失性芯片據稱(chēng)會(huì )從根本上改變計算，但是現在傳出這一技術(shù)及其產(chǎn)品將被嚴重推遲發(fā)布。 根據英特爾自己的營(yíng)銷(xiāo)材料顯示，3D XPoint技術(shù)不僅提升非易失性存儲器速度，而且還提供了出色的存儲密度。這使得存儲設備體積顯著(zhù)小于現有型號。英特爾當時(shí)宣稱(chēng)這一新技術(shù)不僅僅是一些概念證明，而是準備在今年全面生產(chǎn)與推廣。不幸的是，現在看起來(lái)英特爾已經(jīng)遇到麻煩，悄然大大推遲了3D XPoint技術(shù)和產(chǎn)品
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2017年中國將推自主生產(chǎn)3D NAND閃存，32層堆棧
- 摘要：由于智能手機、SSD市場(chǎng)需求強烈，閃存、內存等存儲芯片最近都在漲價(jià)，這也給了中國公司介入存儲芯片市場(chǎng)的機遇。在中國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的規劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著(zhù)上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過(guò)240億美元，之前是新芯科技主導，現在已經(jīng)變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點(diǎn)不算低。 2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶(hù)武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設，今年3月份12寸晶圓廠(chǎng)正式動(dòng)工，整個(gè)項目預
- 關(guān)鍵字： SSD 3D NAND
2017年中國將推自主生產(chǎn)32層堆棧3D NAND閃存
- 由于智能手機、SSD市場(chǎng)需求強烈，閃存、內存等存儲芯片最近都在漲價(jià)，這也給了中國公司介入存儲芯片市場(chǎng)的機遇。在中國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的規劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著(zhù)上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過(guò)240億美元，之前是新芯科技主導，現在已經(jīng)變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點(diǎn)不算低。 2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶(hù)武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設，今年3月份12寸晶圓
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美光3D NAND創(chuàng )新低成本制程分析
- 美光公司日前開(kāi)始量產(chǎn)其32層(32L) 3D NAND快閃記憶體，包含該元件的首批商用下游產(chǎn)品之一是Crucial 750GB SATA 2.5寸固態(tài)硬碟(SSD)。如圖1所示，這款產(chǎn)品的連續讀取/寫(xiě)入速度分別高達每秒530MB與每秒510MB;其功耗較一般硬碟驅動(dòng)器(HDD)改善了90倍，據稱(chēng)也更加耐用。 Crucial SSD的售價(jià)為200美元，這使其成為筆記型電腦應用最具吸引力的選項，而且我們發(fā)現有越來(lái)越多的電腦設備開(kāi)始利用SSD取代傳統HDD。HDD也許將逐漸被市場(chǎng)所淘汰，不過(guò)必須承認的
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三星3D V-NAND固態(tài)盤(pán)加速企業(yè)閃存進(jìn)化
- 三星最新的產(chǎn)品是一種面向企業(yè)級應用、高可靠的固態(tài)盤(pán)存儲--V-NAND固態(tài)盤(pán)。最新用于固態(tài)盤(pán)V-NAND技術(shù)帶來(lái)性能上的提升，節省電力消耗，并提高了急需
- 關(guān)鍵字： 三星 V-NAND 3D 固態(tài)盤(pán)
3D NAND Flash成產(chǎn)業(yè)發(fā)展突破口
- 存儲器作為四大通用芯片之一，發(fā)展存儲芯片產(chǎn)業(yè)的意義不言而喻。對電子產(chǎn)品而言，存儲芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數據相伴而生，哪里有數據，哪里就會(huì )需要存儲芯片。而且隨著(zhù)大數據、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，存儲產(chǎn)業(yè)與信息安全等亦息息相關(guān)。 當前，我國筆記本、智能手機出貨量均居全球首位。華為、聯(lián)想等廠(chǎng)商崛起，以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯(lián)網(wǎng)廠(chǎng)商帶動(dòng)數據中心爆發(fā)，使得國產(chǎn)廠(chǎng)商對存儲需求量巨大。 相關(guān)數據顯示，2015年大陸DRAM采購規模估計為120億美元、NAND Flash采購規模為66.7億美元
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美光移動(dòng)裝置3D NAND解決方案 瞄準中高階手機市場(chǎng)
- 美光(Micron)3D NAND固態(tài)硬碟(SSD)產(chǎn)品方才正式面市，緊接又宣布將推出首款針對移動(dòng)裝置最佳化的3D NAND產(chǎn)品，這也是美光首款支援通用快閃儲存(Universal Flash Storage;UFS)標準之產(chǎn)品。 美光移動(dòng)事業(yè)行銷(xiāo)副總Gino Skulick在接受EE Times專(zhuān)訪(fǎng)表示，美光為移動(dòng)裝置所推出的首款3D NAND為32GB產(chǎn)品，鎖定中、高階智能型手機市場(chǎng)，此區塊市場(chǎng)占全球智能型手機總數的50%。 而這也是業(yè)界首款采用浮動(dòng)閘極(Floating Gate)技
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3d介紹
3D——三維圖形
3D是three-dimensional的縮寫(xiě)，就是三維圖形。在計算機里顯示3d圖形，就是說(shuō)在平面里顯示三維圖形。不像現實(shí)世界里，真實(shí)的三維空間，有真實(shí)的距離空間。計算機里只是看起來(lái)很像真實(shí)世界，因此在計算機顯示的3d圖形，就是讓人眼看上就像真的一樣。人眼有一個(gè)特性就是近大遠小，就會(huì )形成立體感。計算機屏幕是平面二維的，我們之所以能欣賞到真如實(shí)物般的三維圖像，是因為顯示在計 [ 查看詳細 ]
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